具有线性和非线性导电通路的异构互连的制作方法

集成电路（ic）设备常规上经由连接器连接到其他ic设备并且与其他ic设备进行通信，该连接器具有载送高速信号的大量电互连。电互连是紧密接近的并且通常经受信号串扰以及其他干扰，这使得信号完整性降级并且在所接收到的信号中引起误差。

附图说明

实施例将通过结合附图的以下详细描述而被容易地理解。为了促进该描述，相同的附图标记标明相同的结构要素。在附图的各图中，作为示例而不是作为限制来图示实施例。

图1a是根据各种实施例的图示了正交的电场的处于具有非线性导电通路的两个互连之间的具有线性导电通路的一个互连的侧视图。

图1b是根据各种实施例的图示了正交的磁场的处于具有非线性导电通路的两个互连之间的具有线性导电通路的一个互连的侧视图。

图2a-2c是根据各种实施例的具有非线性导电通路的示例性互连的各种视图。

图3a-3b是根据各种实施例的具有非线性导电通路的另一个示例性互连的各种视图。

图4是根据各种实施例的具有非线性导电通路的另一个示例性互连的侧视图。

图5a-5b是根据各种实施例的具有非线性导电通路部分和线性导电通路部分的示例互连的侧视图。

图6a-6b是根据各种实施例的具有非线性导电通路部分和线性导电通路部分的互连的另一个示例的侧视图。

图7a-7c是根据各种实施例的包括具有非线性导电通路的各种互连的引脚栅格阵列（pga）封装的示例性引脚阵列。

图8是根据各种实施例的包括具有非线性导电通路的互连的示例性组合pga和lga封装。

图9a-9b是根据各种实施例的带有具有非线性导电通路的互连的示例性板对板连接器。

图10a-10b是根据各种实施例的包括具有非线性导电通路的各种互连的示例性制造测试插座的各种视图。

图11a和11b是可以与本文中所公开的具有图案化保护层的ic封装的实施例中的任一个一起使用的晶片和管芯的顶视图。

图11c是可以与本文中所公开的具有非线性导电通路的电互连的实施例中的任一个一起使用的ic设备的剖面侧视图。

图12是可以包括本文中所公开的具有非线性导电通路的电互连的实施例中的任一个的示例计算设备的框图。

具体实施方式

本文中公开了具有非线性导电通路的电互连，以及相关的结构、设备和方法。在一些实施例中，电互连可以包括：导电顶部、导电底部以及将顶部和底部电耦合的非线性导电通路。在一些实施例中，电互连可以包括：非线性导电通路，其中该非线性导电通路是螺旋状的。在一些实施例中，电互连可以包括：非线性导电通路，其中该非线性导电通路是正弦曲线状的。在一些实施例中，电互连可以包括：非线性导电通路部分，以及线性导电通路部分，其中电信号沿该非线性导电通路和线性导电通路而行。在一些实施例中，电互连可以包括：非线性导电通路；其中电互连传播电信号，以使得该电信号具有下述电磁场：该电磁场的电场与电磁波传播的方向正交。在一些实施例中，具有非线性导电通路的电互连可以是弹簧承载的互连。在一些实施例中，具有非线性导电通路的电互连可以是冲压互连。

在本文中还公开的是带有具有非线性导电通路的电互连的连接器。在一些实施例中，连接器可以包括：具有非线性导电通路的第一电互连，其中沿非线性导电通路而行的信号生成第一电磁场；以及具有线性导电通路的第二电互连，其中沿线性导电通路而行的信号生成第二电磁场；其中第二电磁场与第一电磁场正交。在一些实施例中，连接器可以包括具有非线性导电通路的第一电互连；以及具有线性导电通路的第二电互连，其中第二电互连邻近第一电互连。在一些实施例中，带有具有非线性导电通路的电互连的连接器可以是临时的制造测试装置。在一些实施例中，带有具有非线性导电通路的电互连的连接器可以是引脚栅格阵列（pga）硅封装或者混合的pga和连接盘栅格阵列（lga）硅封装。在一些实施例中，带有具有非线性导电通路的电互连的连接器可以是板对板连接器。

还在本文中公开的是用于在连接器中布置具有非线性导电通路的电互连和具有线性导电通路的电互连的方法。在一些实施例中，连接器可以包括具有非线性导电通路的多个第一电互连；以及具有线性导电通路的多个第二电互连，其中以棋盘形图案来布置该多个第一电互连和第二电互连。在一些实施例中，连接器可以包括具有非线性导电通路的多个第一电互连；以及具有线性连接通路的多个第二电互连，其中对称地布置该多个第一电互连和第二电互连。在一些实施例中，连接器可以包括具有非线性导电通路的第一电互连的阵列；以及具有线性导电通路的第二电互连的阵列，其中非对称地布置第一电互连和第二电互连的阵列。如本文中所使用的，“多个”和“阵列”可以被可互换地使用。

在以下详细描述中，对形成其一部分的附图做出参考，附图中相同的附图标记自始至终标明相同的部分，并且其中作为图示示出了可以被实践的实施例。要理解的是，在不偏离本公开的范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以做出结构上的或逻辑上的改变。因此，并不以限制意义考虑以下详细描述。

可以以最有助于理解要求保护的主题的方式来将各种操作依次描述为多个分离的动作或操作。然而，描述的次序不应当被理解为暗示这些操作一定是次序相关的。特别地，这些操作可以不以呈现的次序来实行。所描述的操作可以以与所描述的实施例不同的次序来实行。在附加的实施例中，可以实行各种附加的操作，和/或可以省略所描述的操作。可以利用共同标记来标识不同附图中的共同要素。

出于本公开的目的，短语“a和/或b”意指（a）、（b）或（a和b）。出于本公开的目的，短语“a、b和/或c”意指（a）、（b）、（c）、（a和b）、（a和c）、（b和c）或（a、b和c）。

