1.一种TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一硅衬底(200)，在所述硅衬底(200)上形成一层金属镍层(300)；
步骤2、采用化学气相沉积法在所述金属镍层(300)上沉积一层石墨烯层(400)，采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层(400)进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层(405)；
步骤3、将所述硅衬底(200)上的金属镍层(300)溶解掉，从而使图案化的石墨烯层(405)与硅衬底(200)分离，然后将图案化的石墨烯层(405)转移，得到TFT基板的电极层。
2.如权利要求1所述的TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，所述步骤1中所形成的金属镍层(300)的厚度为10～50nm。
3.如权利要求1所述的TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，所述步骤2中所沉积形成的石墨烯层(400)的厚度为5～10nm。
4.如权利要求1所述的TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，所述步骤3中通过对位标记的方式将图案化的石墨烯层(405)定位转移。
5.如权利要求1所述的TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，所述TFT基板为柔性的低温多晶硅TFT基板。
6.如权利要求1所述的TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，所述步骤3中形成的电极层为TFT基板的栅电极层。
7.一种柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤10、提供玻璃基板(100)，在所述玻璃基板(100)上形成柔性基板(101)；
步骤20、在柔性基板(101)上依次形成缓冲层(102)、有源层(103)、栅极绝缘层(104)；
步骤30、提供一硅衬底(200)，在所述硅衬底(200)上形成一层金属镍层(300)；采用化学气相沉积法在所述金属镍层(300)上沉积一层石墨烯层(400)，采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层(400)进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层(405)；将所述硅衬底(200)上的金属镍层(300)溶解掉，从而使图案化的石墨烯层(405)与硅衬底(200)分离，然后将图案化的石墨烯层(405)转移到栅极绝缘层(104)上，形成栅电极层(105)；
步骤40、在栅极绝缘层(104)、及栅电极层(105)上依次形成层间绝缘层(106)、源漏金属层(107)。
8.如权利要求7所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述柔性TFT基板为柔性的低温多晶硅TFT基板；
所述步骤10中所形成的柔性基板(101)为聚酰亚胺基板，厚度为10～20μm；
所述步骤20中所形成的缓冲层(102)、有源层(103)、及栅极绝缘层(104)的厚度分别为200～300nm、40～50nm、50～200nm；
所述步骤40中所形成的层间绝缘层(106)、及源漏金属层(107)的厚度分别为500～700nm、400～600nm。
9.如权利要求7所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤30中所形成的金属镍层(300)的厚度为10～50nm，所沉积形成的石墨烯层(400)的厚度为5～10nm。
10.如权利要求7所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤30中，通过对位标记的方式，将所述图案化的石墨烯层(405)定位转移到栅极绝缘层(104)上。