阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置与流程

本发明涉及显示领域，具体地，涉及阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置。

背景技术：

近年来，随着半导体技术的发展，液晶显示器等显示装置被越来越广泛的运用于各类电子设备中。与此同时，用户对于显示装置的性能，例如，显示器件的分辨率以及对比度等参数的要求也逐渐提高。为满足上述要求，进一步提高显示装置的性能，低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)被越来越多的应用于显示面板中。低温多晶硅是一种具有高迁移率的半导体材料，利用其制备薄膜晶体管液晶显示屏(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，tft-lcd)的阵列基板，例如，形成阵列基板中薄膜晶管的有源层，可以降低薄膜晶体管的响应时间、降低阵列基板以及显示面板的能耗并且提高显示装置的分辨率以及对比度。

然而，目前的阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置，仍有待改进。

技术实现要素：

本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：

发明人发现，目前利用ltps为有源层材料的液晶显示器件，普遍存在阵列基板对于液晶层的控制能力不佳的问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于低温多晶硅材料的光敏感性较高，在背光穿过低温多晶硅形成的有源层时，低温多晶硅材料容易产生光生电子，进而影响ltps的tft特性，造成阈值电压(vth)不稳定以及关态电流(ioff)增加，器件的开关比下降。为了解决这一问题，目前采用ltps为有源层时，普遍需要在ltps底层制作一层遮光层，防止有源层在背光的照射下产光生电流。目前的遮光层普遍采用金属材料或硅。然而，采用硅形成遮光层时，因硅材料的特性，导致仍有30～70％左右的高波长可见光(红光、绿光)可以透过，从而造成ltps光生电子的产生。而采用金属材料制备遮光层时，虽然可以获得较好的遮光性能，然而金属材料容易导致遮光层处发生电荷累积，影响该阵列基板的电学性能。因此，如果可以在不影响阵列基板自身电学性能的前提下，提高遮光层的遮光效果，将大幅提高基于ltps的显示器件的显示性能。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括：遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上，所述遮光层的材料包括掺杂ge的非晶硅；第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述遮光层远离所述衬底的一侧；有源层，所述有源层设置在所述第一缓冲层远离所述遮光层的一侧。由此，可以避免在光照时产生光生漏电流，进而可以提高该阵列基板的功能。掺杂ge的非晶硅对背光的红外部分吸收变强，从而增强遮光层的遮光能力，进而可以进一步提高显示装置的性能。

根据本发明的实施例，所述有源层包括低温多晶硅。由此，可以进一步提高该阵列基板的性能。

根据本发明的实施例，该阵列基板进一步包括：源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述有源层远离所述第一缓冲层的一侧，所述源极以及所述漏极分别设置在沟道区的两侧；栅极，所述栅极设置在所述有源层远离所述遮光层的一侧，且所述栅极设置在所述沟道区远离所述第一缓冲层的一侧。由此，可以进一步提高该阵列基板的性能。

根据本发明的实施例，基于所述遮光层的总质量，ge的含量为0.5-5wt％。由此，可以进一步提高该遮光层的遮光的性能。

根据本发明的实施例，该阵列基板进一步包括：第二缓冲层，所述第二缓冲层设置在所述衬底以及所述薄膜晶体管之间。由此，可以进一步提高该阵列基板的性能。

在本发明的另一个方面，本发明提出了一种显示面板，该显示面板包括前面所述的阵列基板。由此，该显示面板具有前面所述的阵列基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。

在本发明的又一个方面，本发明提出了一种显示装置，该显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置具有前面所述的显示面板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。

在本发明的又一个方面，本发明提出了一种制备阵列基板的方法，该方法包括：在衬底上设置薄膜晶体管，所述薄膜晶体管是通过以下步骤设置的：在所述衬底上设置遮光层，所述遮光层材料包括掺杂ge的非晶硅；在所述遮光层远离所述衬底的一侧设置第一缓冲层；在所述第一缓冲层远离所述遮光层的一侧设置有源层。该方法操作简单，生产成本低廉，且获得的阵列基板的薄膜晶体管可以避免在背光照射下产生光生漏电流，从而可以提高该阵列基板的功能。掺杂ge的非晶硅对背光的红外部分吸收变强，从而可以进一步增强遮光层的遮光能力，进而可以进一步提高该显示装置的性能。