本描述使用短语“在一个实施例中”或“在实施例中”，其可以均指代相同或不同实施例中的一个或多个。此外，关于本公开的实施例所使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等等是同义的。

连接器可以包括诸如弹簧承载探针、冲压引脚、弹性体引脚、蚀刻形成引脚以及接线引脚之类的大量的导电垂直互连，以提供临时的或永久的电耦合。互连一般是电连接两个或更多个设备以用于传输数据的导电元件，并且通常被容纳于连接器中。连接器的类型可以例如包括硅封装插座、插入到主板中的usb设备或其他设备、电缆、双列直插式存储模块（dimm）、小外形双列直插式存储模块（sodimm）连接以及单入口（singleinlet），除了别的以外。在临时使用的情况下，连接器将诸如微处理器单元之类的集成电路耦合到用以在制造期间辅助对这样的电路进行测试的其他硬件。在永久使用的情况下，连接器将两个或更多个设备的集成电路（例如，印刷电路板（pcb））耦合到另一个pcb，或者将管芯耦合到硅封装。在连接器中被紧密接近地放置的导电垂直互连可能因充当非故意的且低效的传输和接收天线而引起串扰。当前的连接器技术通常针对连接器的所有引脚使用单类型的互连架构。用于减轻串扰的常规方法可以包括减小引脚高度、使用屏蔽引脚、增加信号引脚周围的接地引脚的数量、和/或添加附加的电容式电耦合来抵消磁耦合。这些常规方法受到限制，因为它们是频率相关的、使用相同类型的引脚、以及具有相同电磁场取向，使得电磁场的耦合很可能发生并且引起信号干扰。这些常规方法不仅是昂贵的，而且还可能引起机械不稳定性并且与细间距封装不兼容。

常规集成电路（ic）设备已经被对具有导电通路的电互连的使用所约束，这生成了具有相同取向而不是正交取向的电磁场来将数据传输到另一个ic设备。由于在邻近互连引脚之间的电场和磁场干扰，紧密接近的电互连（在本文中也被称为“互连”、“垂直互连”、“互连引脚”或“引脚”）常规性地经受串扰。

本文中所公开的是具有非线性导电通路的互连（在本文中也被称为“h引脚”），其激发电磁场，该电磁场与由具有线性导电通路的互连（在本文中也被称为“e引脚”）所激发的电磁场正交。h引脚可以是支持横电（te）模式的磁-电流-驱动互连。在te模式中，电场与电磁波传播的方向正交。e引脚可以是支持横磁（tm）模式的电-电流-驱动互连。在tm模式中，磁场与电磁波传播的方向正交。tm和te模式彼此正交，以使得理论上纯tm模式和纯te模式之间的耦合系数是零。如本文中所使用的，电磁场和电磁场的方向指代主导模式。而且，如在本文中所使用的电磁场的方向主要指代远场区域而不一定是近场区域。互连可以激发其他场分量或者除了其基本模式之外的其他模式，然而，基本模式将是主导模式，即使其并不是纯的。虽然互连在特定频率范围内可以是电学上较大的，但是附近互连之间的耦合机制很可能是由基本模式（即，tm模式或te模式）主导的。具有相同基本模式的紧密接近的多个互连的耦合场很可能引起信号干扰。相比之下，由于电磁场的正交性，具有不同基本模式（即，tm模式和te模式的组合）的紧密接近的多个互连的耦合场不太可能引起信号干扰。可以例如由近场扫描器来测量电磁场（包括方向性）。

还在本文中公开的是具有两个或更多个互连结构或架构的连接器。例如，连接器可以包括具有第一结构的第一e引脚和具有第二结构的第二e引脚。e引脚可以由任何（一种或多种）适合的导电材料制成，该导电材料包括铜、锡、镍、铝、钛、不锈钢、铍、钼、钨、碳化硅、导电橡胶、金属电镀弹性体以及碳化钨。可以使用任何适合的制造过程来制备e引脚，该制造过程包括使金属薄板化、冲压和机械加工。e引脚可以具有任何适合的结构，该适合的结构包括：弹簧承载结构、冲压结构、带扣结构、弹性体结构、蚀刻形成结构或接线结构，除了别的以外。在另一示例中，连接体可以包括具有非线性导电通路的第一互连（即，h引脚）和具有线性导电通路的第二互连（即，e引脚）。在另一示例中，连接器可以包括具有诸如弹簧承载结构或冲压结构之类的第一结构的h引脚，以及具有诸如弹簧承载结构、冲压结构、带扣结构、弹性体结构、蚀刻形成结构或接线结构之类的第二结构的e引脚。

图1a是根据各种实施例的图示了正交的电场的被放置在具有非线性导电通路的两个互连之间的具有线性导电通路的一个互连的侧视图。图1a图示了两个h引脚104a、104b之间的e引脚102和所生成的相应电场106、108a、108b。e引脚102是具有线性信号路径110的电-电流-驱动互连，其生成沿着电磁波传播的方向120的电场106。h引脚104a、104b是具有非线性信号路径112a、112b的磁-电流-驱动互连，其生成与电磁波传播的方向120正交的电场108a、108b。

图1b是根据各种实施例的图示了正交的磁场的处于具有非线性导电通路的两个互连之间的具有线性导电通路的一个互连的侧视图。图1b图示了两个h引脚104a、104b之间的e引脚102和所生成的相应磁场107、109a、109b。e引脚102是具有线性信号路径110的电-电流-驱动互连，其生成与电磁波传播的方向120正交的磁场107（即，所生成的磁场一直与波传播的方向正交地环行）。h引脚104a、104b是具有非线性信号路径112a、112b的磁-电流-驱动互连，其生成沿着电磁波传播的方向120的磁场109a、109b（即，所生成的磁场一直在波传播的方向上环行）。如在图1a和1b中示出的，源自于e引脚102的电磁场与源自于h引脚104a、104b的电磁场正交。电磁场的正交性可以帮助减少串扰，因为邻近的正交场的耦合系数可以接近零。

