银颗粒合成方法、银颗粒、导电浆料制造方法和导电浆料与流程

本发明涉及银颗粒合成方法、银颗粒、导电浆料制造方法和导电浆料。
背景技术：
：已知一种导电浆料，其含有微米级平均粒径(中位径)的银颗粒(以下，有时记载为微米银颗粒)和低级醇，作为配线材料或导电性粘接材料(例如，参照专利文献1)。在此，微米级表示1μm以上且小于1mm。关于得到微米银颗粒的方法，一般利用将纳米级平均粒径(中位径)的银颗粒(以下，有时记载为纳米银颗粒)进行扁平化加工的方法。在此，纳米级表示1nm以上且小于1μm。关于得到纳米银颗粒的方法，一般利用通过喷雾法使已溶解的银以粉末的形式进行凝固(称为雾化法)的方法。导电浆料含有利用雾化法和扁平化加工所生成的微米银颗粒时，其在大气气氛下以200℃以上的温度进行烧成或烧结后，电阻率为10-6Ω·cm量级的电阻率(体积电阻率)。〔专利文献〕专利文献1：日本特开2009-170277号公报技术实现要素：然而，在作为配线形成对象的部件(例如，配线基板)或作为粘接对象的部件(例如，导线架和配线基板)的耐热性低的情况下，有时要求150℃左右作为烧成或烧结时的温度条件的上限值。因此，期望得到一种导电浆料，即使在150℃左右的低温进行了烧成或烧结的情况下，也具有足够低的电阻率。配线材料或粘接材料中所要求的电阻率一般是10-5Ω·cm量级以下的电阻率。相对于此，导电浆料含有利用雾化法和扁平化加工所生成的微米银颗粒时，如果其在大气气氛下不以180℃以上的温度进行烧成或烧结，则电阻率不会达到足够低(10-5Ω·cm量级的电阻率)。其中一个原因是：导电浆料中所含有的银颗粒的封装性(银颗粒的填充密度)不充分。这是由于雾化法和扁平化加工的组合不能生成具有均等的粒径和形状的银颗粒而造成的。本发明是鉴于上述问题而作出的，其目的在于提供一种能够提高银颗粒封装性的银颗粒合成方法以及银颗粒、导电浆料制造方法、导电浆料。本发明的银颗粒合成方法包含：得到第二银颗粒的工序，基于被分散剂包覆的第一银颗粒，减少所述分散剂而得到所述第二银颗粒；以及合成第三银颗粒的工序，在包含所述第二银颗粒的液相下，使第一银化合物与第一还原剂进行反应，来合成粒径大于所述第二银颗粒的所述第三银颗粒。一实施方式中，所述第三银颗粒具有多面体形状。一实施方式中，所述第三银颗粒具有微米级粒径。一实施方式中，在所述合成第三银颗粒的工序中，与所述第三银颗粒一起合成第四银颗粒，所述第四银颗粒具有纳米级粒径，且粒径大于所述第二银颗粒的粒径。一实施方式中，所述第一还原剂是第一多元醇。一实施方式中，在所述合成第三银颗粒的工序中，于所述第一多元醇中溶解所述第一银化合物并分散所述第二银颗粒，将所述第一多元醇进行加热而合成所述第三银颗粒。一实施方式中，在所述合成第三银颗粒的工序中，将溶解有所述第一银化合物的第二多元醇滴加到分散有所述第二银颗粒的第三多元醇中，对含有所述第二多元醇和所述第三多元醇的所述第一多元醇进行加热，来合成所述第三银颗粒。一实施方式中，从滴加所述第二多元醇开始，对所述第三多元醇进行加热。一实施方式中，进一步包含合成所述第一银颗粒的工序，在含有所述分散剂的液相下，使第二银化合物与第二还原剂进行反应，来合成被所述分散剂包覆的所述第一银颗粒。一实施方式中，所述第二还原剂是第四多元醇，在合成所述第一银颗粒的工序中，于所述第四多元醇中溶解所述第二银化合物并分散所述分散剂，并对所述第四多元醇进行加热来合成所述第一银颗粒。一实施方式中，所述第二银颗粒具有100纳米以上500纳米以下的粒径。本发明的银颗粒具备：粒径1微米以上15微米以下的第一银颗粒和粒径100纳米以上且小于1微米的第二银颗粒。本发明的导电浆料制造方法包含：得到第二银颗粒的工序，基于被分散剂包覆的第一银颗粒，减少所述分散剂而得到所述第二银颗粒；合成第三银颗粒的工序，在包含所述第二银颗粒的液相下，使银化合物与还原剂进行反应，来合成粒径大于所述第二银颗粒的所述第三银颗粒；以及生成导电浆料的工序，混合所述第三银颗粒与醇来生成所述导电浆料。本发明的导电浆料具备：粒径1微米以上15微米以下的第一银颗粒和粒径100纳米以上且小于1微米的第二银颗粒以及醇。一实施方式中，所述导电浆料在烧成后的电阻率为10-5Ω·cm量级以下。〔发明效果〕根据本发明，能够提高银颗粒的封装性。附图说明图1是表示本发明实施方式所涉及的银核颗粒的SEM图像的一个例子的图。图2是表示本发明实施方式所涉及的银颗粒的SEM图像的一个例子的图。图3(a)是表示本发明实施方式所涉及的银颗粒的SEM图像的另一个例子的图，图3(b)是表示本发明实施方式所涉及的银颗粒的SEM图像的又一个例子的图。图4是表示本发明实施方式所涉及的银颗粒的粒径分布的一个例子的图表。图5是表示本发明实施方式所涉及的银颗粒的粒径分布的另一个例子的图表。图6是表示本发明实施方式所涉及的银颗粒的粒径分布的又一个例子的图表。图7是表示本发明实施方式所涉及的银颗粒的SEM图像的又一个例子的图。图8是表示比较例1的SEM图像的一个例子的图。图9(a)是表示比较例2的SEM图像的一个例子的图，图9(b)是放大表示图9(a)的一部分的图。图10是表示本发明实施方式所涉及的第一粘接样品的示意图。图11是表示拍摄本发明实施方式所涉及的第一剪切强度试验后的铜基板得到的图像的图。