技术特征：
技术总结
本发明涉及一种倒装芯片封装的集成电路的电路修改方法，所述集成电路包括基板，以及倒装封装于所述基板的芯片，所述芯片与所述基板贴合的一面上具有待修改区域；所述电路修改方法包括如下步骤：(1)对所述芯片进行研磨；(2)采用聚焦离子束结合刻蚀辅助气体对研磨后的芯片进行第一刻蚀；(3)对刻蚀后的芯片进行成像，并根据成像所得电路图像确定所述待修改区域的位置；(4)利用聚焦离子束结合刻蚀辅助气体对第一刻蚀后的芯片进行第二刻蚀，暴露所述待修改区域；然后再利用聚焦离子束对所述待修改区域的电路进行修改，即可。该电路修改方法能够对采用倒装封装的芯片进行电路的修改，同时电路修改的效率高。
技术研发人员：林晓玲;陈立辉;章晓文;陈义强
受保护的技术使用者：中国电子产品可靠性与环境试验研究所
技术研发日：2017.04.07
技术公布日：2017.08.25