一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置的制作方法

技术特征：

1.一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，

所述承载装置与等离子体刻蚀设备配合而完成晶元的刻蚀作业；

所述承载装置为石墨板本体；

所述石墨板本体开设若干装载所述晶元的晶元承载槽；

所述石墨板本体开设装载检测片的监测承载槽。

2.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，

所述等离子体刻蚀设备包括激光终点监测装置；

所述激光终点监测装置用于实时监测刻蚀作业；

当进行刻蚀作业时，所述石墨板本体设置在所述监测承载槽正对所述激光终点监测装置底部的位置。

3.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，

所述石墨板本体设置为圆形盘状结构；

若干所述晶元承载槽及所述监测承载槽开设在所述石墨板本体的顶面；

若干所述晶元承载槽沿所述石墨板本体的圆周均布；

所述监测承载槽设置在所述石墨板本体的中心。

4.如权利要求3所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，

所述晶元承载槽为圆形槽；

所述监测承载槽为方形槽，所述监测承载槽的中心与所述石墨板本体的中心位于同一位置；

所述监测承载槽的方形截面面积小于所述晶元承载槽的圆形截面面积。

5.如权利要求4所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，

所述晶元承载槽的内径为76.2mm。

6.如权利要求4所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，

所述监测承载槽的边长为20mm；

所述监测承载槽的深度为0.6mm。

7.如权利要求4所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，

所述石墨板本体的圆周均布有4个所述晶元承载槽。

8.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，

所述晶元承载槽的形状与所述晶元的形状相适应；

所述监测承载槽的形状与所述监测片的形状相适应。

9.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，

所述晶元与所述监测片的材质和构成相同。

10.如权利要求9所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，

所述晶元与所述监测片的材质为砷化镓。