根据本发明的实施例，所述有源层包括低温多晶硅，所述有源层是通过以下步骤形成的：通过化学气相沉积，形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行激光退火处理，以便形成所述有源层。由此，可以简便地获得有源层，进一步提高该阵列基板的性能。

根据本发明的实施例，基于所述遮光层的总质量，ge的含量为0.5-5wt％。ge掺杂的非晶硅对背光的红外部分吸收变强，从而可以进一步增强遮光层的遮光能力，进而可以进一步提高该显示装置的性能。

根据本发明的实施例，在设置所述薄膜晶体管之前，进一步包括：在所述衬底上设置第二缓冲层。由此，可以简便地获得第二缓冲层，进一步提高该阵列基板的性能。

根据本发明的实施例，该方法包括：通过化学气相沉积，在所述衬底上依次形成第二缓冲层、ge掺杂非晶硅层、氧化硅层以及非晶硅层；对所述非晶硅层进行激光退火处理，以便将所述非晶硅层转化为多晶硅层；对所述ge掺杂非晶硅层、所述氧化硅层以及所述多晶硅层进行刻蚀处理，以便形成所述遮光层、第一缓冲层和所述有源层，其中，所述ge掺杂非晶硅层是通过在所述化学气相沉积过程中，添加ge源气体而形成的。由此，可以在进行化学气相沉积的同时，将ge掺杂进入非晶硅层，从而可以进一步简化该方法的操作步骤。

根据本发明的实施例，该方法包括：通过化学气相沉积，在所述衬底上依次形成第二缓冲层、第一非晶硅层、氧化硅层以及第二非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行离子注入处理，以便形成ge掺杂非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行激光退火处理，以便形成多晶硅层；对所述ge掺杂非晶硅层、所述氧化硅层以及所述多晶硅层进行刻蚀处理，以便形成所述遮光层、第一缓冲层和所述有源层。在形成非晶硅层后再进行离子注入实现ge的掺杂，可以使得掺杂的ge更加均匀，从而可以进一步提高该阵列基板的性能。

根据本发明的实施例，该方法进一步包括：在所述有源层远离所述第一缓冲层的一侧设置源极和漏极，所述源极和所述漏极分别设置在沟道区的两侧；以及在所述有源层远离所述遮光层的一侧设置栅极，所述栅极设置在所述沟道区远离所述第一缓冲层的一侧。由此，可以进一步提高利用该方法制备的阵列基板的性能。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1显示了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构示意图；

图2显示了根据本发明另一个实施例的阵列基板的结构示意图；

图3显示了根据本发明一个实施例阵的显示面板的结构示意图；

图4显示了根据本发明一个实施例阵的显示装置的结构示意图；

图5显示了根据本发明一个实施例阵的制备阵列基板的方法的部分流程示意图；

图6显示了根据本发明一个实施例阵的制备阵列基板的方法的流程示意图；

图7a以及图7b显示了根据本发明一个实施例阵的制备阵列基板的方法的流程示意图；以及

图8显示了根据本发明一个实施例阵的制备阵列基板的方法的部分流程示意图。

附图标记说明：

100：衬底；200：薄膜晶体管；210：遮光层；211：ge掺杂非晶硅层；212：第一非晶硅层；220：有源层；221：非晶硅层；222：多晶硅层；223：第二非晶硅层；230：栅极；241：源极；242：漏极；250：第一缓冲层；251：氧化硅层；300：第二缓冲层；400：栅绝缘层；500：层间介质层；1000：显示面板；1100：显示装置。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种阵列基板，参考图1，该阵列基板包括：衬底100、薄膜晶体管200。根据本发明的实施例，薄膜晶体管200设置在衬底100上。上述的薄膜晶体管包括：遮光层210、第一缓冲层250、有源层220。根据本发明的实施例，遮光层210设置在衬底100上，遮光层210的材料包括掺杂ge(ge指的是金属锗)的非晶硅。第一缓冲层250设置在遮光层210远离衬底100的一侧。有源层220设置在第一缓冲层250远离遮光层210的一侧。由此，可以避免在光照时产生光生漏电流，进而可以提高该阵列基板的功能。需要说明的是，该薄膜晶体管200还可以进一步包括源极、漏极以及栅极(图中未示出)。在本发明中，栅极、源极和漏极的结构的组成材料、具体形状、厚度均不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行调节。例如，参考图2，该薄膜晶体管200可以为顶栅式薄膜晶体管。也即是说，栅极230可以设置在该薄膜晶体管200的顶部，与有源层220中的沟道区相对应，源极241以及漏极242分别设置在沟道区的两侧。

