技术特征：
技术总结
本发明提供一种半薄硅层结构的横向高压器件，其元胞结构包括衬底、埋氧层、超薄顶层硅、厚SOI层、厚介质层、P型体区、P型重掺杂体接触区、N型重掺杂源极区、N型重掺杂漏极区、栅氧化层、源极接触电极、多晶硅栅、漏极接触电极和衬底接触电极，本发明采用部分超薄顶层硅提高器件的纵向耐压，采用厚SOI层为开态电流提供更广阔的电流导通路径，从而降低器件的比导通电阻；分别采用横向线性变掺杂技术，调制各自的表面电场分布，同时产生额外的电荷来消除衬底辅助耗尽效应，使其在保持功率MOS高的击穿电压的同时，极大地降低了器件的比导通电阻，有着较低的导通损耗，最终达到有效减小器件面积、降低器件成本的目的。
技术研发人员：章文通;詹珍雅;肖倩倩;余洋;乔明
受保护的技术使用者：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
技术研发日：2017.03.30
技术公布日：2017.07.25