技术总结
本实用新型涉及导电石墨技术领域，且公开了一种石墨导电片，包括第一传递层，所述第一传递层的下表面与第二传递层的上表面所组成的空腔为石墨填充层，石墨填充层的内部设置有天然石墨层，所述第一传递层的上表面固定连接有导电胶层，所述导电胶层的上表面固定连接有第一人工石墨层，所述第一人工石墨层的上表面固定连接有第一金属层，所述第二传递层的下表面固定连接有编织层。该石墨导电片，通过设置第一传递层、第二传递层和隔断层第一传递层和第二传递层相互连接形成一个密封的石墨填充层，解决了现有技术采用单一片状结构从而导致石墨分层，从而降低了石墨导电性能的情况，保证了石墨自身的过流和缓冲特性。
技术研发人员：肖南斗;李晓燕
受保护的技术使用者：昆山市旺祥泰电子科技有限公司
文档号码：201721324513
技术研发日：2017.10.16
技术公布日：2018.04.10