技术特征：
技术总结
一种扇出型半导体封装结构及制造工艺方法，该扇出型半导体封装结构包含一第一重布层、多个金属柱、一半导体晶片、一模造成型化合层及一第二重布层，该第一重布层包含一第一金属层，具有多个凹槽区，该多个金属柱注入于该多个凹槽区的一第一组凹槽区，该半导体晶片接合于该多个凹槽区的一第二组凹槽区，该模造成型化合层覆盖该半导体晶片及该第一重布层，该多个金属柱的顶端从该模造成型化合层露出，该第二重布层位于该模造成型化合层及该多个金属柱的顶端之上。本发明提供的扇出型半导体封装结构及制造工艺方法可提升金属柱的稳定性。
技术研发人员：黄仁义;陈青扬
受保护的技术使用者：力成科技股份有限公司
技术研发日：2017.07.18
技术公布日：2018.08.28