双面电容器的制作方法

技术特征：

1.一种双面电容器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘；

双面电容器阵列，形成于所述焊盘上，所述双面电容器包括：

第一导电层及第二导电层，所述第一导电层与所述焊盘接触，所述第一导电层的截面形状为第一U型结构，所述第二导电层的主要截面形状为第二U型结构，所述第二U型结构位于所述第一U型结构内侧且与所述第一U型结构之间具有间隔，所述第一U型结构与所述第二U型结构的顶端相连形成闭合结构，所述闭合结构中具有缺口；

电容介质，覆盖于所述第一导电层及第二导电层内表面及外表面；以及

第三导电层，覆盖于所述电容介质外表面。

2.根据权利要求1所述的双面电容器，其特征在于：所述双面电容器阵列呈六方阵列排布。

3.根据权利要求1所述的双面电容器，其特征在于：所述双面电容器的高度与宽度的比为5～20，所述双面电容器的高度范围为0.5～5μm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的双面电容器，其特征在于：所述第二导电层另具有由所述第二U型结构的顶端延伸的连接部，以与所述第一U型结构相连形成闭合结构。

5.根据权利要求4所述的双面电容器，其特征在于：用以提供所述缺口的介电薄膜覆盖所述第二导电层的所述连接部。