图12是将图11所示的A部分进行了放大的图。图13(a)是将图11所示的B部分进行了放大的图，图13(b)是将图13(a)的一部分进行了放大的图。图14是表示本发明实施方式所涉及的第二粘接样品的示意图。图15是表示在本发明实施方式所涉及的第二粘接样品中作为粘接材料而使用的导电浆料之剖面的SEM图像的一个例子的图。图16是表示在本发明实施方式所涉及的第二粘接样品中作为粘接材料而使用的导电浆料之剖面的SEM图像的另一个例子的图。图17是表示在本发明实施方式所涉及的第二粘接样品中作为粘接材料而使用的导电浆料之剖面的SEM图像的又一个例子的图。图18是表示本发明实施方式所涉及的第二粘接样品的剪切强度变化的图表。图19是表示本发明实施方式所涉及的导电浆料的热分析结果的图表。图20是表示本发明实施方式所涉及的配线的体积电阻率的图表。图21是表示本发明实施方式所涉及的配线的体积电阻率的另一个例子的图表。具体实施方式以下，对本发明的银颗粒合成方法、银颗粒、导电浆料制造方法以及导电浆料的实施方式进行说明。但是，本发明并不限于以下的实施方式。首先，对本实施方式的银颗粒合成方法和银颗粒进行说明。本实施方式的银颗粒合成方法分成三个阶段。第一阶段，使用银化合物C1，通过多元醇法合成作为核的银颗粒(以下，记载为银核颗粒)。第二阶段，减少包覆着银核颗粒的分散剂。第三阶段，使用新的银源(银化合物C2)来使银核颗粒成长。具体来说，首先，将银化合物C1和还原剂R1在包含分散剂D的液相中进行反应。在本实施方式中，还原剂R1是多元醇PA1，在多元醇PA1中溶解银化合物C1并分散分散剂D之后，对多元醇PA1进行加热。由此，银化合物C1和多元醇PA1进行反应(液相还原处理)(第一阶段)。通过此反应，银原子彼此进行合成而生成(析出)被分散剂D包覆的银核颗粒P1。另外，通过使用分散剂D，银核颗粒P1被分散剂D包覆。由此，能够合成具有纳米级平均粒径(中位径)且分散性优异的银核颗粒P1。银核颗粒P1优选为具有100nm～500nm左右的平均粒径(中位径)。另外，银颗粒的平均粒径(中位径)能够使用激光来进行测量。银化合物C1的种类没有特别限定，可以使用硝酸银、醋酸银或羧酸银盐等。分散剂D的种类和多元醇PA1的种类也没有特别限定，可以将聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙二醇(PEG)或十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)等作为分散剂D来使用，可以将乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇或丙三醇等作为多元醇PA1来使用。银化合物C1、多元醇PA1和分散剂D各自的量也没有特别限定。例如，在多元醇PA1的量从1g～100g的范围中选择的情况下，银化合物C1的量可以从0.01g～10g的范围内选择，分散剂D的量可以从0.008g～8g的范围内选择。第一阶段所使用的反应温度没有特别限定，优选为100℃以上。其理由是，在反应温度小于100℃的情况下，反应(银核颗粒P1的合成)所需要的时间过长。另外，从成本面考虑，反应温度优选为200℃以下。此外，含有分散剂D的液相中，除了多元醇PA1之外，也可以含有其它液体，例如水。另外，除了多元醇PA1，也可以使用其它的还原剂作为还原剂R1，例如：乙醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇或丙三醇。或者，也可以使用多元醇PA1以外的还原剂作为还原剂R1，例如：丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、丙三醇、葡萄糖、抗坏血酸、NaBH4或联氨。例如，能够利用扫描式电子显微镜(scanningelectronmicroscope:SEM)来观测所合成的银核颗粒P1。图1是表示银核颗粒P1的SEM图像的一个例子。图1中所示的银核颗粒P1是按照以下的方法来合成的。即，首先将1.0g的硝酸银(银化合物C1)溶解在50g的乙二醇(多元醇PA1)中。接着，将0.5g的聚乙烯吡咯烷酮(分散剂D)分散在乙二醇PA1中。接着，使乙二醇PA1升温到150℃(反应温度)之后，保持在反应温度150℃的同时，以500rpm的转速搅拌一个小时来进行反应。此时，通过硝酸银C1与乙二醇PA1的反应，产生氮氧化物的气体。此外，在此过程中，乙二醇PA1作为硝酸银C1的还原剂发挥作用，同时也作为硝酸银C1的溶剂发挥作用。通过以上方法，如图1所示，得到了具有200nm左右的平均粒径(中位径)且分散性优异的银核颗粒P1。另外，以下，有时将经过与图1所示的银核颗粒P1相同的方法(处理)而合成的银核颗粒P1记载为“银核颗粒(反应温度150℃)”。银核颗粒P1的合成之后，执行第二阶段。在第二阶段，首先使用金属筛网等从液相(多元醇PA1)中分离出银核颗粒P1。接着，减少包覆着银核颗粒P1的分散剂D。例如，能够用水或乙醇清洗银核颗粒P1来减少分散剂D。或者，能够通过加热银核颗粒P1来减少分散剂D。接着，执行第三阶段。