技术特征：
技术总结
本发明提出一种垂直硅纳米线晶体管的制造工艺方法，通过改进原有的垂直硅纳米线晶体管的工艺制造技术，避免了原有技术中垂直硅纳米线晶体管在对源漏进行离子注入时其围栅的阻挡效应，而这种阻挡效应会造成源漏掺杂的不均匀导致器件性能的不对称性，使电路设计及器件可靠性遇到问题。本发明采用了新的工艺步骤，解决了垂直硅纳米线晶体管围栅阻挡了一部分源端离子注入带来的器件结构和特性不对称问题，使垂直硅纳米线晶体管结构和性能能够对称，不依赖于源漏的选择，这样电路设计将大为受益。
技术研发人员：顾经纶
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2018.08.31
技术公布日：2019.01.11