下面根据本发明的具体实施例，对该阵列基板的各个部件进行详细描述：

根据本发明的实施例，形成衬底100的具体材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择，只要该材料具有一定的机械强度，可以为构成该阵列基板的其他结构提供足够的支撑即可。

根据本发明的实施例，构成有源层220的材料不受特别限制，只要能够实现薄膜晶体管的使用功能即可，本领域技术人员可以根据实际使用的需求进行设计。例如，根据本发明的实施例，有源层220可以是由多晶硅形成的。更具体地，可以采用低温多晶硅形成有源层220。采用低温多晶硅形成有源层220具有以下优点的至少之一：低温多晶硅具有较高的电子迁移率。低温多晶硅技术在元件小型化、提高面板开口率、提升画面品质与清晰度上具有显著的优势，与传统的非晶硅材料形成的薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)相比，低温多晶硅材料在制备薄膜晶体管时(采用低温多晶硅形成有源层220)可以具有更快的反应速度，从而有利于提高薄膜晶体管对于液晶分子的控制能力，并可以缩小薄膜电路的尺寸。综上所述，采用低温多晶硅形成有源层220，一方面可以使得形成的薄膜晶体管小型化，较小的薄膜电路有利于提高液晶显示器的开口率，因此在背光模块输出功率不变的前提下，可以获得更好的显示亮度以及更好的色彩输出。另一方面也可以降低薄膜电路的功耗。由此，可以利用低温多晶硅材料的优异性能，进一步提高该阵列基板的性能。

根据本发明的实施例，如前所述，由于多晶硅材料光敏感性较高，因此，当采多晶硅形成有源层220时，需要设置遮光层210，以防止有源层220在背光照射下产生光生漏电流。特别是采用低温多晶硅形成有源层220时，有源层220在光照下的光生漏电流为非晶硅形成的有源层的十至百倍。而本领域技术人员能够理解的是，在液晶显示装置中，背光模组产生的光需要穿透阵列基板，照射至液晶层并发生偏转，最终由彩膜基板一侧射出，以便来实现显示装置的使用功能。因此，阵列基板的有源层220在使用过程中，必然会暴露在光照条件下。因此，如无法有效控制光生漏电流，则阵列基板无法有效控制液晶分子的偏转，进而影响显示。根据本发明的实施例，通过在衬底100以及有源层220之间设置遮光层210，可以使得背光模组产生的背光，首先穿透衬底100，照射至遮光层210上。由此，可以避免该阵列基板的有源层220在使用过程中暴露在背光环境中，从而缓解光生漏电流的产生。

根据本发明的实施例，遮光层210可以是由非晶硅形成的。发明人经过大量实验发现，与多晶硅相比，非晶硅对于光照的敏感程度大幅降低。也即是说，在光照条件下，非晶硅材料不会产生光生载流子。并且，非晶硅材料对于可见光具有较好的吸收能力，因此可以用于形成根据本发明实施例的阵列基板的遮光层210。并且，采用非晶硅形成的遮光层210与采用金属材料形成遮光层相比，非晶硅不会造成电荷的累积，从而可以更加广泛的应用于阵列基板上，而不必担心会影响薄膜晶体管的电学性能。

根据本发明的实施例，为了进一步提高遮光层210的遮光效果，遮光层210可以是由ge掺杂的非晶硅形成的。发明人经过深入研究发现，在非晶硅中掺杂ge原子后，可以提高对高波长可见光(红光、绿光)的吸收。由此，可以进一步提高遮光层的遮光效果。