即，在包含银核颗粒P1的液相下，使银化合物C2与还原剂R2进行反应。在本实施方式中，还原剂R2是多元醇PA2，在多元醇PA2中溶解银化合物C2并分散银核颗粒P1。接着，通过加热多元醇PA2，使银化合物C2与多元醇PA2进行反应(液相还原处理)。经过此反应，生成来自银化合物C2的银颗粒的同时，该生成的银颗粒合成到银核颗粒P1上。结果，得到(合成)粒径大于银核颗粒P1的银颗粒P2。具体来说，银颗粒P2具有微米级的平均粒径(中位径)。即，银颗粒P2是微米银颗粒，优选为具有1μm以上15μm以下的粒径。优选的是，在包含银核颗粒P1的多元醇PA2a中，滴加已溶解有银化合物C2的多元醇PA2b之后，通过加热进行液相还原处理(反应处理)。更优选的是，从滴加多元醇PA2b的阶段开始，就对多元醇PA2a进行加热。由此，在滴加溶解有银化合物C2的多元醇PA2b的情况下，通过改变该滴加的时间，能够对微米银颗粒P2的平均粒径进行控制。另外，在本实施方式中，使用了同一种类的多元醇PA2来作为多元醇PA2a和多元醇PA2b，但多元醇PA2a和多元醇PA2b也可以是不同的种类。所合成的微米银颗粒P2优选为平均粒径(中位径)和形状(形态)是均等的。由此，银颗粒的封装性得到提高。此外，微米银颗粒P2优选为具有多面体形状。即，平面状的结晶面形成银颗粒P2的外观形状。由此，银颗粒的封装性得到提高。此外，通过使银颗粒P2的平均粒径达到微米级，银颗粒的填充密度变大，封装性得到提高。银化合物C2的种类没有特别限定，可以使用硝酸银、醋酸银或羧酸银盐等。另外，多元醇PA2、PA2a、PA2b的种类也没有特别限定，可以使用乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇或丙三醇等。另一方面，根据银核颗粒P1的浓度和银化合物C2的浓度，微米银颗粒P2的平均粒径或形状(形态)会发生变化。例如，在从0.01g～5g的范围内选择银核颗粒P1的量的情况下，通过从0.1g～50g的范围内选择银化合物C2的量，以及从1g～100g的范围内选择多元醇PA2的量，能够得到粒径和形状均等的微米银颗粒P2。另外，能够使微米银颗粒P2的形状为多面体形状。第三阶段使用的反应温度优选为200℃以下。如果反应温度超过200℃，则造成反应速度过快，难以将微米银颗粒P2的形状控制为所期望的形状(多面体)。另外，第三阶段使用的反应温度优选为100℃以上。在反应温度小于100℃的情况下，反应(微米银颗粒P2的合成)所需要的时间变得过长。进一步，本实施方式中，在合成微米银颗粒P2的过程中，合成平均粒径小于微米银颗粒P2的银颗粒P3。即，银颗粒P3具有纳米级平均粒径(中位径)。通过这样合成银颗粒P3，使封装性得到进一步的提高。具体来说，银颗粒P3发挥填埋微米银颗粒P2间的空隙的作用。以下，有时将银颗粒P3记载为纳米银颗粒P3。纳米银颗粒P3优选为具有100nm以上且小于1μm的平均粒径(中位径)。根据以上所说明的银颗粒合成方法，不实施扁平化加工，就可以得到具有微米级(优选为1微米以上15微米以下)的粒径且具有多面体形状的银颗粒P2。此外，在第三阶段中，含有银核颗粒P1的液相中，除了多元醇PA2(或多元醇PA2a)之外，还可以含有其它液体，例如水。同样地，也可以使银化合物C2溶解在含有多元醇PA2b之外还含有其它液体(例如水)的液相中，再进行滴加操作。另外，关于还原剂R2，除了多元醇PA2之外，还可以使用其它还原剂，例如：丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇或丙三醇。另外，关于还原剂R2，也可以使用多元醇PA2以外的还原剂，例如：丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、丙三醇、葡萄糖、抗坏血酸、NaBH4或联氨。例如，可以使用扫描式电子显微镜来观测合成的微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3。图2中，表示合成的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)的SEM图像的一个例子。图2所示的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)是由以下的方法来合成的。即，首先，一边以500rpm的转速搅拌50g的乙二醇(多元醇PA2)，一边在乙二醇PA2中溶解2.0g的硝酸银(银化合物C2)，之后，进一步在乙二醇PA2中分散0.05g的银核颗粒P1。在此，使用银核颗粒(反应温度150℃)作为银核颗粒P1。具体来说，合成银核颗粒(反应温度150℃)之后，利用金属筛网从液相中分离出银核颗粒(反应温度150℃)。接着，用水清洗从液相中分离出的银核颗粒(反应温度150℃)，并将清洗后的银核颗粒(反应温度150℃)分散在乙二醇PA2中。接着，使乙二醇PA2升温到150℃(反应温度)之后，保持在反应温度150℃的同时，以500rpm的转速搅拌一个小时来进行反应。此时，通过硝酸银C2与乙二醇PA2的反应，产生氮氧化物的气体。