1.衬底支承件，其上下隔开间隔地水平支承多个衬底，并且具有：
主支柱，其设置有支承所述衬底的衬底保持部；和
辅助支柱，其直径比所述主支柱的直径大且比所述衬底保持部的长度小，并且，所述辅助支柱与所述衬底的端部的距离设置为比所述衬底的端部与在设置于所述主支柱的相邻的所述衬底保持部之间构成的所述主支柱的表面的距离短，并且所述辅助支柱构成为不与所述衬底接触。
2.根据权利要求1所述的衬底支承件，其中，所述辅助支柱构成为不设置所述衬底保持部。
3.根据权利要求1所述的衬底支承件，其中，所述衬底保持部的长度为20mm以上且30mm以下。
4.根据权利要求1所述的衬底支承件，其中，构成为所述主支柱在大致半圆周上设置三根，在该三根之中，在所述衬底的搬入及搬出的方向上设置基准支柱，以所述基准支柱为中心，在相对于所述衬底被载置的方向呈左右对称的位置设置所述主支柱。
5.根据权利要求4所述的衬底支承件，其中，构成为进一步在所述基准支柱与所述基准支柱以外的所述主支柱之间设置辅助支柱。
6.根据权利要求1所述的衬底支承件，其中，构成为所述辅助支柱的根数设置为多于所述主支柱的根数。
7.根据权利要求6所述的衬底支承件，其中，构成为所述辅助支柱的直径具有在比所述主支柱的直径大的范围内的不同直径。
8.根据权利要求1所述的衬底支承件，其中，所述主支柱及所述辅助支柱的截面形状选自正圆、半圆、椭圆、多边形中的任一者。
9.根据权利要求1所述的衬底支承件，其中，构成为所述主支柱的根数多于所述辅助支柱的根数。
10.衬底处理装置，其具有：
处理多个衬底的处理室；
衬底支承件，其上下隔开间隔地水平支承所述多个衬底，并且具备：主支柱，其设置有支承所述衬底的衬底保持部；和辅助支柱，其直径比所述主支柱的直径大且比所述衬底保持部的长度小，并且，所述辅助支柱与所述衬底的端部的距离设置为比所述衬底的端部与在设置于所述主支柱的相邻的所述衬底保持部之间构成的所述主支柱的表面的距离短，并且所述辅助支柱构成为不与所述衬底接触；
向所述处理室供给处理气体的处理气体供给系统；和
控制部，其构成为控制所述处理气体供给系统，以使得对收容在所述处理室的、被所述衬底支承件支承的衬底供给所述处理气体，从而在所述衬底上形成膜。
11.半导体器件的制造方法，其具有：
在将衬底支承在下述衬底支承件的状态下，将所述衬底搬入处理室的工序，其中，所述衬底支承件具有主支柱和辅助支柱并且上下隔开间隔地水平支承多个衬底，所述主支柱设置有支承所述衬底的衬底保持部，所述辅助支柱的直径比所述主支柱的直径大且比所述衬底保持部的长度小，并且，所述辅助支柱与所述衬底的端部的距离设置为比所述衬底的端部与在设置于所述主支柱的相邻的所述衬底保持部之间构成的所述主支柱的表面的距离短，并且所述辅助支柱构成为不与所述衬底接触；和
对所述处理室供给处理气体，从而在所述衬底上形成膜的工序。