发明人发现，虽然ge(4s²4p²)的价电子数与si(3s²3p²)的价电子数目相同，在非晶硅中掺杂进ge之后，使ge占据多晶硅中si原子的位置，进行替位式掺杂，但由于ge的电负性较si小，导致ge替代si位时导带底向低能方向移动，由于价带顶位置不变(si决定)，所以禁带宽度变小。当ge替代si原子的数目增加时，导带底位置逐渐由si的3p态电子决定转变为ge的4p态电子决定。替代的数目越多，变化越明显，禁带宽度越小。在非晶硅中掺杂ge后，其吸收边及吸收峰向低能方向移动，即发生红移，由此可以增强红光区域的吸收。在另一方面，ge的原子半径为0.152nm，大于si的晶格常数0.146nm，ge的掺杂使得晶胞的晶格常数及体积都有所增大；同时由于ge的电负性相对si较弱，在置换si原子后形成共价键时大部分电子局域在si原子上，使得晶格常数增大。所以，进行ge掺杂后表面粗糙度增加，从而增强了光的散射，可以进一步减少到达ltps有源层的光强。综上所述，ge掺杂的非晶硅对背光的红外部分吸收变强，增强了光的散射，从而增强遮光层的遮光能力，进而可以进一步提高显示装置的性能。根据本发明的实施例，基于遮光层210的总质量，ge的含量为0.5-5wt％。由此，可以进一步提高该遮光层的遮光的性能。

根据本发明的实施例，遮光层210宽度大于上部有源层220的宽度。也即是说，有源层220靠近遮光层220一侧的表面，全部被遮光层210覆盖。由此，可以提高遮光层210的遮光性能，进一步提高该阵列基板的性能。

根据本发明的实施例，当遮光层210由非晶硅形成，有源层220由多晶硅形成时，为了防止遮光层210以及有源层220直接接触造成两层结构之间互相影响，需要在遮光层210以及有源层220之间设置一层缓冲结构。根据本发明的实施例，可以在遮光层210以及有源层220之间设置第一缓冲层250。根据本发明的实施例，形成第一缓冲层250的具体材料不受特别限制，只要可以防止遮光层210中的原子，进入第一缓冲层250上的结构(如有源层220)中即可，例如，第一缓冲层250可以为sio2。

需要说明的是，根据本发明实施例的薄膜晶体管200，除去具有前面描述的结构之外，还可以具有诸如绝缘层、介质层等结构，以便实现电极(如栅极230、源极241和漏极242)和有源层220之间的绝缘，以及源极241和漏极242之间的绝缘。根据本发明的具体实施例，参考图2，该阵列基板进一步包括：第二缓冲层300。根据本发明的具体实施例，第二缓冲层300设置在衬底100以及薄膜晶体管200(如遮光层210)之间。由此，可以进一步提高该阵列基板的性能。根据本发明的实施例，形成第二缓冲层300的具体材料不受特别限制，只要可以防止下方的衬底中的原子，进入第二缓冲层300上的结构中即可，例如，可以为sinx。由此，可以避免衬底100(如玻璃)中的原子，进入薄膜晶体管(如遮光层210)中，影响薄膜晶体管的电学性能。根据本发明的具体实施例，该阵列基板还可以进一步包括栅绝缘层400以及层间介质层500。根据本发明的实施例，形成栅绝缘层400以及层间介质层500的具体材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要，选择适当的材料形成栅绝缘层400以及层间介质层500。例如，栅绝缘层400可以为sinx。层间介质层500可以为sinx。

在本发明的另一个方面，参考图3，本发明提出了一种显示面板1000，该显示面板1000包括前面的阵列基板。由此，该显示面板1000具有前面描述的阵列基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示面板具有阵列基板光生漏电流低，对液晶分子控制能力较好等优点的至少之一。

在本发明的又一个方面，参考图4，本发明提出了一种显示装置1100，该显示装置1100包括前面描述的显示面板1000。由此，该显示装置1100具有前面描述的显示面板1000所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有阵列基板光生漏电流低，对液晶分子控制能力较好等优点的至少之一。

在本发明的又一个方面，本发明提出了一种制备阵列基板的方法。根据本发明的实施例，该方法制备的阵列基板，可以具有与前面描述的阵列基板相同的特征以及优点。根据本发明的实施例，该方法包括：在衬底上设置薄膜晶体管。根据本发明的具体实施例，参考图5，该薄膜晶体管可以是通过以下步骤设置的：

