一种沟槽型功率器件及其制作方法与流程

【技术领域】

本发明涉及半导体芯片制作技术领域，特别地，涉及一种沟槽型功率器件及其制作方法。

背景技术：

沟槽型垂直双扩散场效应晶体管(vdmos)的漏源两极分别在器件的两侧，使电流在器件内部垂直流通，其可以有效增加电流密度,改善额定电流，并且单位面积的导通电阻也较小，是一种用途非常广泛的功率器件。

超结金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的是利用复合缓冲层里面交替的n柱和p柱进行电荷补偿，使p区和n区相互耗尽,形成理想的平顶电场分布和均匀的电势分布，从而达到提高击穿电压并降低导通电阻的目的。如果超结mosfet要达到理想的效果，其前提条件就是电荷平衡。因此，超结技术从诞生开始其制造工艺就是围绕如何制造电荷平衡的n柱和p柱进行的。目前常用的超结mosfet使用的制造技术主要有以下几种：多次外延和注入技术、深槽刻蚀和填槽技术。

功率器件的最重要性能就是阻断高压，器件经过设计可以在pn结、金属-半导体接触界面、mos界面的耗尽层上承受高压，随着外加电压的增大，耗尽层电场强度也会增大，最终超过材料极限出现雪崩击穿。在器件边缘耗尽区电场曲率增大，会导致电场强度比管芯内部大，在电压升高的过程中管芯边缘会早于管芯内部出现雪崩击穿，为了最大化器件的性能，需要在器件边缘设计分压结构，减少有源区(元胞区)边缘pn结的曲率，使耗尽层横向延伸，增强水平方向的耐压能力，使器件的边缘和内部同时发生击穿。截止环在分压结构和划片槽区域之间，分布在芯片的最外围，在高可靠性要求和模块封装的器件上是不可缺少的。

场限环技术是目前功率器件中最为普遍采用的分压结构之一。主结与场限环的间距、结深、环的宽度及环的个数都会影响到击穿电压的大小。如果间距选取的合适,使得主结与环结的电场强度同时达到临界击穿场强，则可以获得最高的击穿电压。一般情况下击穿电压随着环的个数的增加而增大,但并非线性增加。环的个数越多,占用芯片面积越大,设计时应考虑环个数与击穿电压大小。

目前超结器件常用的场限环结构的缺点是表面氧化层的界面电荷会对器件表面电势产生很大影响，影响分压效果，使击穿电压降低。同时p柱区域表面经过器件制造过程中多次热过程后离子浓度会降低，影响表面击穿强度，降低器件击穿电压，影响器件性能。

有鉴于此，有必要提供一种沟槽型功率器件及其制作方法，以解决现有技术存在的上述问题。

技术实现要素：

本发明的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种沟槽型功率器件及其制作方法。

本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法，包括：在第一n型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行p型注入，并在所述第一n型外延层形成p型埋层，其中所述p型埋层包括位于分压区域的第一p型埋层和位于场限环区域的至少一个第二p型埋层；在所述第一n型外延层表面形成第二n型外延层，其中所述第二n型外延层覆盖所述第一p型埋层和所述第二p型埋层；对所述第二n型外延层进行刻蚀，并在所述第一p型埋层的两侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽，其中一个场限环沟槽与所述第二p型埋层相对应；对所述主结沟槽和所述场限环沟槽进行第一次p型注入，并在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁形成p型注入区域；对所述第一p型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次p型注入，以使得所述沟槽型功率器件的主结的p型注入区域延伸到所述第一n型外延层，且临近于所述第一p型埋层的场限环的p型注入区域延伸到其下方的位于所述第一n型外延层的第二p型埋层。

