半导体装置以及半导体装置制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本揭露提供一种半导体装置以及半导体装置制造方法。所述半导体装置包含：底部封装，其中在导体与贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积，且所述底部封装包含：模塑料；贯穿通路，其穿透所述模塑料；裸片，其模制在所述模塑料中；和导体，其在所述贯穿通路上。本揭露还揭示一种制造半导体装置的相关联方法。

技术研发人员：林俊成;施应庆;王卜;余振华
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.08.04
技术公布日：2018.04.20