一种DAF芯片的制备方法与流程

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种daf芯片的制备方法。

背景技术：

晶圆切割(dicing)，也叫划片(diesawing)，将做好芯片的整片晶圆通过切割工艺进行分割，形成若干个独立的单颗芯片(die)，为后续工序做准备。它是半导体芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序，在晶圆制造中属于后道工序。目前，常用的切割工艺有刀片切割(bladesaw)和激光切割。激光切割利用激光进行切割，在切割过程中晶圆不易破碎，切割后的芯片光滑平整，但是所需的激光切割机价格昂贵，成本较高。刀片切割利用划片系统进行切割，在晶圆切割市场仍然占据较大份额。

目前，晶圆切割主要是晶圆粘接在蓝膜或者紫外线(ultraviolet，uv)膜等胶膜上，这种胶膜在切割时具有高粘着力，保证芯片不飞散、不脱落，减少切割中所产生的晶圆崩碎，保持晶圆的完整，同时确保晶圆在正常传送过程中芯片不会有位移、掉落的情形，在切割完成后对胶膜进行特定处理，粘着力降低，便于芯片与胶膜的分离。

芯片正装贴片一般采用2种方式，epoxy贴片和daf(dieattachfilm)贴片。epoxy贴片将去除胶膜的芯片粘贴于覆盖epoxy结合材料的基片上；daf贴片由于芯片背面具有daf，可以直接与基片进行粘贴，不需要在基片上涂覆epoxy结合材料。

贴uv胶膜或者nonuv胶膜的晶圆在晶圆切割后，形成一颗颗单独的芯片，芯片正装贴片时还需要在芯片和基片之间涂覆epoxy结合材料，结合材料的涂覆面积通常大于芯片本身的面积，导致封装尺寸较大。由于daf贴片使用时非常便捷，同时还能降低封装尺寸，因此，还希望将切割后的芯片采用daf方式进行贴片，需将uv胶带或者nonuv胶带揭掉，再重新贴daf胶膜，但此时芯片已经完全分开，与整面晶圆的方式加工相比，将芯片再按照切割前进行排布，很难达到切割前的排布精度，因此即使将上述切割后的芯片放置在daf胶膜上，也无法使用传统的bladesaw工艺将其切开，因为传统的bladesaw切割方式为刀片切割，刀片切割的方式可以整行或整列切割，但是在每行切割时无法随时调整切割位置，由于切割后的芯片放置在daf胶膜上无法保持整行整列的对齐精度，因此刀片切割后芯片的成品率很低，对芯片造成了浪费。目前可采用的切割方式是激光切割，由于激光切割可以精确控制切割的位置，但是激光切割机价格高昂，成本较高。

技术实现要素：

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的已切割芯片转化成daf芯片成本高的缺陷。

为此，本发明提供一种daf芯片的制备方法，包括以下步骤：

将切割后的若干芯片放置于daf膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；

根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；

对所述daf膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割。

可选地，所述对所述daf膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，采用刀片切割的方式进行切割。

可选地，所述将切割后的若干芯片放置于daf膜上的步骤中，相邻的两个芯片在横向和纵向上的间隙大于切割刀片的厚度。

可选地，所述将切割后的若干芯片放置于daf膜上的步骤中，所述芯片排列于daf膜直径所在直线上，芯片的贴片方向与所述直径方向呈45度角。

可选地，所述对所述daf膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，所述刀片切割的切割速度为30-90mm/s。

可选地，所述对所述daf膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，所述刀片切割的切割速度为70mm/s。

可选地，所述将切割后的若干芯片放置于daf膜上的步骤之前，还包括将所述daf膜固定于具有收纳及固定晶圆作用的框架上。

可选地，所述对所述daf膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤之前，还包括对所述daf膜进行烘烤处理，使所述芯片和所述daf膜上的daf完全贴附。

本发明还提供一种使用上述daf芯片的制备方法制备的芯片。

本发明技术方案，具有如下优点：

本发明提供的daf芯片的制备方法，包括：将切割后的若干芯片放置于daf膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；对daf膜按照横向切割线和纵向切割线进行切割。该种制备方法将切割后的芯片以任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交的方式放置于daf膜上，之后根据每个芯片的位置确定切割线，按照切割线对芯片进行切割，这样可以采用刀片切割方式进行切割，降低生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中daf芯片的制备方法的一个具体示例的流程图；

图2为本发明实施例中daf芯片的制备方法的一个具体优化示例的流程图；

图3-图9为本发明实施例中daf芯片的制备方法的具体步骤的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

实施例

本实施例提供一种daf芯片的制备方法，用于将切割后的芯片采用daf方式进行贴片后再重新切割，具体流程图如图1所示。作为本实施例的一个优选方案的具体流程图，如图2所示，包括如下步骤：

s00：将daf膜10固定于具有收纳及固定晶圆作用的框架20上，daf膜10包括胶膜11和位于胶膜11上的daf12，如图3所示。一片晶圆需要经过复杂的工艺制作而成，之后还需要对晶圆进行多道工序的处理以得到最终产品，刚制作好的晶圆的厚度通常为几百微米，如果不对晶圆进行保护在运输或者加工过程中对晶圆造成划伤、缺口等损伤，则会对下一道工序影响非常的大，甚至造成整片晶圆的报废，所以在晶圆切割的过程中对晶圆的保护显得格外的重要，晶圆框架可以避免晶圆随意滑动，避免胶带的皱摺及晶粒之间相互碰撞，能够有效地保护晶圆的完整度，同时便于周转搬运。