作为在本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述在第一n型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口的步骤包括：提供一个n型衬底，并在所述n型衬底表面形成第一n型外延层；对所述第一n型外延层表面进行氧化处理，以在所述第一n型外延层表面制作出氧化层；利用光刻胶作为掩膜，在所述氧化层刻蚀出所述注入窗口，其中所述注入窗口可以包括位于所述沟槽型功率器件的分压区域的第一注入窗口和位于所述沟槽型功率器件的场限环区域的两个第二注入窗口，所述第一注入窗口用于形成所述第一p型埋层，所述两个第二注入窗口用于形成两个第二p型埋层。

作为在本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，在所述第一n型外延层表面形成第二n型外延层的步骤包括：去除所述第一n型外延层表面的氧化层和光刻胶；通过外延工艺在所述第一n型外延层表面进一步形成所述第二n型外延层，其中所述第二n型外延层形成之后所述第一p型埋层和所述第二p型埋层位于所述第二n型外延层的下方。

作为在本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，还包括：以光刻胶作为掩膜并在所述光刻胶形成沟槽刻蚀窗口，其中所述沟槽刻蚀窗口包括位于所述第一p型埋层内侧的主结沟槽刻蚀窗口和位于所述第二p型埋层外侧的多个场限环沟槽刻蚀窗口，其中两个场限环沟槽刻蚀窗口形成于与所述两个第二p型埋层相对应的位置。

作为在本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，对所述第二n型外延层进行刻蚀的步骤包括：利用干法刻蚀工艺并通过所述沟槽刻蚀窗口对所述第二n型外延层进行刻蚀，从而在所述第二n型外延层形成与所述主结沟槽刻蚀窗口相对应的主结沟槽，以及与所述多个场限环沟槽刻蚀窗口相对应的多个场限环沟槽。

作为在本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，对所述主结沟槽和所述场限环沟槽进行第一次p型注入的步骤包括：在所述主结沟槽和所述场限环沟槽形成之后，利用垂直和倾斜注入工艺对所述主结沟槽和所述场限环沟槽分别进行p型注入，从而在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁分别形成p型注入区域；其中，所述主结沟槽的p型注入区域和所述场限环沟槽的p型注入区域并未延伸到所述第一n型外延层。

作为在本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，对所述第一p型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次p型注入的步骤包括：去除原形成在所述第二n型外延层表面的光刻胶，并重新在所述第二n型外延层涂布新的光刻胶，并且，利用所述新的光刻胶作为掩膜，在所述主结沟槽和临近于所述第一p型埋层的场限环沟槽所在的区域分别形成用于进行第二次p型注入的注入窗口；通过新形成的注入窗口对所述第一p型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次p型注入；其中，所述第二次p型注入使得所述主结的p型注入区域和临近于所述第一p型埋层的场限环的p型注入区域分别延伸到所述第一n型外延层，且临近于所述第一p型埋层的场限环的p型注入区域在经过所述第二次p型注入之后，延伸到其下方的第二p型埋层。

作为在本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，还包括：在所述第二n型外延层表面形成介质层，所述介质层填充所述沟槽并使得所述第二n型外延层表面平整。

本发明提供的沟槽型功率器件，利用如上所述的方法制作而成，所述沟槽型功率器件包括所述沟槽型功率器件包括有源区、分压区域和场限环区域，其中所述有源区包括所述沟槽型功率器件的主结；所述分压区域形成在所述有源区的外围，且其具有第一p型埋层，所述第一p型埋层位于所述主结的斜下方，；所述场限环形成在所述分压区域的外侧，且其包括多个场限环，且其中一个临近于所述第一p型埋层的场限环下方具有第二p型埋层。

作为在本发明提供的沟槽型功率器件的一种改进，在一种优选实施例中，所述主结的p型注入区延伸到第一n型外延层，且临近于所述第一p型埋层的场限环的p型注入区域同样延伸到其下方位于所述第一n型外延层的第二p型埋层。

