技术特征：
技术总结
本发明提供一种阵列基板及阵列基板的制作方法，通过在基板与半导体层之间形成第一源漏极层，并通过热处理使得所述第一源漏极层的材料扩散至所述半导体层中，使得所述半导体层对应于所述第一源漏极层的位置进行导体化，得到的所述半导体层包括半导体区，及位于所述半导体区两侧的导体化的第一导体区及第二导体区。并且，通过热处理的方式将所述第一源漏极的材料扩散至所示的半导体层中，并在此过程中半导体层中的氧含量重新分布，从而得到导体化的所述第一导体化区及所述第二导体区。导体化的所述第一导体化区及所述第二导体区具有良好的热稳定性，不会受后续的热处理过程的影响，从而能够保证载流子的传输，保证薄膜晶体管的电性能。
技术研发人员：张健民
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2018.02.26
技术公布日：2018.08.10