s01：将切割后的若干芯片30放置于daf膜10上，其中任意两个芯片30在横向和纵向延伸方向上均不相交。晶圆切割过程中需要将晶圆固定在框架20上，一片晶圆上包括若干个芯片30，晶圆切割完成之后，此时的芯片30的背面没有daf，如图4所示。将切割后的芯片30取出按照任意两个芯片30在横向和纵向延伸方向上均不相交的方式放置于daf膜上，如图5所示，这样可以保证后续对每个芯片进行刀片切割时其它芯片不会受到损伤，避免对芯片造成浪费，同时也便于对切割过程的控制。在本实施例中芯片排列于daf膜直径所在直线上，芯片的贴片方向与所述直径方向呈45度角，如图5所示，贴放于直径方向上能够放置更多的芯片，贴片方向与直径方向呈45度角，为了便于贴放操作，如果是机器贴片，通过设置角度使芯片的方向能够很好的保持一致，如果是人工贴片，贴放的误差会相对较大，固定特殊的角度尽可能保证贴片方向的一致性，当然，在其它可实施例中，芯片也可以排列于其它位置，如排列于直径外所在的直线上，如图6所示，也可以设置其它贴放方向，只要能保证贴放后任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交即可，根据需要合理设置即可。芯片放置的横向和纵向方向的间隙与贴片精度和采用的切割方式有关。贴片的精度高，则间隙可以设置的较小，这样可以贴放更多的芯片，但精度控制成本会增加，对后续的切割也相应地提出了更高的要求；贴片精度低时，则间隙便会大，精度控制成本低，后续切割的可控性及可操作性更高，综合考虑多方面的影响因素后根据需求合理选择即可。不同的切割方式对间隙的要求也不同，如激光切割可以达到很高的精度控制，间隙可以适当的减小；采用刀片切割时，由于刀片具有一定的厚度，为了便于切割，间隙便会较大，间隙的大小根据需求合理选择即可。此外，相邻两个芯片之间的横向和/或纵向的间距可以设置成一致，也可以设置成不一致，当设置成一致时，后续切割过程中不需要对切割进行过多的控制，可以一次设置切割步距便可完成整个切割过程，可控性更高，操作更便捷，根据需要合理设置即可。在本实施例中，由于采用刀片切割方式，相邻的两个芯片在横向和纵向上的间隙大于切割刀片的厚度，保证刀片切割过程不会对芯片造成损伤，同时便于切割操作。

s02：根据每个芯片的位置确定切割线40，切割线包括横向切割线41和纵向切割线42，如图7所示，本图中所示的切割线并不是真实存在的线，而是一种切割位置的示意，刀片是根据该切割的线所在位置进行切割的。在本实施例中，以每个芯片的四个边缘分别作为切割线，这样切割后得到的芯片尺寸小，与基片进行粘贴时所占面积小，最终得到的产品封装尺寸小，当然，在其它可实施例中，也可以选择在间隙的其它位置进行切割，如在间隙的中间位置进行切割，根据需要合理设置即可。

s03：对daf膜10进行烘烤处理，使芯片30和daf膜10上的daf12完全贴附，增加芯片和daf的粘合程度，保证芯片在后续切割过程中的完整性，同时使后续贴片操作更加简单便捷、可靠性高。

s04：对daf膜10按照横向切割线41和纵向切割线42进行切割，切割方式可以是激光切割，也可以是刀片切割，在本实施例中，采用刀片50切割的方式进行切割，切割过程的剖视图如图8所示，由于切割过程无需对晶圆进行切割，只需对daf膜10进行切割，切割后便可得到贴有daf的芯片30，因此，刀片切割的切割速度可以比切割晶圆时的速度高，不同的切割刀片的切割速度也不同，较高的切割速度可以节省时间、减低生产成本，在本实施例中，切割速度设置为30-90mm/s，优选值为70mm/s，当然，在其它可实施例中也可将切割速度设置为其它值，根据需要合理选择即可。daf膜的切割深度既要保证在整个切割过程中芯片不飞散、不移位，又要保证切割后芯片能够与胶膜11分离，切割深度小，对刀片的损伤程度小，切割速度可以更快，但是过小的切割深度对切割的要求会更高，在本实施例中，切割深度如图8所示，当然，在其它可实施例中，切割深度也可以设置为仅将daf膜上的daf切断(通过多次切割实验得出切割设置参数，将参数应用于切割过程中)，如图9所示，根据需要合理设置即可。

上述daf芯片的制备方法，包括：将切割后的若干芯片放置于daf膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；对daf膜按照横向切割线和纵向切割线进行切割。该种制备方法将切割后的芯片以任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交的方式放置于daf膜上，之后根据每个芯片的位置确定切割线，按照切割线对芯片进行切割，这样可以采用刀片切割方式进行切割，一方面可实现不投入设备即可实现类似于dbg(dicingbeforegrinding)daf晶圆的切割，另一方面也可以实现同一片晶圆采用epoxy贴片和daf贴片2种贴片方式，减少晶圆投入，降低成本。

此外，本实施例中还提供一种芯片，采用上述方法制备而成，通过上述方法制备出的芯片，可以直接粘贴于基片上，操作更加便捷，具有较小的封装尺寸。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。