虽然图1a和1b将非线性信号路径112a、112b描绘为是圆形的，但是非线性信号通路可以是以用以按te模式生成电磁场的任何非线性形式，包括成环的、盘旋式的、螺旋状的、正弦曲线状的以及蛇形的，除了别的以外。

图2a-2c是根据各种实施例的具有非线性导电通路的示例性互连的各种视图。特别地，图2a是具有非线性导电通路的弹簧承载互连200的侧视图，图2b是图2a的组件200的分解图，以及图2c是图2a的组件200的侧面剖视图。互连组件200可以包括顶部导电元件202、底部导电元件204、用以在顶部元件和底部元件之间提供滑动机构的导杆206、以及电耦合到导电顶部元件202和导电底部元件204的非线性导电通路208。如在图2a-2c中示出的，非线性导电通路208可以是弹簧或类似形状的结构。

互连组件200可以具有任何适合的尺寸，并且可以被形成为安装到连接器中，以及可以具有要与其他类型的互连可互换的尺寸。例如，取决于连接器和应用，互连可以具有范围从1毫米到多于1英寸的z高度。在一些实施例中，互连可以具有范围从2毫米到0.5英寸的z高度。在一些实施例中，互连可以具有大于2英寸的z高度。

图2b是图2a的组件200的分解图，该组件200包括顶部导电元件202、底部导电元件204、导杆206和非线性导电通路208。顶部导电元件202和底部导电元件204可以被配置成具有任何适合的形状和几何结构，并且可以基于用于球栅阵列（bga）或者用于连接盘栅格阵列（lga）的诸如圆锥形或冠形之类的连接接口而被配置。顶部导电元件202和底部导电元件204可以由任何适合的导电材料制成，该导电材料包括铜、锡、镍、铝、钛、不锈钢、铍、钼、钨、碳化硅、导电橡胶、金属电镀弹性体以及碳化钨，或者这些材料的组合。

导杆206可以具有任何适合的大小和形状以允许相对彼此移动顶部元件202和底部元件204。导杆206可以由任何适合的介电材料制成，该介电材料包括以下各项中的一种或多种：聚合物化合物、聚树脂模塑化合物、非导电弹性体模塑化合物以及环氧树脂。

非线性导电通路208可以具有任何适合的大小和尺寸来提供非线性导电通路，并且将顶部导电元件和底部导电元件电耦合。在一些实施例中，非线性导电通路208可以在三维空间中进行弯曲或缠绕来形成螺旋形状或盘旋形状。例如，螺旋形的非线性导电通路208可以被构造成具有特定属性，诸如匹配目标阻抗，并且可以被设计成具有任何合适的形状，包括任何数量的线圈、线性或锥形结构、任何节锥角以及任何直径。在一些实施例中，如在图2a-2c中示出的，非线性导电通路208可以是一种盘旋物（spiral），该盘旋物充当机械弹簧以在弹簧被压缩时所施加的负荷下提供力。

在一些实施例中，非线性导电通路208可以在二维空间中进行弯曲来形成波形，诸如正弦曲线状或蛇形。

非线性导电通路208可以由任何（一种或多种）适合的导电材料制成，该导电材料包括铜、锡、镍、铝、钛、不锈钢、铍、钼、钨、碳化硅、导电橡胶、金属电镀弹性体以及碳化钨，除了别的以外。在一些实施例中，非线性导电通路208、顶部导电元件202和底部导电元件204可以由（一种或多种）相同的导电材料制成。在一些实施例中，非线性导电通路208可以由与顶部导电元件202和/或底部导电元件204不同的（一种或多种）导电材料制成。

图2c是图2a的组件200的侧面剖视图。如在图2c中示出的，底部导电元件204可以包括用于接纳导杆206的开口210，以使得当非线性导电通路208被激活或去激活时，顶部导电元件202和底部导电元件204可以被压缩到一起或者被移开。虽然图2c示出了用于相对彼此移动顶部元件和底部元件的特定结构，但是可以理解的是可以使用其他机械结构。

图3a-3b是根据各种实施例的具有非线性导电通路的另一个示例性互连的各种示图。特别地，图3a是具有非线性导电通路的弹簧承载互连300的另一个示例的侧视图，以及图3b是图3a的组件300的侧面剖视图。互连组件300可以包括顶部导电元件302、底部导电元件304、用以提供用以相对彼此移动顶部元件302和底部元件304的机构的线圈或弹簧306、以及电耦合到导电顶部元件302和导电底部元件304的非线性导电通路308。如在图3a中示出的，非线性导电通路308可以是螺旋管或类似形状的元件，其围绕线圈306并且提供非线性导电通路。非线性导电通路308可以由任何适合的材料制成并且可以具有任何适合的尺寸，如上文参考图2所描述的。互连组件300可以由多个元件组成，或者可以是结合不同元件的单个单元。

图3b是图3a的组件300的侧面剖视图。如在图3b中示出的，顶部导电元件302和底部导电元件304可以机械地连接到线圈或弹簧306，该线圈或弹簧306可以被激活或去激活来将顶部导电元件302和底部导电元件304移动到一起或分开。线圈306可以由任何适合的非导电或导电材料制成。非导电材料可以包括例如聚合物化合物、聚树脂模塑化合物、非导电弹性体模塑化合物以及环氧树脂，或这些材料的组合。导电材料可以包括例如铜、锡、镍、铝、钛、不锈钢、铍、钼、钨、碳化硅、导电橡胶、金属电镀弹性体以及碳化钨，或者这些材料的组合。在一些实施例中，导电线圈可以与非线性导电通路绝缘。