另外，在此过程中，乙二醇PA2作为硝酸银C2的还原剂发挥作用，同时也作为硝酸银C2的溶剂发挥作用。由以上方法，不实施扁平化加工，就得到了如图2所示那样的粒径和形状均等并具有多面体形状的微米银颗粒P2。而且，利用纳米银颗粒P3填埋了微米银颗粒P2间的空隙。即，得到具有良好的分散性和封装性的银颗粒。另外，以下，有时将经过与图2所示的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)相同的方法(处理)而合成的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)记载为“银颗粒(反应温度150℃)”。接着，参照图2、图3(a)、图3(b)、图4、图5和图6，对于第三阶段所使用的反应温度带给微米银颗粒P2的粒径和纳米银颗粒P3的粒径的影响进行说明。图3(a)是表示通过在第三阶段使用130℃的反应温度而合成的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)的SEM图像的一个例子；图3(b)是表示通过在第三阶段使用200℃的反应温度而合成的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)的SEM图像的一个例子。图3(a)和图3(b)所示的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)除了第三阶段所使用的反应温度不同之外，是经过与合成银颗粒(反应温度150℃)的方法相同的方法来合成的。此外，以下，有时将经过与图3(a)所示的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)相同的方法(处理)而合成的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)记载为“银颗粒(反应温度130℃)”。另外，以下，有时将经过与图3(b)所示的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)相同的方法(处理)而合成的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)记载为“银颗粒(反应温度200℃)”。图4是表示银颗粒(反应温度130℃)的粒径分布的图表。图5是表示银颗粒(反应温度150℃)的粒径分布的图表。图6是表示银颗粒(反应温度200℃)的粒径分布的图表。在图4～图6中，纵轴表示散射强度(％)，横轴表示粒径(nm)。图4～图6中所示的各粒径分布是通过对散射强度分布进行解析而得到的。散射强度分布是利用激光而得到的。如图4～图6所示，在第三阶段所使用的反应温度为130℃、150℃和200℃中的任一情况下，合成了微米级平均粒径的银颗粒P2和纳米级平均粒径的银颗粒P3。具体来说，如图4所示，在第三阶段所使用的反应温度为130℃的情况下，纳米银颗粒P3的粒径范围在200nm～600nm左右，微米银颗粒P2的粒径范围在1.5μm～3.8μm左右。另外，如图5所示，在第三阶段所使用的反应温度为150℃的情况下，纳米银颗粒P3的粒径范围在250nm～800nm左右，微米银颗粒P2的粒径范围在1.8μm～5.2μm左右。另外，如图6所示，在第三阶段所使用的反应温度为200℃的情况下，纳米银颗粒P3的粒径范围在200nm～600nm左右，微米银颗粒P2的粒径范围在0.9μm～2.2μm左右。由此，虽然在第三阶段所使用的反应温度引起所得到的微米银颗粒P2和银颗粒P3的各平均粒径发生变化，不过如图2、图3(a)和图3(b)所示，在任一反应温度下都得到了具有良好的分散性和封装性的银颗粒(微米银颗粒P2和银颗粒P3)。接着，分别对银核颗粒(反应温度150℃)、银颗粒(反应温度130℃)、银颗粒(反应温度150℃)和银颗粒(反应温度200℃)照射X射线，再对X射线的衍射强度的测量结果进行说明。此测量的结果如下，对于银核颗粒(反应温度150℃)、银颗粒(反应温度130℃)、银颗粒(反应温度150℃)和银颗粒(反应温度200℃)的每一个，其米勒指数(111)的结晶面的峰值(X射线的衍射强度)都是最大。此外，米勒指数(200)的结晶面的峰值(X射线的衍射强度)是次大的值。这表示银核颗粒(反应温度150℃)、银颗粒(反应温度130℃)、银颗粒(反应温度150℃)和银颗粒(反应温度200℃)的每一个的形态(形状)都是多面体。在以下的表1中，表示米勒指数(111)的结晶面与米勒指数(200)的结晶面的峰值比率(强度比率)。[表1]强度比率Seed130℃150℃200℃I(111)/I(200)2.5391.971.7271.859在表1中，“Seed”表示银核颗粒(反应温度150℃)，“130℃”表示银颗粒(反应温度130℃)，“150℃”表示银颗粒(反应温度150℃)，“200℃”表示银颗粒(反应温度200℃)。还有，“I(111)/I(200)”表示米勒指数(111)的结晶面与米勒指数(200)的结晶面的峰值比率(强度比率)。如表1所示，根据第三阶段所使用的反应温度，米勒指数(200)的结晶面的比例发生若干变化。