技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高密度镍纳米颗粒的制备方法及其应用。该方法包含：步骤1，将覆盖有绝缘介质的衬底置于反应腔体中；步骤2，将上述衬底和反应腔升温至220～310℃；步骤3，以脉冲方式向反应腔中通入NiCp2蒸气；步骤4，通入惰性气体，以将多余的NiCp2蒸气吹洗干净；步骤5，向反应腔中通入NH3和Ar的混合气体，同时开启等离子体发生器以产生NH3等离子体；步骤6，通入惰性气体，以将未反应NH3等离子体和反应副产物吹洗干净；步骤7，重复步骤3‑6 n次，获得镍纳米颗粒，其中，n=50～125。本发明制备的镍纳米颗粒作为a‑IGZO薄膜晶体管存储器的电荷俘获中心，具有良好的电荷俘获能力，且工艺简单，生长温度低，与薄膜晶体管存储器制造工艺相兼容，应用前景较好。
技术研发人员：丁士进;钱仕兵;王永平;张卫
受保护的技术使用者：复旦大学
技术研发日：2017.02.14
技术公布日：2017.07.04