技术总结
本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻，本发明还公开了其制备方法。
技术研发人员：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成
受保护的技术使用者：西安交通大学
文档号码：201710781876
技术研发日：2017.09.02
技术公布日：2017.12.15