s100：设置遮光层

根据本发明的实施例，在该步骤中，在衬底上设置遮光层，遮光层是由非晶硅形成的。根据本发明的实施例，该步骤中形成的遮光层，可以具有与前面描述的阵列基板中的遮光层相同的特征以及优点。为了进一步提高该阵列基板的性能，根据本发明的实施例，遮光层可以是由ge掺杂的非晶硅形成的。根据本发明的实施例，ge掺杂的具体含量不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需求进行选择。例如，根据本发明的具体实施例，基于所述遮光层的总质量，ge的含量为0.5-5wt％。ge掺杂的非晶硅对背光的红外部分吸收变强，从而可以进一步增强遮光层的遮光能力，进而可以进一步提高该显示装置的性能。发明人经过大量实验发现，当遮光层中ge的含量过低时，无法有效改善非晶硅对于高波长可见光的吸收；而当ge掺杂量过高时，一方面会增加生产成本，另一方面，将显著改变遮光层的电学、光学性能，从而对薄膜晶体管的电学性能造成负面影响。

为了进一步提高利用该方法制备的阵列基板的性能，参考图6，该方法进一步包括：

s10：设置第二缓冲层

根据本发明的实施例，在该步骤中，在设置薄膜晶体管之前，也就是说在设置遮光层之前，可以首先在衬底上设置第二缓冲层。由此，可以防止衬底中的原子，进入遮光层中，进一步提高该阵列基板的性能。根据本发明的实施例，形成第二缓冲层的具体材料不受特别限制，只要可以防止下方的衬底中的原子，进入遮光层中即可，例如，可以为sinx。由此，可以避免衬底(如玻璃)中的原子，进入薄膜晶体管(如遮光层)中，影响薄膜晶体管的电学性能。

s200：设置第一缓冲层

根据本发明的实施例，为了防止后续设置的有源层(例如可以由多晶硅形成)，与非晶硅形成的遮光层之间互相影响，可以在完成遮光层的设置之后，设置有源层之前，预先在遮光层上设置第一缓冲层。由此，可以防止遮光层中的原子，进入有源层中。根据本发明的实施例，形成第一缓冲层的具体材料不受特别限制，只要可以起到前面描述的缓冲作用即可，例如，根据本发明的具体实施例，第一缓冲层可以是由sio2形成的。由此，可以进一步提高该阵列基板的性能。

s300：设置有源层

根据本发明的实施例，在该步骤中，在第一缓冲层远离遮光层的一侧设置有源层。根据本发明的实施例，该步骤中设置的有源层可以具有与前面描述的阵列基板的有源层相同的特征以及优点。例如，根据本发明的具体实施例，有源层可以包括低温多晶硅。关于采用多晶硅，特别是低温多晶硅形成有源层的优点，前面已经进行了详细的描述，在此不再赘述。根据本发明的实施例，形成有源层的具体步骤不受特别限制，本领域技术人员可采用熟悉的方法，形成有源层。例如，根据本发明的具体实施例，有源层可以是通过以下步骤形成的：首先，可以通过化学气相沉积，形成非晶硅层。随后，对非晶硅层进行激光退火处理，将非晶硅转化为多晶硅，从而形成有源层。由此，可以简便地获得有源层，进一步提高该阵列基板的性能。

s400：设置栅极

根据本发明的实施例，在该步骤中，设置栅极，以便实现薄膜晶体管的电学功能。根据本发明的实施例，栅极的具体位置以及设置方式不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。例如，栅极可以设置在该薄膜晶体管的顶部，与有源层中的沟道区相对应，源极以及漏极分别设置在沟道区的两侧。也即是说，在该步骤中形成的栅极和有源层对应设置。换句话说，该步骤中形成的栅极，可以通过施加栅电压，对有源层中的半导体材料(如低温多晶硅)进行控制。根据本发明的实施例，栅极的结构的组成材料、具体形状、厚度均不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行调节。

s500：设置源极和漏极

根据本发明的实施例，在该步骤中，形成源极以及漏极，以便实现薄膜晶体管的电学功能。具体的，源极和漏极可以设置在有源层上。根据本发明的实施例，源极和漏极的结构的组成材料、具体形状、厚度均不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行调节。

