采用MOSFET的紧凑型三维存储器及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提出一种采用MOSFET的紧凑型三维存储器（3D‑MC）。在高于衬底的存储层中，x地址线从存储阵列延伸到解码级。MOSFET晶体管形成在x地址线上，并成为一解码器件。在解码器件中，x地址线与控制线的重叠部分是半导体。

技术研发人员：张国飙
受保护的技术使用者：杭州海存信息技术有限公司
技术研发日：2017.02.28
技术公布日：2018.09.07