技术特征：
技术总结
根据实施例的半导体器件可以包括：衬底；第一发光结构和第二发光结构，其被布置在衬底上；第一反射电极，其被布置在第一发光结构上；第二反射电极，其被布置在第二发光结构上；连接电极；第一电极焊盘；以及第二电极焊盘。根据实施例，第一发光结构可以包括：第一导电类型的第一半导体层；第一有源层，其被布置在第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，其被布置在第一有源层上；以及第一通孔，其通过第二半导体层和第一有源层延伸并且暴露第一半导体层。第二发光结构与第一发光结构间隔开，并且可以包括：第一导电类型的第三半导体层、布置在第三半导体层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型上的第四半导体层。
技术研发人员：徐在元
受保护的技术使用者：LG伊诺特有限公司
技术研发日：2017.12.21
技术公布日：2019.08.09