技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、N型氮化物层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化物层，其特征在于：所述N型氮化物层与多量子阱发光层之间设置有n型碳原子调变层，所述n型碳原子调变层包括位于N型氮化物层上的第一调变层、第二调变层，且第一调变层的碳原子含量大于第二调变层的碳原子含量。透过此层n型碳原子调变层可降低电子迁移率，可有效的改善电子空穴于多量子阱发光层的分布不均,也可降低电子溢流现象。
技术研发人员：蓝永凌;林兓兓;蔡吉明
受保护的技术使用者：安徽三安光电有限公司
技术研发日：2017.11.24
技术公布日：2018.04.27