技术总结
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片，该方法包括：在半导体芯片第一区域的上表面形成第一SiN层；其中，所述第一区域包括压点之外的区域，或所述第一区域包括所述压点之外的区域和所述压点的边缘区域；在所述第一SiN层的上表面形成有机聚合物层；在所述有机聚合物层的上表面和侧壁形成第二SiN层；其中，所述第一SiN层和所述第二SiN层完全包裹所述有机聚合物层。本发明能够显著提高半导体芯片的抗潮气性能。
技术研发人员：付兴中;王川宝;廖龙忠;吕树海;张力江;崔玉兴;
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所;
技术研发日：2018.02.28
技术公布日：2018.08.03