图4是根据各种实施例的具有非线性导电通路的另一个示例性冲压互连400的侧视图。互连400可以具有非线性导电通路406和顶部导电元件402以及底部导电元件404。可以使用任何适合的过程来形成互连400，该适合的过程包括冲压、电铸或者通过挠曲、切割或装配过程进行的金属制造。顶部导电元件402和底部导电元件404可以具有任何适合的形状和大小，并且可以被形成为优化与连接器的导电表面接触。非线性导电通路406可以具有任何适合的大小和形状来提供非线性信号路径，如上文参考图3所描述的。在一些实施例中，如在图4中示出的，非线性导电通路406可以具有带有中空中心和矩形剖面的螺旋形状。在一些实施例中，非线性导电通路406可以具有带有中空中心和球形剖面的盘旋形状（未示出）。

图5a-5b是根据各种实施例的具有非线性导电部分和线性导电部分的示例互连500、501的侧视图。互连500、501可以具有非线性导电盘旋部分506、507，线性导电部分508、509和顶部导电元件502以及底部导电元件504。非线性导电部分可以在本文中被称为磁-电流-驱动部分，以及线性导弹部分在本文中可以被称为电-电流-驱动部分。非线性导电部分生成以te模式的电磁场，而线性导电部分生成以tm模式的电磁场，该tm模式与te模式正交。如上文所描述的，在本文中被称为所生成的电磁场指代以主导方式生成的电磁场。具有线性部分和非线性部分的互连在本文中可以被称为“异构互连”。

异构互连500、501可以使用任何适合的过程来形成，该适合的过程包括冲压、电铸或者通过挠曲、切割或装配过程进行的金属制造。顶部导电元件502和底部导电元件504可以具有任何适合的大小和形状，并且可以被形成来优化与连接器的导电表面接触。线性导电部分508、509可以具有任何适合的大小和形状，包括例如管状形状。在一些实施例中，线性导电部分508、509可以具有中空的中心或桶形形状。在一些实施例中，直径可以沿着互连500、501的长度变化。互连500、501可以由任何（一种或多种）适合的导电材料制成，该导电材料包括上文参考图2所描述的材料。

互连500、501可以被设计和组对，如在图5中示出的，其中互连500和互连501分别具有邻近线性导电部分509、508的非线性导电部分506、507。异构互连500具有在互连顶部的非线性部分506和在互连底部的线性部分508。异构互连501具有在互连顶部的线性部分509和在互连底部的非线性部分507。当邻近彼此放置时，互连500和互连501具有邻近非线性部分的线性部分。在邻近的互连500、501中交替的线性导电部分和非线性导电部分可以减小电磁场的耦合，因为在互连500的非线性部分506中生成的电磁场很可能与在邻近互连501的线性部分509中生成的电磁场正交。类似地，在互连500的线性部分508中生成的电磁场很可能与在邻近互连501的非线性部分507中生成的电磁场正交。虽然图5示出了具有一个非线性导电部分和一个线性导电部分的组对互连，但是可以理解的是互连可以具有任何数量的非线性部分和线性部分。

图6a-6b是根据各种实施例的具有非线性导电部分和线性导电部分的异构互连的另一个示例的侧视图。互连600、601可以具有非线性导电盘旋部分606、607，线性导电部分608、609以及顶部导电元件602和底部导电元件604。异构互连600、601可以使用任何适合的过程来形成，该适合的过程包括冲压、电铸或者通过挠曲、切割或装配过程进行的金属制造。顶部导电元件602和底部导电元件604可以具有任何适合的大小和形状，并且可以被形成来优化与连接器的导电表面接触。线性导电部分608、609可以具有任何适合的大小和形状，包括例如管状形状。在一些实施例中，线性导电部分608、609可以具有中空的中心或桶形形状。在一些实施例中，直径可以沿着互连600、601的长度变化。异构互连600、601可以由任何（一种或多种）适合的导电材料制成，该导电材料包括上文参考图2所描述的材料。

异构互连600、601可以被设计和组对，如在图5中示出的，其中互连600和互连601分别具有邻近线性导电部分609、608的非线性导电部分606、607。异构互连600具有在互连底部的非线性部分606和在互连顶部的线性部分608。异构互连601具有在互连底部的线性部分609和在互连顶部的非线性部分607。当邻近彼此放置时，互连600和互连601具有邻近非线性部分的线性部分。在邻近的互连600、601中交替的线性导电部分和非线性导电部分可以通过减小电磁场的耦合来抑制串扰，因为在互连600的非线性部分606中生成的电磁场很可能与在邻近互连601的线性部分609中生成的电磁场正交。类似地，在互连600的线性部分608中生成的电磁场很可能与在邻近互连601的非线性部分607中生成的电磁场正交。虽然图6示出了具有一个非线性导电部分和一个线性导电部分的组对互连，但是可以理解的是互连可以具有任何数量的非线性导电部分和线性导电部分。

图7a-7c是根据各种实施例的包括具有非线性导电通路的各种互连的示例性的引脚栅格阵列（pga）封装的简化示意图，其中电信号沿非线性导电通路而行。特别地，图7a是在本文中也被称为插座组件的示例性pga封装700a的自上而下的视图，该互连具有盘旋形状的导电通路，图7b是包括具有非线性导电通路的冲压互连的示例性pga封装700b的侧视图，以及图7c是包括具有非线性导电部分和线性导电部分的异构互连的示例性pga封装700c的自上而下的视图。具有非线性导电通路的互连和具有线性导电通路的互连可以被布置成减小电磁场耦合并且抑制串扰。

插座（其是一种类型的连接器）可以包括支撑结构（在本文中被称为“插座主体”）和至少部分地在插座主体中延伸的多个引脚互连。插座主体可以是插座的单个相连支撑结构，或者替换地是多个组成主体的组件或子组件。插座主体可以被框架或其他支撑结构固定到电子设备的表面区域，该电子设备的表面区域具有导电接触部以用于耦合到引脚互连中的相应多个引脚互连来允许信号交换。例如，可以经由pcb和与其耦合的连接器，或者在连接器与测试单元之间交换信号来评估测试单元的功能性。

