1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
第一基板，其包括含有金属的第一金属接点结构，所述第一金属接点结构包括凸形末端；
第二基板，其包括含有所述金属的第二金属接点结构，所述第二金属接点结构包括凹形末端；以及
金属至金属接合，其在接合区域处的所述凸形末端和所述凹形末端之间，所述接合区域在所述凹形末端的纵轴附近为不对称。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括间隙，所述间隙在所述凸形末端和所述凹形末端的至少一者的周围边缘处的所述凸形末端和所述凹形末端之间。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述接合区域朝所述凹形末端的第一侧偏移。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述接合区域朝所述凹形末端的所述第一侧偏移所述第一金属接点结构的宽度的至少5％。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述凹形末端的第一侧的所述接合区域比在所述凹形末端的第二侧大。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，在所述凹形末端的所述第一侧的所述接合区域比在所述凹形末端的所述第二侧大至少5％。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属接点结构和所述第二金属接点结构的至少一者包括铜柱。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一金属接点结构包括第一铜；
所述第二金属接点结构包括第二铜；以及
所述金属至金属接合是直接铜至铜接合。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一金属接点结构包括第一铜；
所述第二金属接点结构包括第二铜；以及
所述金属至金属接合包括在所述第一铜和所述第二铜之间的至少一中间金属。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板中的至少一者包括半导体晶粒。
11.一种半导体装置，其特征在于，包括：
第一基板，其包括含有金属的第一金属接点结构，所述第一金属接点结构包括凸形末端；
第二基板，其包括含有所述金属的第二金属接点结构，所述第二金属接点结构包括凹形末端；
金属至金属接合，其在所述凸形末端和所述凹形末端之间；以及
间隙，其在所述凸形末端和所述凹形末端的至少一者的周围边缘处的所述凸形末端和所述凹形末端之间。
12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，在所述周围边缘的第一部分的所述间隙比在所述周围边缘的第二部分大。
13.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属接点结构和所述第二金属接点结构中的第一者从所述第一金属接点结构和所述第二金属接点结构中的第二者突出。
14.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述间隙完全地在所述周围边缘附近延伸。
15.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述间隙是在所述凸形末端和所述凹形末端之间的最大间隙。