这表示最终合成的银颗粒的平均粒径或形状(形态)根据第三阶段所使用的反应温度而发生变化。接着，在第三阶段中，对含有银核颗粒P1的多元醇PA2a滴加溶解有银化合物C2的多元醇PA2b的情况进行说明。图7是表示对含有银核颗粒P1的多元醇PA2a滴加溶解有银化合物C2的多元醇PA2b的情况时得到的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)的SEM图像的一个例子的图。图7所示的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)是由以下的方法来合成的。即，首先将0.5g的聚乙烯吡咯烷酮(分散剂D)分散在50g的乙二醇(多元醇PA1a)中，另一方面，将1.0g的硝酸银(银化合物C1)溶解在25g的乙二醇(多元醇PA1b)中，并混合乙二醇PA1a、PA1b。接着，将混合后的乙二醇(多元醇PA1)升温到150℃(反应温度)之后，保持在反应温度150℃的同时，以350rpm的转速搅拌20分钟来进行反应。此时，通过硝酸银C1与乙二醇PA1的反应，产生氮氧化物的气体。之后，使用金属筛网从乙二醇PA1中分离出银核颗粒P1，并用水清洗银核颗粒P1。接着，将0.01g的清洗后的银核颗粒P1分散在5g的乙二醇(多元醇PA2a)中，制成含有0.2wt％银核颗粒P1的乙二醇PA2a。另一方面，将1.0g的硝酸银(银化合物C2)溶解在50g的乙二醇(多元醇PA2b)中。接着，使乙二醇PA2a升温到150℃之后，保持在反应温度150℃的同时，一边以350rpm的转速搅拌，一边用时30分钟将乙二醇PA2b滴加到乙二醇PA2a中，混合乙二醇PA2a、PA2b。接着，将混合后的乙二醇(多元醇PA2)保持在150℃的温度(反应温度)，以350rpm的转速搅拌30分钟来进行反应。此时，通过硝酸银C2与乙二醇PA2的反应，产生氮氧化物的气体。由以上的方法，不实施扁平化加工，就得到了微米银颗粒P2。并且，如图7所示，所得到的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)具有良好的分散性和封装性。此外，所得到的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)的粒径与银颗粒(反应温度150℃)的粒径不同。接着，对在第一阶段中不使用分散剂D的情况进行说明。图8是表示不使用分散剂D来合成的银颗粒(比较例1)的SEM图像的一个例子的图。图8所示的银颗粒是由以下的方法来合成的。即，首先，将1g的硝酸银(银化合物C1)溶解在50g的乙二醇(多元醇PA1)中。接着，使乙二醇PA1升温到150℃(反应温度)之后，保持在反应温度150℃的同时，以500rpm的转速搅拌一个小时来进行反应。此时，通过硝酸银C1与乙二醇PA1的反应，产生氮氧化物气体。由以上的方法，得到图8所示的银颗粒。但是，由于没有使用分散剂D，因此银颗粒彼此凝集而变成一大块。如此凝集的银颗粒不适合作为浆料的材料。并且，凝集的银颗粒具有大的凹凸不平，不能形成多面体形状。因此，不能提高封装性。接着，对没有经过减少分散剂D的工序来合成银颗粒的情况进行说明。图9(a)是表示没有经过减少分散剂D的工序而合成的银颗粒(比较例2)的SEM图像的一个例子的图，图9(b)是将图9(a)的一部分进行了放大。图9(a)和图9(b)所示的银颗粒是由以下的方法来合成的。即，首先，将0.5g聚乙烯吡咯烷酮(分散剂D)分散在25g的乙二醇(多元醇PA1a)中，另一方面，将1.0g的硝酸银(银化合物C1)溶解在25g的乙二醇(多元醇PA1b)中，混合乙二醇PA1a、PA1b。接着，使混合后的乙二醇(多元醇PA1)升温到150℃(反应温度)之后，保持在反应温度150℃的同时，以500rpm的转速搅拌20分钟来进行反应。此时，通过硝酸银C1与乙二醇PA1的反应，产生氮氧化物的气体。另一方面，将2g的硝酸银(银化合物C2)溶解在50g的乙二醇(多元醇PA2b)中。接着，将乙二醇PA1的温度保持在150℃，一边以500rpm的转速搅拌，一边用时30分钟将乙二醇PA2b滴加到乙二醇PA1中，混合乙二醇PA1、PA2b。接着，将混合后的乙二醇(多元醇PA2)保持在150℃的温度(反应温度)，以500rpm的转速搅拌2小时30分钟来进行反应。此时，通过硝酸银C2与乙二醇PA2的反应，产生氮氧化物的气体。由以上的方法，得到图9(a)和图9(b)所示的银颗粒。但是，由于没有减少分散剂D，与减少了分散剂D的情况相比，合成了较微细的银颗粒。因此，与减少了分散剂D的情况相比，未能提高封装性。接着，对本实施方式的导电浆料制造方法以及导电浆料进行说明。本实施方式的导电浆料制造方法是在所述的银颗粒合成方法之后，进一步包含将合成的银颗粒和醇进行混合的工序。因此，本实施方式的导电浆料包含多面体形状的微米银颗粒P2和醇。优选的是，导电浆料包含多面体形状的微米银颗粒P2、纳米银颗粒P3以及醇。例如，将多元醇PA2中合成的银颗粒P2、P3从多元醇PA2中分离出来，并将分离后的银颗粒P2、P3用水或乙醇来清洗3次或4次。接着，将清洗后的银颗粒P2、P3分散在醇(例如，乙醇)中。