图7a描绘了插座主体702中的棋盘形布置，其中具有非线性导电通路704的互连与具有线性导弹通路706的互连进行交替。图7b描绘了插座主体703中的c形布置，其中具有非线性导电通路705的互连在具有线性导电通路707的互连周围形成半圆。

图7c描绘了带有仅具有线性导电通路的同构互连726以及具有线性导电通路和非线性导电通路的异构互连724、725的插座主体722。一些异构互连724具有处于底部上的非线性部分和处于顶部上的线性部分。一些异构互连725具有处于顶部上的非线性部分和处于底部上的线性部分。在图7c中，邻近的异构互连被布置有交替的非线性部分和线性部分。如在图7c中示出的，仅具有线性导电通路的互连726处于c形布置中。图7a-7c示出了用于具有非线性导电通路的互连的几个示例性布置，然而，可以采用许多其他布置，包括对称布置和非对称布置。例如，具有非线性导电通路的互连和具有线性导电通路的互连可以被布置成基于所确定的比率进行交替（例如，用于每一个具有线性导电通路的互连的两个具有非线性导电通路的互连）。

虽然图7a-7c描绘了3乘3阵列，但是连接器可以具有任何数量的互连，例如，连接器中的互连的数量可以是范围从3个到多于3000个。连接器可以具有标识不同连接（例如，接地引脚、电源引脚、信号引脚和非连接引脚）以及互连位置的“引出线图”。在一些实施例中，连接器可以具有被布置到信号组中的互连，例如，可以将用于usb信号的互连进行分组或者可以将存储器信号进行分组。可以理解的是，可以使用任何数量的具有非线性导电通路的互连，并且可以将其用在连接器的一部分中或者用于特定信号（即，不贯穿整个连接器）。例如，具有非线性导电通路的互连可以被用于高速信号，诸如用于pcie（外围部件互连快速）信号，并且并不用于低速控制信号。在一些实施例中，具有非线性导电通路的互连可以被用于电源信号、接地信号或低速控制信号。

图8是根据各种实施例的包括具有非线性导电通路的互连的示例性组合pga和lga插座组件800。组件800可以包括组合pga和lga封装802、pcb808和插座810。管芯可以以各种方式来封装，该各种方式包括组合pga和lga封装802。pga具有用作针对封装的外部电通信节点的引脚或互连的阵列。lga具有用作封装基板上的外部电通信节点的扁平接触垫或连接盘（land）的阵列。组合pga和lga封装802具有用作外部电通信节点的互连804和连接盘806两者。插座810可以包括插座壳体812、多个pga连接器814、以及多个lga互连816。在一些实施例中，如在图8中示出的，pga互连804可以具有线性导电通路，以及lga互连816可以具有非线性导电通路。在一些实施例中，该布置可以被颠倒，其中pga互连可以具有非线性导电通路以及lga互连可以具有线性导电通路。在一些实施例中，具有非线性导电通路的lga互连816可以是异构互连。在一些实施例中，具有非线性导电通路的pga互连804可以是异构互连。在一些实施例中，pga互连804可以是具有非线性导电通路的同构互连，以及lga互连816可以是具有处于底部上的非线性导电部分和处于顶部上的线性导电部分的异构互连，以使得pga非线性导电通路和lga线性导电部分在互连交叠的区域中（即，在z高度区域内）进行交替。在一些实施例中，pga互连804和lga互连816可以是异构互连，并且可以被布置成使邻近的线性导电部分和非线性导电部分进行交替。

图9a-9b图示了根据各种实施例的具有带有非线性导电通路的互连的示例性板对板连接器。特别地，图9a是具有非对称组对互连的示例性板对板连接器，其中一对互连具有非线性导电通路，以及图9b是具有对称组对互连的示例性板对板连接器，其中两对互连都具有非线性导电通路。在图9a中，组件900可以包括板对板连接器902（例如pcb对pcb连接器），其将显示器904连接到pcb906，或者在另一个示例中，将主板906连接到子卡904，或者在另一个示例中，将主板906连接到安装usb设备的pcb904。在板对板连接器902上的（由虚线指示的）互连908被放大。互连908可以包括三个接地信号互连914、差分对传输器信号互连910、以及差分对接收器信号互连912。如在图9a中示出的，差分对传输器互连910具有线性导电通路922，以及邻近的差分对接收器互连912具有非线性导电通路920。

在图9b中，组件901可以包括将显示器904连接到pcb906的板对板连接器903，例如pcb对pcb连接器。在板对板连接器903上的（由虚线指示的）互连909被放大。互连909可以包括三个接地信号互连915、差分对传输器信号互连911、以及差分对接收器信号互连913。如在图9b中示出的，差分对传输器互连911和邻近的差分对接收器互连913二者都具有非线性导电通路924、926。

虽然图9a-9b图示了两个差分对互连，但是板对板连接器902、903可以具有任何数量的差分对，可以具有差分对和单端型互连的组合，以及具有非线性导电通路的互连可以被对称地或非对称地布置在板对板连接器上。

