技术特征:
技术总结
本发明的实施例涉及半导体器件。根据本发明的半导体器件包括:通孔,形成为穿透半导体衬底;第一缓冲器电路和第二缓冲器电路;布线形成层,形成在所述半导体衬底的上层中;连接布线部分,假设从所述半导体衬底到所述布线形成层的方向为向上方向,则所述连接布线部分形成在所述通孔的上部,所述连接布线部分在芯片内端面上,该芯片内端面为所述通孔的面对所述半导体衬底的上部部分的端面;第一路径,连接所述第一缓冲器电路和所述通孔;以及第二路径,连接所述第二缓冲器电路和所述通孔。所述第一路径和所述第二路径经由所述连接布线部分电连接。
技术研发人员:高柳浩二
受保护的技术使用者:瑞萨电子株式会社
技术研发日:2013.04.27
技术公布日:2017.11.07