相较于现有技术，本发明提供的沟槽型功率器件及其制作方法通过在分压区域形成位于主结斜下方的所述p型埋层，相比于常规的场限环结构，所述p型埋层的最大优势在于能在横向、纵向和斜下方向同时降低所述主结边缘的电场强度，使击穿点从所述主结处转移；另一方面，采用p型埋层的同时结合场限环进一步承担电压，最终可以实现在较小的终端面积的情况下达到较高的耐压。采用上述结构的沟槽型功率器件能够消除表面积累的电场对分压结构的影响，最大化分压结构的作用，减少分压结构的面积，提高器件性能，并且有效降低器件制造成本。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1为本发明提供的沟槽型功率器件的一种实施例的剖面结构示意图；

图2为本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法一种实施例的流程示意图；

图3为在图2的方法中在第一n型外延层制作氧化层并形成注入窗口的剖面结构示意图；

图4为在图3所示的注入窗口进行p型注入并形成p型埋层的剖面结构示意图；

图5为在图4所示的第一n型外延层表面形成第二n型外延层的剖面结构示意图；

图6为在图5所示的第二n型外延层形成沟槽刻蚀窗口的剖面结构示意图；

图7为通过图6所示的沟槽刻蚀窗口进行刻蚀并形成多个沟槽的剖面结构示意图；

图8为在图7所示的沟槽进行第一次p型注入并形成p型注入区域的剖面结构示意图；

图9为在图8所述的沟槽进行第二次p型注入的剖面结构示意图；

图10为在图9所示的第二n型外延层表面形成介质层的剖面结构示意图。

【具体实施方式】

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法可以应用于功率器件，比如沟槽型垂直双扩散场效应晶体管(vdmos)的制造；更具体地，本发明实施例提供的沟槽型功率器件的制作方法主要涉及沟槽型功率器件的分压区域的制造方法，其余区域的制造方法不做特殊限制。

请参阅图1，其为本发明提供的沟槽型功率器件的一种实施例的局部剖面结构示意图。在本实施例中，所述沟槽型功率器件包括有源区、分压区域和场限环区域和划片道。所述有源区用于形成所述沟槽型功率器件的主结，所述主结的p型注入区从第二n型外延层延伸到第一n型外延层；所述分压区域设置在所述有源区的周围，并且所述分压区域采用结深较浅浓度较低的p型埋层与p型注入区域结合形成结终端扩展结构，其中所述p型埋层形成于所述第一n型外延层。所述场限环区域形成在所述分压区域的外围，其可以包括多个间隔设置在所述第二外延层的场限环，其中至少一个场限环(比如临近于所述分压结构的场限环)的p型注入区延伸到所述第一n型外延层的p型埋层，且还有一个相邻的场限环下方同样在所述第一型外延层形成有p型埋层。所述划片道可以进一步设置在所述沟槽型功率器件的最外围区域。

本发明实施例提出的沟槽型功率器件在所述有源区的主结外围的分压区域(具体可以为所述主结的斜下方区域)制作一层p型埋层，当所述主结加高压时，其耗尽区将向n型外延区域扩展，当扩展到所述p型埋层时，空穴将从浓度高的p型埋层向浓度低的n型外延层进行扩散，留下了带负电荷电离受主杂质。所述带负电荷的电离受主杂质可以吸引其周围的带正电荷的电离施主杂质，这就分摊了原本集中于所述主结边缘的电力线。

因此，相比于常规的场限环结构，所述p型埋层的最大优势在于能在横向、纵向和斜下方向同时降低结边缘的电场强度，使击穿点从所述主结处转移；另一方面，采用p型埋层的同时结合场限环进一步承担电压，最终可以实现在较小的终端面积的情况下达到较高的耐压。采用上述结构的沟槽型功率器件能够消除表面积累的电场对分压结构的影响，最大化分压结构的作用，减少分压结构的面积，提高器件性能，并且有效降低器件制造成本。

