使用蚀刻停止层的存储器装置的制作方法

技术特征：

技术总结
提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。

技术研发人员：李正吉;金知勇;李呈焕;边大锡;林炫锡
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.09.08
技术公布日：2018.04.24