一种影像芯片的封装结构的制作方法

本发明涉及一种半导体封装技术，尤其涉及一种影像芯片晶圆级封装领域。

背景技术：

影像芯片晶圆级尺寸封装技术是对整片影像芯片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术。该技术主要是通过一块带有若干围堰的高透光性玻璃覆盖在光学电子器件上方来对晶圆芯片的光学电子器件进行保护。现有技术中，采用一带有若干围堰的高透光性玻璃进行晶圆芯片的封装，其中，围堰的形成方式为：在一高透光度的玻璃上旋涂一层光阻，再通过曝光显影方式形成若干围堰，然后把整片带有间隔件的高透光性玻璃与一同样大小的晶圆芯片通过有粘性的胶压合在一起，以实现对晶圆芯片上光学电子器件的保护。

现有技术中，针对尺寸较大的芯片，往往采取多层围堰提高对芯片的支撑，防止在后续制造过程中容易造成芯片受力开裂等问题，但是围堰存在间隙，在后续制程中，间隙处的芯片往往由于缺少支撑而出现失效，此外，由于影像芯片功能区位置与焊垫位置有高度差，围堰覆盖高度变化区域时，容易形成气泡，最终导致封装出现分层等失效。

技术实现要素：

为了解决上述问题，本发明提出一种影像芯片的封装结构，其通过在所述影像芯片正面与玻璃之间设置两层围堰，并在两层围堰之间形成凸块和/或搭桥结构，既能提高芯片的支撑强度，又能防止在芯片存在高度差的位置产生气泡。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种影像芯片的封装结构，包括至少一影像芯片，一玻璃，所述影像芯片具有正面和与其相对的背面，所述正面包含功能区与焊垫，所述功能区上覆盖有一层凸起的蓝膜，所述玻璃具有正面和与其相对的背面，所述玻璃正面含有若干围堰，所述围堰至少具有两层，围堰间有凸块和/或搭桥结构。所述影像芯片正面与所述玻璃正面围堰粘结，玻璃上围堰部分覆盖影像芯片的焊垫，第一围堰与第二围堰间的凸块和/或搭桥结构覆盖部分蓝膜。

有益效果

本发明提出一种影像芯片的封装结构，通过在两层围堰之间形成凸块和/或搭桥结构，提高芯片的支撑强度，并防止在芯片存在高度差的位置产生气泡，从而防止芯片分层失效，提高良率。

附图说明

图1为本发明影像芯片采用凸块围堰的剖面结构示意图；

图2为本发明影像芯片采用凸块围堰的a-a剖面结构示意图；

图3为本发明影像芯片采用搭桥结构的剖面结构示意图；

图4为本发明影像芯片采用搭桥结构的b-b剖面结构示意图；

100---影像芯片101---焊垫102---功能区

103---蓝膜2---玻璃301---第一围堰

302---第二围堰4---绝缘层5---线路层

6---保护层7---导电结构

具体实施方式

为使本发明能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。为方便说明，实施例附图的结构中各组成部分未按正常比例缩放，故不代表实施例中各结构的实际相对大小。

实施例一

如图1-2所示，本发明公开的一种晶圆级影像芯片的封装结构，它包括至少一影像芯片100，一玻璃2。所述影像芯片100具有正面和其相对的背面，所述正面含有功能区102和焊垫101，所述功能区102上覆盖有一层蓝膜103，所述玻璃2具有正面和与其相对的背面，所述玻璃2正面包含有第一围堰301与第二围堰302，所述第一围堰301与第二围堰302间有凸块，所述影像芯片100正面与所述玻璃2正面围堰粘结，玻璃2上第一围堰301部分覆盖影像芯片100的焊垫101，第一围堰与第二围堰间的凸块覆盖部分蓝膜103。在所述影像芯片100背面形成开口，所述开口位于焊垫101上，所述开口和所述焊垫101上形成有暴露焊垫101的绝缘层4、连接焊垫的导电线路层5、覆盖导电线路的保护层6，所述导电线路与所述焊垫电性连接。所述基板背面开口处形成有导电结构7。

优选的，所述蓝膜103厚度大于1μm。

优选的，所述第一围堰301与第二围堰302材料为光刻胶或干膜。

优选的，第一围堰301与第二围堰302的厚度大于蓝膜103的厚度。

优选地，所述凸块与第一围堰301和/或第二围堰302连接。

优选地，所述第二围堰302背对凸块的一侧与功能区102之间设有间隙。

实施例二

如图3-4所示，本发明公开的一种晶圆级影像芯片的封装结构，它包括至少一影像芯片100，一玻璃2。所述影像芯片100具有正面和其相对的背面，所述正面含有功能区102和焊垫101，所述功能区102上覆盖有一层蓝膜103，所述玻璃2具有正面和与其相对的背面，所述玻璃2正面包含有第一围堰301与第二围堰302，所述第一围堰301与第二围堰302间有搭桥结构，所述影像芯片100正面与所述玻璃2正面围堰粘结，玻璃2上第一围堰301部分覆盖影像芯片100的焊垫101，第一围堰301与第二围堰302间的搭桥结构覆盖部分蓝膜103。在所述影像芯片100背面形成开口，所述开口位于焊垫101上，所述开口和所述焊垫101上形成有暴露焊垫101的绝缘层4、连接焊垫的导电线路层5、覆盖导电线路的保护层6，所述导电线路与所述焊垫电性连接。所述基板背面开口处形成有导电结构7。

优选地，所述蓝膜103厚度大于1μm。

优选地，所述第一围堰301与第二围堰302材料为光刻胶或干膜。

优选地，第一围堰301与第二围堰302的厚度大于蓝膜103的厚度。

优选地，所述搭桥结构与第一围堰301和第二围堰302连接。

优选地，所述第二围堰302背对搭桥结构的一侧与功能区102之间设有间隙。

在其他实施例中，可以有两个或两个以上的影像芯片键合到一个玻璃上，形成双影像芯片封装结构，或者阵列影像芯片封装结构，以增加封装体的功能，提高影像芯片的拍摄质量。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种影像芯片的封装结构。本发明通过在所述影像芯片正面与玻璃之间设置两层围堰，并在两层围堰之间形成凸块和/或搭桥结构，既能提高芯片的支撑强度，又能防止在芯片存在高度差的位置产生气泡。通过本结构提高芯片的支撑强度，并防止在芯片存在高度差的位置产生气泡，从而防止芯片分层失效，提高良率。

技术研发人员：秦飞;唐涛;别晓锐;项敏;肖智轶
受保护的技术使用者：北京工业大学
技术研发日：2017.05.11
技术公布日：2017.09.08