图10a-10b是根据各种实施例的包括具有非线性导电通路的各种互连的示例性制造测试插座布置的各种视图。特别地，图10a是示例性制造测试插座布置的侧面至顶部视图，该示例性制造测试插座布置用于测试包括具有非线性导电通路的各种互连的双数据速率随机存取存储器（ddr），以及图10b是图10a的组件的顶视图。针对测试插座（未示出）的非对称ddr互连图案1000包括五种类型的互连：h引脚接地互连1002、e引脚电源互连1004、差分对互连1006、e引脚信号互连1008以及h引脚信号互连1010。如在图10b中示出的，在两个附加引脚在左侧处于竖直线中的情况下沿着顶部和中间以t字形来布置h引脚接地互连1002，在右侧以竖直线来布置三个e引脚电源互连1004，在中间以水平线来布置四个差分对互连1006，在差分对互连1006的连线上方或下方布置两条水平线的四个e引脚信号互连1008，以及在其他互连之间布置三条竖直线的两个h引脚信号互连1010。非对称的互连布置1000是用于串扰抑制和反射减少的示例性布置，然而，可以采用许多其他布置，包括对称的图案。在一些实施例中，如在图10中描绘的那样，可以为接地连接和信号连接采用h引脚。在一些实施例中，可以仅为信号连接采用h引脚。在一些实施例中，可以为接地连接、信号连接和电源连接采用h引脚。在一些实施例中，h引脚可以是具有线性导电通路部分和非线性导电通路部分的异构互连。在一些实施例中，e引脚可以是任何圆柱形状，并且可以具有任何架构或结构，该架构或结构例如是弹簧承载的、冲压的、带扣的、弹性体、蚀刻形成的或接线的架构或结构，除了别的以外。

图10a-10b描绘了示例性制造测试插座布置。在制造期间测试半导体管芯或其他集成电路设备涉及在诸如测试板之类的测试装备与管芯或ic设备的电路之间建立电连接。可以对以下各项实行测试：已经从半导体晶片单颗化的未封装管芯、仍是晶片的部分的晶粒（dice）的一部分、或者晶片上的全部晶粒。还可以对已经经历封装步骤的裸管芯（诸如，倒装芯片）实行测试。要被测试的设备将在下文被称为受测试设备（dut），而无论管芯的单颗化或封装状态如何。返回到测试过程，具有被连接的插座的pcb被安置在腔体中，其中在经受升高的温度的同时对dut进行测试。这样的测试被称为烧机测试（burn-intesting）。插座的接触部提供dut与通过pcb从测试装备发送的信号之间电通信。一旦测试完成，将dut从插座移除。没有通过测试的dut被丢弃，以及通过测试的dut可以经受另外的测试并且最终被用作电子设备中的部件。

在本文中特别参考制造测试插座组件来描述各种实施例，该制造测试插座组件用以将dut耦合到要运行对dut的测试的硬件或者耦合到与pcb耦合的插座组件。然而，可以将这样的描述扩展成附加地或替换地应用于其中插座组件要耦合到ic设备的各种其他应用中的任何应用。本文中所描述的技术可以在一个或多个电子设备中实现。可以利用本文中所描述的技术的电子设备的非限制性示例包括任何种类的移动设备和/或固定设备，诸如相机、蜂窝电话、计算机终端、台式计算机、电子读取器、传真机、自助服务终端、上网本计算机、笔记本计算机、互联网设备、支付终端、个人数字助理、媒体播放器和/或记录器、服务器、机顶盒、智能电话、平板个人计算机、超移动个人计算机、有线电话、其组合，等等。这样的设备可以是便携式的或固定的。更一般地，本文中所描述的技术可以在各种电子设备中的任何电子设备中采用，该各种电子设备包括用以将集成电路设备（例如，ic芯片或封装设备）耦合到pcb的基板的插座或者其他这样的设备。

图11a-b是可以被包括在ic组件中的晶片1101和管芯1105的顶视图，该ic组件可以电耦合到如本文中所描述的具有带有非线性导电通路的互连的连接器。晶片1101可以由半导体材料组成，并且可以包括具有形成于晶片1101的表面上的ic元件的一个或多个管芯1105。管芯1105中的每个可以是包括任何适合的ic的半导体产品的重复单元。在半导体产品的制造完成之后，晶片1101可以经历单颗化过程，在该过程中将管芯1105中的每个彼此分离以提供半导体产品的分立“芯片”。管芯1105可以包括一个或多个晶体管（例如，图11c中的晶体管1140中的一些，下文所讨论的）和/或用以将电信号路由到晶体管的支持电路，以及任何其他ic部件。在一些实施例中，晶片1101或管芯1105可以包括存储器设备（例如，静态随机存取存储器（sram）设备）、逻辑设备（例如，与门（andgate）、或门（orgate）、与非门（nandgate）或或非门（norgate））、或者任何其他适合的电路元件。可以将这些设备中的多个设备在单个管芯1105上进行组合。例如，由多个存储器设备形成的存储器阵列可以被形成在同一管芯1105上作为处理设备（例如，图12的处理设备1202）或其他逻辑，其被配置成将信息存储在存储器设备中或者执行存储在存储器阵列中的指令。在一些实施例中，管芯1105可以包括电路，该电路要在管芯1105耦合到封装基板之后耦合到由封装基板中的组成设备所提供的电路并且与其进行交互，如上文讨论的那样。

图11c是可以被包括在可以耦合到封装基板的管芯中的ic设备1100的剖面侧视图。特别地，ic设备1100中的一个或多个可以被包括在一个或多个管芯中。ic设备1100可以形成于基板1102（例如，图11a的晶片1101）上并且被包括在管芯（例如，图11b的管芯1105）中。基板1102可以是由半导体材料系统组成的半导体基板，该半导体材料系统包括例如n型或p型材料系统。基板1102可以包括例如使用块状硅或绝缘体上硅子结构形成的晶质基板。在一些实施例中，基板1102可以使用可以或可以不与硅进行组合的替换材料来形成，该替换材料包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓。另外的被分类为ii-vi族、iii-v族或iv族的材料也可以被用来形成基板1102。虽然在此描述了可以由其形成基板1102的材料的几个示例，但是可以使用可以用作用于ic设备1100的基础的任何材料。基板1102可以是单颗化管芯（例如，图11b的管芯1105）或晶片（例如，图11a的晶片1101）的部分。

ic设备1100可以包括被设置在基板1102上的一个或多个设备层1104。设备层1104可以包括形成于基板1102上的一个或多个晶体管1140（例如，金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet））的特征。设备层1104可以包括例如一个或多个源极和/或漏极（s/d）区1120；栅极1122，用以控制晶体管1140中在s/d区1120之间的电流；以及一个或多个s/d接触部1124，用以向/从s/d区1120路由电信号。晶体管1140可以包括为了清楚起见而没有描绘的附加特征，诸如设备隔离区、栅极接触部，等等。晶体管1140不限于图11c中描绘的类型和配置，并且可以包括各种各样其他的类型和配置，诸如例如平面晶体管、非平面晶体管或者二者的组合。非平面晶体管可以包括finfet晶体管，诸如双栅极晶体管或三栅极晶体管，以及诸如纳米带和纳米线晶体管之类的栅极环绕或栅极全包围晶体管。