经过这些流程能够生成导电浆料。本实施方式的导电浆料能够作为配线材料或粘接材料来使用。例如，导电浆料所包含的银颗粒和醇的比例以重量份来计时，银颗粒：醇是4：1～16：1，优选为6：1～12：1，更优选为8：1～10：1。醇优选为低级醇或者具有从低级烷氧基、氨基以及卤素所构成的组中选择的1个以上取代基的低级醇。关于低级醇，例如可以举出：包含碳原子1～6个的烷基和羟基1～3个的醇，优选为羟基1～2个。关于低级烷基，例如可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、2-甲基丁基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1,1-二甲基丁基、2,2-二甲基丁基、3,3-二甲基丁基以及1-乙基-1-甲基丙基之类的直链状或者支链状的烷基。关于具有碳原子1～6个的烷基和羟基1～3个的低级醇，可以举出：甲醇、乙醇、乙二醇、正丙醇、异丙醇、三甘醇、正丁醇、异丁醇、仲丁醇、叔丁醇、正戊醇、异戊醇、仲戊醇、叔戊醇、2-甲基丁醇、正己醇、1-甲基戊醇、2-甲基戊醇、3-甲基戊醇、4-甲基戊醇、1-乙基丁醇、2-乙基丁醇、1,1-二甲基丁醇、2,2-二甲基丁醇、3,3-二甲基丁醇以及1-乙基-1-甲基丙醇等。在具有从低级烷氧基、氨基以及卤素所构成的组中选择的1个以上的取代基的低级醇中，取代基如下。可以举出在低级烷基中由-O-进行了取代的基作为低级烷氧基。关于低级烷氧基，可以举出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基等。关于卤素，可以举出：氟、溴、氯以及碘。关于具有从低级烷氧基、氨基以及卤素所构成的组中选择的1个以上的取代基的低级醇，可以举出：甲氧基甲醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-氯乙醇、乙醇胺等。接着，对于将本实施方式的导电浆料作为粘接材料来使用的情况下所得到的剪切强度的一个例子，参照图10～图12、图13(a)和图13(b)进行说明。具体来说，对于第一剪切强度试验～第五剪切强度试验所测量的各剪切强度进行说明。第一剪切强度试验中，使用图10所示的第一粘接样品1。图10是表示本实施方式的第一粘接样品1的示意图。如图10所示，第一粘接样品1包含镀银的铜基板2、镀银的铜基板3以及导电浆料4。导电浆料4粘接铜基板2和铜基板3。导电浆料4的制造中，使用了经过与图7所示的银颗粒P2、P3相同的方法(处理)来合成的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)。具体来说，经过第一阶段～第三阶段，在乙二醇PA2中合成银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)之后，使用金属筛网从乙二醇PA2中分离出该银颗粒P2、P3。接着，用乙醇清洗分离后的银颗粒P2、P3。接着，将清洗后的银颗粒P2、P3分散在乙二醇中来制造导电浆料4。然后，使用0.1μm的掩模将导电浆料4印刷到铜基板2上之后，将铜基板3放置在已印刷的导电浆料4上。接着，在大气环境下，将铜基板2和铜基板3以200℃的温度加热60分钟来对导电浆料4进行烧成(烧结)，粘接铜基板2和铜基板3。之后，将剪切力赋予所粘接的铜基板2、3，并对剪切强度进行测量。结果，得到了30MPa以上的剪切强度。图11是表示从塗布了导电浆料4一侧拍摄剪切强度测量后的铜基板2而得到的图像的图，图12是放大了图11所示的A部分的图。具体来说，A部分是铜基板3没有进行粘接的部分。图13(a)是放大图11所示的B部分的图。具体来说，B部分是铜基板3进行了粘接的部分。另外，图13(b)是放大表示图13(a)的一部分。如图12、图13(a)以及图13(b)所示，导电浆料4的封装性良好，导电浆料4所包含的银颗粒经过烧成而成为致密的膜状。可以认为：由于银颗粒这样成为致密的膜状，从而达到了30MPa以上的剪切强度。接着，对第二剪切强度试验～第五剪切强度试验所测量的各剪切强度进行说明。第二剪切强度试验～第五剪切强度试验中，使用与第一剪切强度试验中相同的第一粘接样品1。第二剪切强度试验～第五剪切强度试验中，导电浆料4中使用的银颗粒与第一剪切强度试验中的不同。具体来说，第二剪切强度试验中使用银颗粒(反应温度130℃)，第三剪切强度试验中使用银颗粒(反应温度150℃)，第四剪切强度试验中使用银颗粒(反应温度200℃)，第五剪切强度试验中使用银核颗粒(反应温度150℃)。另外，在第五剪切强度试验中，经过与图1所示的银核颗粒P1相同的方法，在乙二醇PA1中合成银核颗粒P1之后，使用金属筛网从乙二醇PA1中分离出该银核颗粒P1。接着，用乙醇清洗分离后的银核颗粒P1。接着，将清洗后的银核颗粒P1分散在乙二醇中来制作导电浆料4。之后，依照与第一剪切强度试验相同的方法，来粘接铜基板2与铜基板3。第二剪切强度试验的结果，在使用银颗粒(反应温度130℃)的情况下，剪切强度为40MPa以上。第三剪切强度试验的结果，在使用银颗粒(反应温度150℃)的情况下，剪切强度为25MPa以上。