请参阅图2，其为本发明提供的沟槽型功率器件的制作方法一种实施例的流程示意图。所述沟槽型功率器件的制作方法主要包括以下步骤：

步骤s1，在第一n型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；

请参阅图3，在步骤s1中，首先提供一个n型衬底，并在所述n型衬底表面形成第一n型外延层；接着，对所述第一n型外延层表面进行氧化处理，以在所述第一n型外延层表面制作出一层氧化层，所述氧化层可以具体为二氧化硅层。在所述氧化层形成之后，利用光刻胶作为掩膜并在所述氧化层刻蚀出注入窗口，其中所述注入窗口可以通过湿法刻蚀工艺来形成。在具体实施例中，如图3所示，所述注入窗口可以包括位于所述沟槽型功率器件的分压区域的第一注入窗口和位于所述沟槽型功率器件的场限环区域的两个第二注入窗口，所述两个第二注入窗口并排设置并且临近于所述第一注入窗口，但其开口尺寸小于所述第一注入窗口的开口尺寸。

步骤s2，利用所述注入窗口进行p型注入，并在所述第一n型外延层形成p型埋层；

请参阅图4，在所述注入窗口形成之后，利用所述注入窗口对所述第一n型外延层进行p型注入，从而在所述第一n型外延层形成p型埋层。其中，应当理解的是，所述p型埋层的具体位置是由所述注入窗口的位置决定的，因此在步骤s1制作所述注入窗口的时候，需要设计好所述注入窗口的位置，以便于最终在步骤s2形成相对应的p型埋层。也即是说，所述p型埋层包括位于所述分压区域的第一p型埋层和位于所述场限环区域的两个第二p型埋层，其分别与所述第一注入窗口和所述两个第二注入窗口相对应。

步骤s3，在所述第一n型外延层表面形成第二n型外延层，其中所述第二n型外延层覆盖所述p型埋层；

请参阅图5，在所述p型埋层形成之后，首先去除所述第一n型外延层表面的氧化层和光刻胶，并且，通过外延工艺在所述第一n型外延层表面进一步形成第二n型外延层；所述第二n型外延层制作完成之后便覆盖所述p型埋层，使得位于所述第一n型外延层的所述第一p型埋层和所述第二p型埋层被“埋藏”在所述第二n型外延层的下方。

步骤s4，以光刻胶作为掩膜并在所述光刻胶形成沟槽刻蚀窗口，其中所述沟槽刻蚀窗口包括位于所述p型埋层内侧的主结沟槽刻蚀窗口和位于所述第一p型埋层外侧的多个场限环沟槽刻蚀窗口；

请参阅图6，在所述第二n型外延层形成之后，在步骤s4中，首先在所述第二n型外延层表面重新涂覆光刻胶，并且，以所述光刻胶作为掩膜来形成多个沟槽刻蚀窗口。所述沟槽刻蚀窗口主要用于在所述第二n型外延层进行沟槽刻蚀，因此，在具体实施例中，所述沟槽刻蚀窗口可以具体包括用于进行主结沟槽刻蚀的主结沟槽刻蚀窗口，以及用于进行场限环沟槽刻蚀的多个场限环沟槽刻蚀窗口。其中，所述主结沟槽刻蚀窗口位于所述第一p型埋层的内侧，而所述多个场限环沟槽刻蚀窗口依次排列在所述第一p型埋层的外侧；在图6所示的实施例中，在所述多个场限环沟槽刻蚀窗口中，其中两个场限环沟槽刻蚀窗口形成于与所述两个第二p型埋层相对应的位置。并且，所述主结沟槽刻蚀窗口的开口尺寸大于所述场限环沟槽刻蚀窗口。

步骤s5，通过所述沟槽刻蚀窗口对所述第二n型外延层进行刻蚀，并分别形成相应的沟槽，其中所述沟槽包括主结沟槽和场限环沟槽；

请参阅图7，在步骤s5中，利用干法刻蚀工艺并通过所述沟槽刻蚀窗口对所述第二n型外延层进行刻蚀，从而在所述第二n型外延层形成与所述主结沟槽刻蚀窗口相对应的主结沟槽，以及与所述多个场限环沟槽刻蚀窗口相对应的多个场限环沟槽。其中，所述主结沟槽和所述场限环沟槽的位置由其相应的主结沟槽刻蚀窗口和场限环沟槽刻蚀窗口决定，因此二者分别位于所述第一p型埋层的内侧和所述第一p型埋层的外侧；并且，其中两个场限环沟槽分别位于所述两个第二p型埋层相对应的位置。

