本发明涉及led封装技术领域，尤其是一种led封装方法。
背景技术：
用银浆将led芯片焊接在基板上，这种焊接存在的缺点：led芯片与基板间导热性不好，led芯片与基板不够牢固，led芯片容易从基板上脱离。
技术实现要素：
本发明的目的是解决现有技术的不足，提供一种led封装方法。
本发明的一种技术方案：
一种led封装方法，包括:在led芯片下表面涂覆锡金合金层；在铜片的上端面沉金，使得铜片的上端面形成金层；将若干铜片放入高温炉内；将下表面涂覆有锡金合金层的led芯片压合在铜片上端面使得锡金合金层与金层熔合。
一种优选方案是在铜片的左侧面或右侧面固定绝缘胶，将相邻铜片通过绝缘胶绝缘固定。
一种优选方案是锡金合金层与金层熔合在一起的温度为300～320度。
一种优选方案是所述锡金合金层与金层熔合在一起的温度为310度。
综合上述技术方案，本发明的有益效果：锡金合金层与金层之间导热性好，散热效果好，可适用于大功率的led封装，锡金合金层与金层之间固定牢固。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是本发明的流程图；
图2是本发明中led芯片和铜片的熔合之前立体图；
图3是本发明中led芯片和铜片的熔合之后立体图；
图4是本发明中若干铜片的熔合时立体图。
具体实施方式
如图1至图4所示，一种led封装方法，包括:
s1，在led芯片20下表面涂覆锡金合金层21；
s2，在铜片10的上端面沉金，使得铜片10的上端面形成金层11；
s3，将若干铜片10放入高温炉内；
s4，将下表面涂覆有锡金层11的led芯片20压合在铜片10上端面使得锡金合金层21与金层11熔合。
具体的，高温炉为分段加热的熔炉带，熔炉带的温度从一端到另外一端依次增加，温度增加的梯度可以是10度，20度或者30度，将上端面设有金层11的铜片10放置在熔炉带上，铜片10随熔炉带一起移动，铜片10的温度不断升高；将下表面涂覆有锡金合金层21的led芯片20压合在铜片10上端面，使得铜片10上端面的金层11和led芯片20下表面的锡金合金层21熔合在一起。
优选的，在铜片10的左侧面或右侧面固定绝缘胶30，将相邻铜片10通过绝缘胶30绝缘固定。具体的，将熔化的绝缘胶30固定在铜片10的左侧面或右侧面，将相邻铜片10压合，使得铜片10一侧面的绝缘胶30与相邻铜片10粘接固定。
优选的，锡金合金层21与金层11熔合在一起的温度为300～320度，即将上端面设有金层11的铜片10放置在熔炉带上，加热温度至300～320度，将下表面涂覆有锡金合金层21的led芯片20压合在铜片10上端面，使得铜片10上端面的金层11和led芯片20下表面的锡金合金层21熔合在一起。当高温炉的温度加热至300～320度时，锡金合金层21处于熔化状态，此时锡金合金层21与铜片10上端面的金层11熔合在一起。
优选的，锡金合金层21与金层11熔合在一起的温度为310度。
以上是本发明的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。