第四剪切强度试验的结果，在使用银颗粒(反应温度200℃)的情况下，剪切强度为30MPa以上。另一方面，第五剪切强度试验的结果，在使用银核颗粒(反应温度150℃)的情况下，剪切强度为5MPa以上11MPa以下。因此，通过使用包含微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3的导电浆料4，达到了25MPa以上的剪切强度。特别是，通过使用银颗粒(反应温度130℃)或银颗粒(反应温度200℃)，得到了30MPa以上的剪切强度。接着，参照图14～图17，对作为粘接材料来使用的导电浆料4的剖面进行说明。图14是表示第二粘接样品5的示意图。第二粘接样品5包含导电浆料4、铜基板6以及铜仿真芯片7。铜基板6的一个主表面被钛/银层6a所覆盖。具体而言，钛层和银层按所述顺序层叠在铜基板6的一个主表面上。同样地，铜仿真芯片7的一个主表面被钛/银层7a所覆盖。具体而言，钛层和银层按所述顺序层叠在铜仿真芯片7的一个主表面上。铜基板6和铜仿真芯片7在钛/银层6a与钛/银层7a相对的状态下，由导电浆料4进行粘接。具体而言，经过第一阶段～第三阶段，在乙二醇PA2中合成银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)之后，使用金属筛网从乙二醇PA2中分离出该银颗粒P2、P3。接着，用乙醇清洗分离后的银颗粒P2、P3。接着，将清洗后的银颗粒P2、P3分散在乙二醇中来制造导电浆料4。然后，使用0.1μm的掩模，将导电浆料4印刷到铜基板6(钛/银层6a)上之后，将铜仿真芯片7(钛/银层7a)放置在已印刷的导电浆料4上。接着，在大气环境下，将铜基板6和铜仿真芯片7以250℃的温度加热30分钟来对导电浆料4进行烧成(烧结)，粘接铜基板6与铜仿真芯片7。图15～图17各自表示在第二粘接样品5中作为粘接材料来使用的导电浆料4的剖面的SEM图像的一个例子的图。具体来说，图15是表示使用银颗粒(反应温度130℃)来制作的导电浆料4的剖面；图16是表示使用银颗粒(反应温度150℃)来制作的导电浆料4的剖面；图17是表示使用银颗粒(反应温度200℃)来制作的导电浆料4的剖面。如图15～图17所示，在使用银颗粒(反应温度150℃)的情况下，与使用银颗粒(反应温度130℃)或银颗粒(反应温度200℃)的情况相比，空隙较多。即，填充密度低。可以认为：由于填充密度这样的降低，因此，与使用银颗粒(反应温度130℃)或银颗粒(反应温度200℃)的情况相比，使用银颗粒(反应温度150℃)的情况下的剪切强度降低。另外，填充密度变低的原因可以认为是：如参照图4～图6进行的说明，与第三阶段使用反应温度130℃或200℃的情况相比，第三阶段使用反应温度150℃的情况下，微米银颗粒P2的平均粒径(散射强度的峰值)与纳米银颗粒P3的平均粒径(散射强度的峰值)的乖离程度变大。接着，参照图18，对于第二粘接样品5放置在高温环境中的情况下所发生的剪切强度变化进行说明。图18是表示第二粘接样品5的剪切强度变化的图表。具体而言，图18表示：将铜基板6和铜仿真芯片7以250℃的温度加热30分钟来对导电浆料4进行烧成(烧结)之后，在250℃的气体环境中放置第二粘接样品5的情况下所发生的第二粘接样品5的剪切强度变化。在图18中，纵轴表示剪切强度(MPa)，横轴表示时间(hour)。此外，在图18中，折线L1表示：将使用银颗粒(反应温度130℃)来制造的导电浆料4作为粘接材料的第二粘接样品5的剪切强度变化；折线L2表示：将使用银颗粒(反应温度200℃)来制造的导电浆料4作为粘接材料的第二粘接样品5的剪切强度变化。如图18所示，在使用银颗粒(反应温度130℃)的情况下，导电浆料4刚烧成之后的剪切强度为50MPa以上。另外，使用银颗粒(反应温度130℃)的情况下，剪切强度随着时间的经过而降低，从导电浆料4的烧成开始经过500个小时后的剪切强度为40MPa以上45MPa以下。另一方面，在使用银颗粒(反应温度200℃)的情况下，导电浆料4刚烧成之后的剪切强度为45MPa以上50MPa以下。另外，在使用银颗粒(反应温度200℃)的情况下，剪切强度随着时间的经过而增加，从导电浆料4的烧成开始经过500个小时之后的剪切强度为55MPa以上60MPa以下。因此，通过使用银颗粒(反应温度130℃)或银颗粒(反应温度200℃)，即使将所烧成的导电浆料4放置在高温环境下，也能够得到40MPa以上的剪切强度。根据本实施方式，能够得到封装性提高了的银颗粒，并能够通过使用该银颗粒制造导电浆料来实现粘接强度的提高。另外，由此，在将本实施方式的导电浆料作为配线材料来使用的情况下，能够形成粘接强度高的配线。接着，对于本实施方式的导电浆料4的热分析结果，参照图19进行说明。具体来说，对导电浆料4进行加热，并对其重量的变化进行测量。在本实施方式中，对三种导电浆料4进行热分析。三种导电浆料4在第三阶段所使用的反应温度不同。具体来说，对于第三阶段使用反应温度130℃来制造的第一导电浆料4a、第三阶段使用反应温度150℃来制造的第二导电浆料4b以及第三阶段使用反应温度200℃来制造的第三导电浆料4c进行热分析。