技术特征：
技术总结
本申请公开了一种半导体器件及其封装方法。在该器件中，通过设置于第二基板的第一焊垫上方的、且延伸至第一基板的通孔内的互连结构实现第一基板和第二基板的焊接导通。用于形成该第一基板上的通孔可以通过较小间距工艺实现，例如电镀工艺，因此，形成于该通孔内的、用于实现第一基板和第二基板焊接的互连结构可以实现较小间距连接，能够满足更小间距工艺能力需求。因此，本申请实施例提供的通过形成于第二基板的第一焊垫上方且延伸至第一基板的通孔内的互连结构能够实现更小间距的电性连接，从而有利于提升堆叠封装器件的封装密度。
技术研发人员：常明;张晓东;黄京;刘国文
受保护的技术使用者：华为技术有限公司
技术研发日：2018.03.21
技术公布日：2019.10.01