每个晶体管1140可以包括栅极1122，该栅极1122由至少两层形成，栅极介电层和栅电极层。栅极介电层可以包括一层或者多层的堆叠。一个或多个层可以包括氧化硅、二氧化硅和/或高k介电材料。该高k介电材料可以包括诸如以下各项的元素：铪、硅、氧、钛、钽、镧、铝、锆、钡、锶、钇、铅、钪、铌和锌。可以被用在栅极介电层中的高k材料的示例包括但不限于：氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钽、氧化钛、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽以及铌锌酸铅。在一些实施例中，在使用高k材料时可以在栅极介电层上执行退火过程来改善其质量。

栅电极层可以在栅介电层上形成，并且可以包括至少一种p型功函数金属或n型功函数金属，这取决于晶体管1140将是pmos晶体管还是nmos晶体管。在一些实现方式中，栅电极层可以由两个或更多个金属层的堆叠组成，其中一个或多个金属层是功函数金属层，以及至少一个金属层是填充金属层。可以包括另外的金属层以用于其他目的，诸如阻挡层。对于pmos晶体管而言，可以被用于栅电极的金属包括但不限于钌、钯、铂、钴、镍和导电金属氧化物（如，氧化钌）。对于nmos晶体管而言，可以被用于栅电极的金属可以包括但不限于铪、锆、钛、钽、铝、这些金属的合金、以及这些金属的碳化物（例如，碳化铪、碳化锆、碳化钛、碳化钽和碳化铝）。

在一些实施例中，当作为晶体管1140沿着源极-沟道-漏极方向的剖面来查看时，栅极电极可以由u形结构组成，该u形结构包括与基板的表面基本上平行的底部和与基板的顶表面基本上垂直的两个侧壁部分。在其他实施例中，形成栅电极的金属层中的至少一个可以简单地是与基板的顶表面基本上平行的平面层并且不包括与基板的顶表面基本上垂直的侧壁部分。在其他实施例中，栅电极可以由u形结构和平面的非u形结构的组合组成。例如，栅电极可以由形成于一个或多个平面的非u形层的顶上的一个或多个u形金属层组成。

在一些实施例中，一对侧壁垫片可以在栅极堆叠的相反侧面上形成来括住栅极堆叠。侧壁垫片可以由诸如以下材料之类的材料形成：氮化硅、氧化硅、碳化硅、掺碳氮化硅以及氮氧化硅。用于形成侧壁垫片的过程在本领域中是公知的，并且一般包括沉积和蚀刻过程步骤。在一些实施例中，可以使用多个垫片对；例如，可以在栅极堆叠的相反侧面上形成两对、三对或四对侧壁垫片。

可以在基板1102内邻近每个晶体管1140的栅极1122来形成s/d区1120。可以使用例如注入/扩散过程或者蚀刻/沉积过程来形成s/d区1120。在前一过程中，可以将诸如硼、铝、锑、磷或砷之类的掺杂物离子注入到基板1102中来形成s/d区1120。激活掺杂物并且使它们更远地扩散到基板1102中的退火过程可以接在离子注入过程之后。在后一过程中，可以首先蚀刻基板1102来在s/d区1120的定位处形成凹槽。可以然后执行外延沉积过程来利用被用来制备s/d区1120的材料填充该凹槽。在一些实现方式中，可以使用诸如硅锗或碳化硅之类的硅合金来制备s/d区1120。在一些实施例中，可以利用诸如硼、砷或磷之类的掺杂物来原位掺杂外延沉积的硅合金。在一些实施例中，可以使用诸如锗或iii-v族材料或合金之类的一种或多种替换半导体材料来形成s/d区1120。在另外的实施例中，一个或多个金属和/或金属合金层可以被用来形成s/d区1120。

可以通过设置在设备层1104上的一个或多个互连层（在图11c中被图示为互连层1106-1110）向和/或从设备层1104的晶体管1140路由诸如功率信号和/或输入/输出（i/o）信号之类的电信号。例如，设备层1104的导电特征（例如，栅极1122和s/d接触部1124）可以与互连层1106-1110的互连结构1128电耦合。该一个或多个互连层1106-1110可以形成ic设备1100的层间介电（ild）堆叠1119。

根据各种各样的设计可以将互连结构1128布置在互连层1106-1110内来路由电信号（特别地，该布置不限于图11c中描绘的互连结构1128的特定配置）。虽然在图11c中描绘了特定数量的互连层1106-1110，但是本公开的实施例包括具有比所描绘的更多或更少互连层的ic设备。

在一些实施例中，互连结构1128可以包括利用诸如金属之类的导电材料填充的沟槽结构1128a（有时被称为“线”）和/或通孔结构1128b（有时被称为“孔”）。沟槽结构1128a可以被布置成在平面的与设备层1104形成于其上的基板1102的表面基本上平行的方向上路由电信号。例如，沟槽结构1128a可以在从图11c的角度来看进出页面的方向上路由电信号。通孔结构1128b可以被布置成在平面的与设备层1104形成于其上的基板1102的表面基本上垂直的方向上路由电信号。在一些实施例中，通孔结构1128b可以将不同互连层1106-1110的沟槽结构1128a电耦合在一起。

