技术特征：
技术总结
提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
技术研发人员：朴相真;权奇相;白在职;高镛璿;李光旭
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.09.27
技术公布日：2018.09.14