一种磁性半导体材料及其制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供了一种一维磁性半导体材料，其化学式为M9V3X15，其中，M为Ca、Sr和Ba中的一种或多种，V表示化学元素钒，以及X为硫族元素S、Se和Te中的一种或多种。本发明的一维磁性半导体材料的一维特征明显，在科学研究和各向异性磁电器件制备方面也有很好的应用前景。

技术研发人员：靳常青;张俊;望贤成
受保护的技术使用者：中国科学院物理研究所
技术研发日：2017.11.02
技术公布日：2018.04.06