1.一种透明导电膜，其特征在于，包括：
至少一个透明基材；涂覆在所述至少一个透明基材上的可变形塑料层；以及
被嵌入到所述可变形塑料层中的一个导电网络，其具有高纵横比并具有一突出物，其中从所述可变形塑料层和/或所述至少一个透明基材暴露出的该突出物用于与外部结构接触。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述高纵横比由至少为1的高度-基底宽度比（r）确定。
3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述突出物的高度为0至5微米。
4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电网络被图案化为多个线结构，其高度为0.5至10微米，基材宽度为0.5微米至10微米。
5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电网络具有粗糙表面。
6.根据权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于，在所述导电网络图案的任何两个线结构之间具有1至1,000微米的开口。
7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述突出物的高度（h1）是由所述导电网络图案的线结构的高度（h）减去嵌入到第二基材中的线结构的高度（h2）所得出；并且其中对应于所述导电网络图案的纵横比的所述线结构的高度（h），由至少为1的所述高度-基底宽度比（r）确定。
8.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述突出物的高度（h1）为0至5微米。
9.根据权利要求1到8中任何一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电网络是基于金属材料，非金属材料或非金属和金属材料的混合物中的任何一种，其包含铜、镍、金、银、锡、锡、石墨烯和碳纳米管中的一种或多种。
10.根据权利要求1到8中任何一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电网络被图案化以具有包括三角形、长方形、五边形、六边形和其他多边形的规则或不规则多边形形状。
11.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，引入所述不规则图案为周期性多边形图案以抑制光学干涉。
12.根据权利要求1到8中任何一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述可变形塑料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚氯乙烯（PVC）、环烯烃共聚物（COC）、环烯烃聚合物（COP）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚碳酸酯（PC）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚酰亚胺（PI）和三醋酸纤维素（TAC）等聚合物。
13.一种包括权利要求1到12中任何一项所述的透明导电膜，或者通过所述透明导电膜的导电网络的所述突出物互连的电子设备或显示面板。
14.一种权利要求1到12中任何一项所述的制造透明导电膜的方法，其特征在于，包括：
提供第一基材；
在所述第一基材上形成可移除光刻胶层；
在所述可移除光刻胶层中进行光刻图案化得出导电网络图案，从而形成沟槽栅格网络并且通过一个或多个沟槽暴露多个线结构；
将导电材料沉积到所述一个或多个沟槽中以形成所述导电网络，直到每个线结构达到对应于纵横比的高度；
从所述第一基材清洗和去除所述可移除光刻胶层；
将所述导电网络从第一基材热压到第二基材的可变形塑料层中，其温度等于或略高于/低于任何基材或层中的材料的玻璃化转变温度（Tg）；
将第二基材与第一基材分离，其中导电网络图案从第一基材转移，从而在转移温度下嵌入第二基材中，以形成具有暴露在第二基材之外的突出物的透明导电膜。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述光刻图案化包括光刻、纳米压印光刻和电子束光刻。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，通过湿法或干法、或直接沉积法实现所述沉积，所述湿法或干法包括电镀、电沉积、无电沉积、溅射、电子束蒸发和热蒸发，所述直接沉积法包括喷墨印刷和丝网印刷。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述可移除光刻胶层是通过将所述可移除光刻胶材料涂覆到所述第一基材上而形成，并且所述涂覆包括旋涂、窄縫涂布和喷涂。
18.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一基材包括氧化铟锡（ITO）玻璃或其它透明导电氧化物材料或其它导电材料。
19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第二基材包括透明且柔性的聚合材料。
20.根据权利要求14到19中任何一项所述的方法，其特征在于，在所述沉积之前，所述方法还包括密封所述第一基材的边缘，以避免在所述第一基材的边缘处沉积所述导电材料，从而减少缺陷并且改善均匀性，从而使导电网络从第一基材转移到第二基材的效率更高。
21.根据权利要求14到19中任何一项所述的方法，其特征在于，在所述热压期间以及将所述导电网络图案从所述第一基材转移到所述第二基材的过程中所使用的温度比所述第一或第二基材材料的Tg等于或略高于/低于0至30度。
22.根据权利要求14到19中任何一项所述的方法，其特征在于，所述导电网络在通过湿法或干法蚀刻沉积期间或之后被表面粗糙化。
23.根据权利要求14到19中任何一项所述的方法，其特征在于，在所述热压之前，通过等离子体对所述第一基材和/或第二基材进行表面处理。
24.根据权利要求14到19中任何一项所述的方法，其特征在于，在所述热压之前，所述方法还包括在热压机的压板和相邻基材之间插入包括金属基材的平坦且硬的压垫层，以在热压期间向基材均匀施加压力。
25.根据权利要求14到19中任何一项所述的方法，其特征在于，所述突出物的高度（h1）是由所述导电网络图案的线结构的高度（h）减去嵌入到第二基材中的线结构的高度（h2）所得出；并且其中对应于所述导电网络图案的纵横比的所述线结构的高度（h），其由至少为1的所述高度-基底宽度比（r）确定。
26.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，所述突出物的高度（h1）为0至5微米。