一种改良型芯片顶针结构的制作方法

文档序号:13827751阅读:1809来源:国知局
一种改良型芯片顶针结构的制作方法

本实用新型涉及二极管加工设备技术领域,尤其涉及一种改良型芯片顶针结构。



背景技术:

固晶又称为Die Bond或装片。固晶即通过胶体(对于LED来说一般是导电胶或绝缘胶)把晶片粘结在支架的指定区域,形成热通路或电通路,为后序的打线连接提供条件的工序。

在进行固晶前,有一工序为芯片捡拾工序,即:将排列黏贴在蓝膜上的芯片吸起,将芯片与蓝膜分离,再将吸起的芯片装配到支架内。现有技术中的芯片捡拾结构包括真空顶针帽、贯穿设置在真空顶针帽内的顶针、与真空顶针帽对应的真空吸嘴,真空顶针帽通过接管与真空发生器连接。实际操作时,真空发生器通过接管使真空顶针帽内产生负气压,带有负气压的真空顶针帽将置于真空顶针帽上方的蓝膜吸住,随后,动力机构带动顶针伸出真空顶针帽,伸出真空顶针帽的顶针端部刺穿蓝膜并且对应将置于蓝膜上方的芯片顶起一定距离,此时,真空吸嘴将被顶起的芯片吸走即完成捡拾动作。

现有技术存在的缺陷是:首先,顶针的端部为尖锥形,对于一些底面积小于0.49mm2的芯片适用,但是,对于一些底面积大于0.49mm2的芯片就并不适用,因为底面积较大的芯片与蓝膜的接触面积增加,其黏力也对应增大,即顶针的端部将芯片顶起的过程中需要用更大的力,但由于顶针的端部为尖锥形,顶针与芯片为点接触,如此一来,经常发生顶针将芯片顶起过来中由于芯片与蓝膜的的黏力增大导致芯片被顶损伤,变形,破损的情况,影响产品的质量;其次,蓝膜每次都需要被刺穿才能实现对芯片的顶起,被刺穿蓝膜的过程顶针尖部容易磨损或断裂,不能重复使用,非常不环保。



技术实现要素:

基于此,本实用新型的目的在于提供一种改良型芯片顶针结构,一方面解决了芯片在顶起过程中芯片背面金属层受损的问题,另一方面也使蓝膜不被刺穿,减少顶针的磨损,提高使用寿命,可以循环再利用,既环保,又节省生产耗材。

本实用新型提供一种改良型芯片顶针结构,包括真空顶帽,所述真空顶帽内包括真空内腔、气孔,所述真空内腔通过接管与真空发生器连接,所述真空内腔内设置有与外部相通的顶针通道,所述顶针通道内设置有柱状的顶针,所述顶针的底部与升降动力机构连接,所述顶针的顶部设置为球形。

作为优选方案,所述顶针底部的横截面直径设置为0.25mm-0.45mm。

作为优选方案,所述顶针设置为合金顶针。

作为优选方案,所述顶针顶部的直径设置为0.2mm-0.55mm。

作为优选方案,所述顶针处于顶起状态时,所述顶针的顶部伸出所述真空顶帽上表面的长度为0.7mm-1.0mm。

本实用新型的有益效果为:顶针的顶部设置为球形,升降动力机构将顶针顶起后,顶针的球形顶部与蓝膜的下表面接触,将带芯片的蓝膜逐渐顶起,在蓝膜被顶起的过程中,芯片的周边逐渐与蓝膜进行分离,直至芯片的中心位置与蓝膜接触,此时,再由真空吸嘴将芯片吸走,通过这样的结构设置,能够对底面积大于0.49mm2的芯片进行捡拾,有效避免了芯片在被顶起过程中与蓝膜的拉扯变形问题,并且,由于顶针与蓝膜的接触面积加大,无需刺破蓝膜,解决了芯片在顶起过程中芯片背面金属层受损的问题,减少顶针的磨损,提高使用寿命,可以循环再利用,既环保,又节省生产耗材。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型使用状态的结构示意图。

附图标记为:真空顶帽10、顶针11、顶针通道12、气孔13、真空内腔14、升降动力机构15、接管16、真空发生器17、芯片18、真空吸嘴19、蓝膜20。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

请参阅图1-2所示:一种改良型芯片顶针结构,包括真空顶帽10,所述真空顶帽10内包括真空内腔14、气孔13,所述真空内腔14通过接管16与真空发生器17连接,所述真空内腔14内设置有与外部相通的顶针通道12,所述顶针通道12内设置有柱状的顶针11,所述顶针11底部的横截面直径设置为0.25mm-0.45mm,本实施方式中,所述顶针11底部的横截面直径设置为0.3mm,所述顶针11设置为铝合金顶针,所述顶针11的底部与升降动力机构15连接,所述顶针11的顶部设置为球形,所述顶针11顶部的直径设置为0.25mm-0.55mm,本实施方式中,所述顶针11顶部的直径设置为0.3mm。所述顶针11处于顶起状态时,所述顶针11的顶部伸出所述真空顶帽10上表面的长度为0.7mm-1.0mm,本实施方式中,所述顶针11的顶部伸出所述真空顶帽10上表面的长度为0.8mm。

实际操作时,升降动力机构15将顶针11顶起后,顶针11的球形顶部与蓝膜20的下表面接触,将带芯片18的蓝膜20逐渐顶起,在蓝膜20被顶起的过程中,芯片18的周边逐渐与蓝膜20进行分离,直至芯片18的中心位置与蓝膜20接触,此时,再由真空吸嘴19将芯片18吸走,通过这样的结构设置,能够对底面积大于0.49mm2的芯片进行捡拾,有效避免了芯片18在被顶起过程中与蓝膜20的拉扯变形问题,并且,由于顶针11与蓝膜20的接触面积加大,无需刺破蓝膜20,解决了芯片在顶起过程中芯片背面金属层受损的问题,减少顶针11尖部的磨损,提高使用寿命,可以循环再利用,既环保,又节省生产耗材。

上述实施例仅是显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。

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