本发明涉及led封装技术领域，尤其涉及一种磁性颗粒及其制作的led器件。
背景技术：
led作为新一代的照明解决方案，具有节能、光品质高、光色可定制等优点，正在应用于越来越多的场合。介于此，led应用端对led光源的性能要求也越来越高。led光源的生产流程为：固晶-焊线-点胶-固化-测试-包装，其中“点胶”工序的技术还在不断革新，其他工序已经非常成熟。“点胶”是将led荧光粉和透明硅胶的混合物涂覆到led碗杯内，使led器件发出特定颜色的光以满足应用需要。
为了提高led光源的可靠性和光品质，点胶时使荧光粉颗粒沉降到led光源底部的方式已被业内认可。目前常用的方法主要有两个：
1)依靠荧光粉自身的重力沉降；
2)通过离心设备，使荧光粉在离心力的作用下沉降。
使用方法1的led器件缺点有：
1)对硅胶粘度要求高，粘度太低生产难以控制，粘度太高粉沉降时间太长；
2)沉降时间过程，一般至少需要4小时才能达到理想的沉降效果；
3)部分小颗粒粉无法沉降，影响led器件性能。
使用方法2)的led器件缺点是：大尺寸发光面的led光源很难实现。因为旋转离心时大发光面不同位置受到的离心力相对方向不一致，导致离心后荧光粉不均匀，导致产品不合格。
技术实现要素：
为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种适用于led器件沉降的磁性颗粒。
本发明的目的之二在于提供一种由上述磁性颗粒制作的led器件。
本发明的目的之一采用如下技术方案实现：
一种磁性颗粒，所述磁性颗粒包括内核与包裹层，所述内核为直径为0.1nm-10μm的磁性材料，所述包裹层的透明度≥90％，所述包裹层的厚度为1-10μm，所述磁性颗粒的电阻率≥10ω·m。
进一步地，所述包裹层的材质为硅树脂或二氧化硅。
进一步地，所述内核的材料为磁性金属单质或金属氧化物。
进一步地，所述磁性颗粒的内核为直径为30-50nm的镍或钴，所述磁性颗粒的包裹层为4-6μm的硅树脂。
本发明的目的之二采用如下技术方案实现：
一种led器件，该led器件是由在点胶前和/或点胶后，向荧光胶中加入如上述的磁性颗粒经磁力沉降后得到的。
进一步地，所述磁性颗粒在荧光胶中的分布浓度为荧光胶重量的0.01％-10％。
进一步地，所述磁性颗粒在荧光胶中的分布浓度为荧光胶重量的0.2％-0.5％。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
本发明提供的磁性颗粒包括具有磁性的内核以及透明性较佳的绝缘外壳，该磁性颗粒可以通过磁力作用，将荧光胶内的荧光粉辅助沉降于led芯片上。采用该磁性颗粒制作的led器件，品质提高，良率提升。
附图说明
图1为本发明的cob芯片的结构示意图；
图2为图1沿a-a’面剖面结构示意图；
图3为实施例1图2的r部分的局部示意图；
图4为实施例2图2的r部分的局部示意图；
图5为本发是的磁性颗粒的结构示意图；
图6为本发明的cob芯片的成品结构示意图；
图7为本发明的电磁沉降设备的结构示意图。
图中，各附图标记：1、基板；11、凹槽；2、led芯片；3、围坝；4、荧光胶；5、荧光粉；6、磁性颗粒；61、内核；62、包裹层；7、电磁沉降设备；71、传送带；72、电磁发生装置；73、沉降区；74、喷洒区。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
本发明提供一种磁性颗粒，该磁性颗粒6可应用于led器件的制作，如图1所示，用于对led器件基板1上的led芯片2进行封装，如图2所示，基板1上设有供led芯片2安装的凹槽11，凹槽11的周围设有围坝3，带有荧光粉5的荧光胶4将led芯片2封装于围坝3内。