图19表示第一导电浆料4a～第三导电浆料4c的重量的减少量的变化。在图19中，纵轴表示第一导电浆料4a～第三导电浆料4c的重量的减少量，横轴表示第一导电浆料4a～第三导电浆料4c的烧成温度。此外，在图19中，曲线L3表示第一导电浆料4a的重量的减少量的变化，曲线L4表示第二导电浆料4b的重量的减少量的变化，曲线L5表示第三导电浆料4c的重量的减少量的变化。如图19所示，第一导电浆料4a～第三导电浆料4c均在100℃左右处，重量降低约2.9％～3.8％左右。可以认为：第一导电浆料4a～第三导电浆料4c的重量的减少是由于加热使有机物挥发而造成的。挥发的有机物是乙二醇和乙醇。此外，在银颗粒中残留有聚乙烯吡咯烷酮的情况下，聚乙烯吡咯烷酮也挥发。另一方面，100℃～200℃之间，重量的减少量在第一导电浆料4a～第三导电浆料4c中均仅有一点。这表示残留的有机物的量仅有一点。因此，根据本实施方式，即使是在低温(150℃左右)中对导电浆料4进行了烧成的情况下，也能够减少导电浆料4中所包含的有机物之量。然后，通过有机物的量的减少，银颗粒成为致密的膜状。接着，对于本实施方式的导电浆料4作为配线材料来使用的情况下所得到的体积电阻率(电阻率)的一个例子，参照图20进行说明。具体来说，对于由形成在玻璃基板上的导电浆料4构成的配线的体积电阻率进行测量，并对测量结果进行说明。在导电浆料4的制造中，使用了经过与图7所示的银颗粒P2、P3相同的方法(处理)来合成的银颗粒(微米银颗粒P2和纳米银颗粒P3)。图20表示三种配线的体积电阻率。三种配线是分别使用150℃、180℃、200℃作为烧成温度来对导电浆料4进行烧成而形成的。在图20中，纵轴表示体积电阻率，横轴表示烧成温度。如图20所示，即使是在150℃左右的低温中进行了烧成的情况下，也达到了足够低的电阻率(10-5Ω·cm量级的体积电阻率)。这表示导电浆料4中所包含的银颗粒具有良好的封装性。此外，烧成温度越高则体积电阻率越低。特别是，在烧成温度是200℃的情况下，达到了10-6Ω·cm量级的体积电阻率。接着，参照图21，对于将所述的第一导电浆料4a～第三导电浆料4c的每一个作为配线材料来使用的情况下得到的体积电阻率(电阻率)的一个例子进行说明。具体来说，对以下的结果进行说明：由形成在玻璃基板上的第一导电浆料4a构成的配线的体积电阻率的测量结果、由形成在玻璃基板上的第二导电浆料4b构成的配线的体积电阻率的测量结果以及由形成在玻璃基板上的第三导电浆料4c构成的配线的体积电阻率的测量结果。在图21中，圆形符号表示将第一导电浆料4a作为配线材料的三种配线的体积电阻率。三种配线是分别使用150℃、180℃、200℃作为烧成温度来对第一导电浆料4a进行烧成而形成的。同样地，方块符号表示分别使用150℃、180℃、200℃作为烧成温度来对第二导电浆料4b进行烧成而形成的三种配线的体积电阻率；三角符号表示分别使用150℃、180℃、200℃作为烧成温度来对第三导电浆料4c进行烧成而形成的三种配线的体积电阻率。另外，在图21中，纵轴是表示体积电阻率，横轴是表示烧成温度。如图21所示，即使是在150℃左右的低温中进行了烧成的情况下，也达到了足够低的电阻率(10-5Ω·cm量级的体积电阻率)。另外，烧成温度越高，则体积电阻率越低。特别是，烧成温度是200℃的情况下，达到了10-6Ω·cm量级的体积电阻率。此外，在使用150℃作为烧成温度的情况下，第二导电浆料4b(方块符号)的体积电阻率的分散程度比第一导电浆料4a(圆形符号)和第三导电浆料4c(三角符号)大。同样地，在使用180℃作为烧成温度的情况下，第二导电浆料4b(方块符号)的体积电阻率的分散程度也比第一导电浆料4a(圆形符号)和第三导电浆料4c(三角符号)大。可以认为原因是：如参照图4～图6进行的说明，在第三阶段使用150℃的反应温度的情况下，微米银颗粒P2的粒径范围(分散程度)和纳米银颗粒P3的粒径范围(分散程度)均比在第三阶段使用130℃或200℃的反应温度的情况大。如上所述，根据本实施方式，能够得到封装性提高了的银颗粒，通过使用该银颗粒来制造导电浆料，即使是在低温(150℃左右)中进行了烧成的情况下，也能够达到足够低的电阻率(10-5Ω·cm量级的体积电阻率)。另外，由此，通过将本实施方式的导电浆料作为粘接材料来使用，能够充分降低粘接部件之间的电阻率。此外，在本实施方式中，对使用多元醇法作为合成银核颗粒P1的方法的情况进行了说明，但合成银核颗粒P1的方法并不限于多元醇法，只要能够合成纳米级平均粒径(中位径)的银核颗粒P1，银化合物C1、分散剂D以及还原剂R1的种类就没有特别限定。例如，银核颗粒P1也可以通过水热合成法等方法来合成。在使用水热合成法的情况下，可以使用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为银的金属盐(银化合物)的还原剂，在此情况下，聚乙烯吡咯烷酮作为还原剂发挥作用，另一方面，也作为分散剂发挥作用。〔产业可利用性〕根据本发明，能够提高银颗粒的封装性，并且可用在形成于低耐热性部件的配线中，或者低耐热性部件的粘接中。〔附图标记说明〕1第一粘接样品2、3、6铜基板4导电浆料5第二粘接样品7铜仿真芯片当前第1页1 2 3