技术特征：
技术总结
本发明公开了一种超级结的沟槽填充方法，包括如下步骤：步骤一、提供表面形成有第一导电类型外延层的半导体晶圆。步骤二、进行光刻刻蚀形成多个所述沟槽。步骤三、将半导体晶圆放置到外延生长设备的反应腔中。步骤四、在生长气体流量均匀分布的条件下增加边缘区域的刻蚀气体流量并以此气体条件进行外延生长形成第二导电类型外延层将各沟槽完全填充，并列形成所述超级结。本发明能提高面内均匀性，减少缺陷产生并提高器件性能。
技术研发人员：伍洲
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2017.06.30
技术公布日：2017.10.20