技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途，其在含有氧化硅层的硅片基底上用电子束蒸发沉积图形化ZnS薄膜，然后，将图形化ZnS薄膜在空气中500‑510 ℃氧化2 ‑2.5h，使其变成图形化的ZnO薄膜，将其作为制备竖直ZnO纳米棒阵列的种子层；在所得的图形化的ZnO薄膜种子层上使用光刻技术固定电极图形，在种子层上沉积Cr和Au作为源漏极，将所得带有电极的图形化ZnO种子层的基底，正面朝下，悬浮在六水合硝酸锌和六次甲基四胺的混合制备的生长液中，加热，保温适当时间后，所得样品用去离子水冲洗，即为光探测器。
技术研发人员：王敏;马杨;许智豪;吴从军;徐志勇;杨金华;贾良鹏
受保护的技术使用者：合肥工业大学
技术研发日：2017.05.27
技术公布日：2017.10.20