1.一种制备超级电容器电极的方法，其特征在于，包括：
(1)将光刻胶和纳米模板材料混合，以便获得原料混合物；
(2)将所述原料混合物旋涂于衬底上，以便获得原料混合物薄膜；
(3)对所述原料混合物薄膜进行光刻处理，以便获得图形化薄膜；
(4)对所述图形化薄膜进行碳化处理，以便获得经过碳化处理的薄膜；
(5)去除所述经过碳化处理的薄膜中的所述纳米模板材料，以便获得多孔碳薄膜；
(6)对所述多孔碳薄膜作电沉积处理进行活性材料修饰，以便获得所述超级电容器电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述光刻胶为SU-8 2000系列光刻胶，
任选地，步骤(1)中，所述纳米模板材料为选自纳米二氧化硅、纳米氧化铝、纳米多孔硅胶中的至少一种，
任选地，步骤(1)中，在所述原料混合物种，所述光刻胶中的有效成分和所述纳米模板材料的质量比为20～1：1，
任选地，步骤(1)包括：向所述光刻胶中加入所述纳米模板材料，并将所得到的混合物依次进行超声分散及搅拌处理，以便获得所述原料混合物。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)包括：
以200-4000转/分钟的转速，将所述原料混合物旋涂于所述衬底上，并于80～100摄氏度下，将涂覆有所述原料混合物的衬底进行前烘3～30分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，所述光刻是通过依次对所述原料混合物薄膜进行曝光、后烘、显影和坚膜进行的，
任选地，步骤(3)包括：
(3-1)利用光刻机对所述原料混合物薄膜进行曝光，其中，所述曝光总剂量为60～3000mJ/cm2；
(3-2)于80～100摄氏度下，将步骤(3-1)中得到的产品进行后烘3～30分钟；
(3-3)将步骤(3-2)中得到的产品进行显影；
(3-4)于180～220摄氏度下，将步骤(3-3)中得到的产品进行坚膜5～60分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，所述碳化处理是于惰性气氛中，对所述图形化薄膜进行加热进行的，
任选地，步骤(4)包括：
(4-1)于所述惰性气氛中，将所述图形化薄膜加热至250～350摄氏度并保温10～120分钟；
(4-2)将步骤(4-1)得到的产品加热至600～1500摄氏度并保温10～300分钟。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(5)包括：
(5-1)利用蚀刻液，对所述经过碳化处理的薄膜中的所述纳米模板材料进行蚀刻；
(5-2)利用乙醇和去离子水的混合液，对步骤(5-1)得到的产品进行浸泡清洗，
任选地，步骤(5-1)中，所述蚀刻液为氢氟酸、水和乙醇的混合液，
任选地，基于所述蚀刻液的总体积，所述氢氟酸的体积分数为5～20％，所述乙醇的体积分数为30～80％，所述水的体积分数为15～50％。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(6)中，以含有二价锰离子的溶液作为沉积液，
任选地，所述沉积液中，所述二价锰离子的浓度不低于0.02mol/L，
任选地，步骤(6)中，所述电沉积是采用阴阳极交错的电位、周期沉积的方式进行的，
任选地，步骤(6)中，相邻两个沉积周期之间的间隔时间为60～300秒。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤(6)中，初始阴极沉积电位为-0.3～-0.5V，初始阳极沉积电位为0.2～0.5V，
任选地，步骤(6)中，每隔20～50个沉积周期，将阴极沉积电位和阳极沉积电位的幅度分别增加0.05～0.2V，
任选地，步骤(6)进一步包括：
对所述电沉积所得到的产物浸入去离子水中浸泡清洗。
9.一种超级电容器电极，其特征在于，是通过权利要求1-8中任意一项所述的方法制备的。
10.一种超级电容器，其特征在于，包含权利要求9所述的超级电容器电极。