下面根据本发明的具体实施例，对该方法的具体步骤以及详细操作进行描述：

根据本发明的实施例，参考图7a，遮光层和有源层可以是通过以下步骤形成的：参考图7a中的(a)，首先通过化学气相沉积，在衬底上依次形成第二缓冲层300、ge掺杂非晶硅层211、氧化硅层251以及非晶硅层221。ge掺杂非晶硅层211可以通过后续刻蚀处理，形成遮光层。ge掺杂非晶硅层211可以是通过在化学气相沉积过程中，添加ge源气体而形成的，由此，可以利用一次化学气相沉积，形成非晶硅的沉积，以及ge的掺杂，从而可以进一步简化该方法的操作步骤。根据本发明的实施例，添加的ge源气体可以为geh4气体。由此，可以简便地将ge掺杂进入非晶硅中，使ge替代si原子的位置，从而形成ge掺杂的非晶硅层211。发明人发现，当遮光层由ge掺杂的非晶硅形成时，可以进一步提高遮光层对背光的吸收效果。具体的，当背光射入遮光层之后，出射光中长波长的光(红、绿)的透过率降低，根据ge掺杂量的不同，遮光层对长波长光的透光率，可以下降至10-50％(无ge掺杂时约为30％-70％)。非晶硅层221可以用于形成有源层。具体的，参考图7a中的(b)，对非晶硅层221进行激光退火处理，以便将非晶硅层221转化为多晶硅层222。随后，参考图7a中的(c)，对ge掺杂非晶硅层211、氧化硅层251以及多晶硅层222进行刻蚀处理，从而形成遮光层210、第一缓冲层250和有源层220。由于有源层是通过将非晶硅转化为多晶硅而获得的，因此，如有源层以及遮光层之间没有第一缓冲层的结构，则在进行激光退火处理时，用于形成遮光层的非晶硅，也将被转化为多晶硅，而失去遮光的功能。根据本发明的实施例，刻蚀处理的具体方式不受特别限制，例如可以为掩膜的刻蚀工艺。根据本发明的实施例，刻蚀后，遮光层210宽度可以大于上部有源层220的宽度，由此，可以进一步提高遮光层210的遮光效果。形成遮光层和有源层之后，参考图7a中的(d)，可以进行栅绝缘层400的沉积工艺。根据本发明的实施例，沉积厚度可以为沉积材料为sinx。随后，参考图7b中的(e)，进行栅极230的沉积。形成栅极230之后，参考图7b中的(f)，可以进行层间介质层的沉积以及图案化(孔洞形成)工艺。最后，参考图7b中的(g)，进行源极241与漏极242的沉积及图案化工艺，以便获得根据本发明实施例的阵列基板。

根据本发明的实施例，参考图8，遮光层和有源层可以是通过以下步骤形成的：参考图8中的(a)，首先通过化学气相沉积，在衬底上依次形成第二缓冲层300、第一非晶硅层212、氧化硅层251以及第二非晶硅层223。第一非晶硅层212可以通过离子注入处理，形成ge掺杂非晶硅层211。具体的，参考图8中的(b)，对第一非晶硅层212进行离子注入处理，以便形成ge掺杂非晶硅层211。在形成第一非晶硅层212以及第二非晶硅层223后，再进行离子注入实现ge的掺杂，可以使得掺杂的ge更加均匀，从而可以进一步提高该阵列基板的性能。由于ge的原子量为72.59远高于p/b的31/18，所以在控制离子注入时较容易，并且可以做到精确的注入到第一非晶硅层212中，从而形成ge掺杂非晶硅层211。第二非晶硅层223可以通过激光退火处理，形成多晶硅层222。具体的，参考图8中的(c)，对第二非晶硅层223进行激光退火处理，以便形成多晶硅层222。随后，参考图8中的(d)，对ge掺杂非晶硅层211、氧化硅层251以及多晶硅层222进行刻蚀处理，从而形成遮光层210、第一缓冲层250和有源层220。根据本发明的实施例，刻蚀处理的具体方式不受特别限制，例如可以为掩膜的刻蚀工艺。根据本发明的实施例，刻蚀后，遮光层210宽度可以大于上部有源层220的宽度，由此，可以进一步提高遮光层210的遮光效果。形成遮光层和有源层之后，参考图8中的(e)，可以进行栅绝缘层400的沉积工艺。根据本发明的实施例，沉积厚度可以为沉积材料为sinx。根据本发明的实施例，形成栅极230之后，后续步骤中进行栅极230的沉积、进行层间介质层的沉积以及图案化(孔洞形成)工艺、进行源极241与漏极242的沉积及图案化工艺，从而获得根据本发明实施例的阵列基板，可以具有与前面图7b中描述的方法相同的特征以及优点，在此不再赘述。

在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。