该磁性颗粒6包括内核61与包裹层62，所述内核61为直径为0.1nm-10μm的磁性材料，所述包裹层62的透明度≥90％，所述包裹层62的厚度为1-10μm，所述磁性颗粒6的电阻率≥10ω·m。
即该磁性颗粒6是内磁性外绝缘的颗粒物，不会形成导电层，能有效避免磁性颗粒6的导电性对ledcob芯片的电性影响，不会其外壳具有较佳的透明度，磁性颗粒6内核61小且包裹层62折射率与荧光胶4相当，对led的亮度几乎没有影响。
本发明中，所述包裹层62的材质为硅树脂或二氧化硅。即与荧光胶4在折射率上具有较佳的相容性。采用磁性内核61和硅树脂或二氧化硅包裹层62，还使得该磁性颗粒6在比重上具有较佳的可控性，可以通过调整内核61与包裹层62的径比以调整磁性颗粒6的比重，从而控制磁性颗粒6的沉降速率和沉降水平。
本发明中，所述内核61的材料为磁性金属单质或金属氧化物。内核61的材料优选为无色或白色的颗粒，如镍或钴或铁，或进一步地，选择不易氧化的颗粒，如镍或钴。
本发明的磁性颗粒6，内核61的形状优选为圆球形或椭球形。
本发明提供的一种led器件，该led器件是由在点胶前和/或点胶后，向荧光胶4中加入如上述的磁性颗粒6经磁力沉降后得到的。
该led器件由于在磁力和重力的作用下，荧光粉5在静电作用力和分子间作用力，在磁性颗粒6的沉降过程中，吸附于磁性颗粒6的表面一同沉降于ledcob芯片上，从而提高ledcob的出光品质，良率提升。磁性颗粒6包裹体为绝缘包裹体，从而提高了该ledcob产品的安全性。
实施例1：
一种led器件的作用方法，如图3所示，固晶和焊线后，向荧光胶4加入磁性颗粒6进行点胶，荧光粉5与磁性颗粒6在荧光胶4内随机分布，再使该荧光胶4通过电磁沉降设备7，以使磁性颗粒6在电磁作用下沉降；再进行固化等后续处理。
如图5所示，磁性颗粒6包括内核61与包裹层62，内核61的材质为镍，内核61的直径为40-50nm，所述包裹层62为硅橡胶透明包裹层62，包裹层62的厚度为5-6μm；磁性颗粒6在荧光胶4中的分布浓度为荧光胶4重量的0.3％。磁性颗粒6的电阻率为20ω·m。
实施例2：
一种led器件的作用方法，如图4所示，固晶和焊线后进行点胶，在点胶完毕的荧光胶4表面喷洒磁性颗粒6，磁性颗粒6分布在荧光胶4表面，再使该荧光胶4通过电磁沉降设备7，以使磁性颗粒6在电磁作用下沉降；再进行固化等后续处理。
如图5所示，磁性颗粒6包括内核61与包裹层62，内核61的材质为钴，内核61的直径为50-60nm，所述包裹层62为硅橡胶透明包裹层62，包裹层62的厚度为4-5μm；该磁性颗粒6在荧光胶4中的分布浓度为荧光胶4重量的0.5％。磁性颗粒6的电阻率为15ω·m。
实施例3：
一种led器件的作用方法，如图4所示，固晶和焊线后，向荧光胶4加入部分磁性颗粒6进行点胶，在点胶完毕的荧光胶4表面喷洒部分磁性颗粒6，磁性颗粒6同时分布在荧光胶4表面和内部，再使该荧光胶4通过电磁沉降设备7，以使磁性颗粒6在电磁作用下沉降；再进行固化等后续处理。
如图5所示，磁性颗粒6包括内核61与包裹层62，内核61的材质为钴，内核61的直径为20-30nm，所述包裹层62为二氧化硅透明包裹层62，包裹层62的厚度为6-8μm；该磁性颗粒6在荧光胶4中的分布浓度为荧光胶4重量的0.2％。磁性颗粒6的电阻率为30ω·m。
以上实施例1-3中，电磁沉降设备7从下到上结构依次是：电磁发生装置72、传送带71、腔体。腔体的沉降区73域可通过控制底部电磁发生装置72控制磁性颗粒6(及荧光粉5颗粒)的沉降。电磁沉降区73可设置多个区，方便对磁性颗粒6进行更紧密的控制。
对于实施例2和3，在沉降区73的前部还设置有磁性颗粒6喷洒区74，该区底部无电磁发生装置72。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。