步骤s6，对所述沟槽进行第一次p型注入，并在所述沟槽侧壁形成p型注入区域；

请参阅图8，在所述主结沟槽和所述场限环沟槽之后，利用垂直和倾斜注入工艺对所述主结沟槽和所述场限环沟槽分别进行p型注入，从而在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁分别形成p型注入区域。其中，所述主结沟槽侧壁的p型注入区域与所述第二n型外延层形成所述沟槽型功率器件的主结，而所述场限环沟槽侧壁的p型注入区域与所述第二n型外延层形成所述沟槽型功率器件的多个场限环。应当注意的是，在步骤s6的第一次p型注入之后，所述主结的p型注入区域和所述场限环的p型注入区域并未延伸到所述第一n型外延层，因此，临近于所述分压结构的两个场限环的p型注入区域并未延伸到所述第二p型埋层，如图8所示。

步骤s7，分别在所述第一p型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次p型注入；

请参阅图9，在步骤s7中，首先，去除原形成在所述第二n型外延层表面的光刻胶，并重新在所述第二n型外延层涂布新的光刻胶，并且，利用所述新的光刻胶作为掩膜，在所述主结沟槽和临近于所述第一p型埋层的场限环沟槽所在的区域分别形成用于进行第二次p型注入的注入窗口。接着，通过新形成的注入窗口对所述第一p型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次p型注入；其中，所述第二次p型注入使得所述主结的p型注入区和临近于所述第一p型埋层的场限环的p型注入区分别延伸到所述第一n型外延层。因此，临近于所述第一p型埋层的场限环的p型注入区在经过所述第二次p型注入之后，将延伸到其下方的第二p型埋层，如图9所示。应当注意的是，在本实施例中，相邻的另一第二p型埋层上方的场限环并不进行第二次p型注入，因此其p型注入区并不会延伸到所述第二p型埋层。

步骤s8，在所述第二n型外延层表面形成介质层，所述介质层填充所述沟槽并使得所述第二n型外延层表面平整。

请参阅图9，在对所述第二n型外延层的沟槽进行p型离子注入完成之后，首先去除掉所述第二n型外延层表面的光刻胶，接着，在所述第二n型外延层表面形成介质层，所述介质层除了覆盖所述第二n型外延层表面以外，还同时填充到所述主结沟槽和所述场限环沟槽的内部，从而使得所述第二n型外延层表面平整。

在所述介质层形成之后，便可形成如图1所示的沟槽型功率器件的结构，具体地，所述第一p型埋层和第二p型埋层形成在所述沟槽型功率器件的分压区域和所述场限环区域的第一n型外延层，其中所述第一p型埋层位于所述主结的斜下方。所述场限环区域形成在具有所述p型埋层的分压区域的外侧，且其具体多个场限环，所述主结的p型注入区延伸到所述第一n型外延层，而临近于所述分压区域的场限环的p型注入区延伸到所述第一n型外延层中与其相对应的第二p型埋层，如图1和图9所示。

相较于现有技术，本发明提供的沟槽型功率器件及其制作方法通过在分压区域形成位于主结斜下方的所述p型埋层，相比于常规的场限环结构，所述p型埋层的最大优势在于能在横向、纵向和斜下方向同时降低所述主结边缘的电场强度，使击穿点从所述主结处转移；另一方面，采用p型埋层的同时结合场限环进一步承担电压，最终可以实现在较小的终端面积的情况下达到较高的耐压。采用上述结构的沟槽型功率器件能够消除表面积累的电场对分压结构的影响，最大化分压结构的作用，减少分压结构的面积，提高器件性能，并且有效降低器件制造成本。

以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。