互连层1106-1110可以包括设置在互连结构1128之间的介电材料1126，如在图11c中示出的。在一些实施例中，设置在互连层1106-1110中的不同多个互连层中的互连结构1128之间的介电材料1126可以具有不同成分；在其他实施例中，不同互连层1106-1110之间的介电材料1126的成分可以是相同的。

可以在设备层1104上直接形成第一互连层1106（被称为金属1或“m1”）。在一些实施例中，第一互连层1106可以包括沟槽结构1128a和/或通孔结构1128b，如示出的那样。第一互连层1106的沟槽结构1128a可以与设备层1104的接触部（例如，s/d接触部1124）相耦合。

可以在第一互连层1106上直接形成第二互连层1108（被称为金属2或“m2”）。在一些实施例中，第二互连层1108可以包括通孔结构1128b来将第二互连层1108的沟槽结构1128a与第一互连层1106的沟槽结构1128a相耦合。虽然为了清楚起见在每个互连层内（例如，在第二互连层1108内）利用线来在结构上描画出沟槽结构1128a和通孔结构1128b，但是在一些实施例中沟槽结构1128a和通孔结构1128b可以是结构上和/或材料上连续的（例如，在双镶嵌（dual-damascene）过程期间被同时填充）。

第三互连层1110（被称为金属3或“m3”）（以及如期望的附加的互连层）可以根据结合第二互连层1108或第一互连层1106所描述的类似技术和配置而在第二互连层1108上接连地形成。

ic设备1100可以包括形成于互连层1106-1110上的阻焊材料1134（例如，聚酰亚胺或类似的材料）和一个或多个接合焊盘1136。接合焊盘1136可以提供接触部来耦合到例如第一级互连。结合焊盘1136可以与互连结构1128电耦合并且被配置成将（一个或多个）晶体管1140的电信号路由到其他外部设备。例如，焊接接合可以在一个或多个接合焊盘1136上形成来将包括ic设备1100的芯片与另一个部件（例如，电路板）机械地和/或电学地耦合。ic设备1100可以具有除其他实施例中所描绘的之外的其他替换配置来路由来自互连层1106-1110的电信号。例如，接合焊盘1136可以由将电信号路由到外部部件的其他类似的特征（例如，接线柱（post））所代替或者可以进一步将其包括在内。

图12是可以包括本文中所公开的具有带有非线性导电通路的互连的连接器的示例计算设备1200的框图。例如，根据本文中所公开的实施例中的任一项，计算设备1200的部件中的任何适合的多个部件可以包括或者被包括于ic组件中，该ic组件包括具有直接对角连接的管芯。多个部件在图12中被图示为被包括于计算设备1200中，但是在适合于应用的情况下，可以省略或复制这些部件中的任何一个或多个部件。在一些实施例中，被包括于计算设备1200中的部件中的一些或全部可以被附接到一个或多个主板。在一些实施例中，向单个芯片上系统（soc）管芯上制备这些部件中的一些或全部。

此外，在各种实施例中，计算设备1200可以包括用于耦合到一个或多个部件的接口电路。例如，计算设备1200可以不包括显示设备1206，但是可以包括显示设备1206可以耦合到的显示设备接口电路（例如，连接器和驱动器电路）。在另一组示例中，计算设备1200可以不包括音频输入设备1224或者音频输出设备1208，但是可以包括音频输入设备1224或音频输出设备1208可以耦合到的音频输入或输出设备接口电路（例如，连接器和支持电路）。

计算设备1200可以包括处理设备1202（例如，一个或多个处理设备）。如本文中使用的，术语“处理设备”或“处理器”可以指代以下任何设备或设备的部分，该设备或设备的部分处理来自寄存器和/或存储器的电子数据来将该电子数据变换成可以被存储在寄存器和/或存储器中的其他电子数据。处理设备1202可以包括一个或多个数字信号处理器（dsp）、专用集成电路（asic）、中央处理单元（cpu）、图形处理单元（gpu）、密码处理器（在硬件内执行密码算法的专用处理器）、服务器处理器或任何其他适合的处理设备。计算设备1200可以包括存储器1204，其自身可以包括一个或多个存储器设备，该存储器设备诸如是易失性存储器（例如，动态随机存取存储器（dram））、非易失性存储器（例如，只读存储器（rom））、闪速存储器、固态存储器和/或硬盘驱动器。在一些实施例中，存储器1204可以包括与处理设备1202共享管芯的存储器。该存储器可以被用作高速缓存存储器并且可以包括嵌入式动态随机存取存储器（edram）或自旋转移扭矩磁性随机存取存储器（stt-mram）。

在一些实施例中，计算设备1200可以包括通信芯片1212（例如，一个或多个通信芯片）。例如，通信芯片1212可以被配置用于管理针对去往和来自计算设备1200的数据转移的无线通信。术语“无线”及其衍生词可以被用来描述电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等等，它们可以通过使用穿过非固体介质的经调制电磁辐射来传送数据。该术语并不暗示相关联的设备不包含任何电线，虽然在一些实施例中它们可能不包括电线。

通信芯片1212可以实现多个无线标准或协议中的任何无线标准或协议，该多个无线标准或协议包括但不限于电气与电子工程师协会（ieee）标准，该电气与电子工程师协会（ieee）标准包括wi-fi(ieee802.11族)、ieee802.16标准(例如，ieee802.16-2005修正案)、长期演进(lte)计划以及任何修正案、更新、和/或修订(例如，高级lte计划、超移动宽频带(umb)计划(也被称为“3gpp2”)，等等)。ieee802.16兼容宽频带无线接入(bwa)网络一般被称为wimax网络，代表微波存取全球互通的首字母组合词，其是针对通过了针对ieee802.16标准的一致性和互操作性测试的产品的认证标记。通信芯片1212可以根据以下各项进行操作：全球移动通信系统（gsm）、通用分组无线电业务（gprs）、通用移动电信系统（umts）、高速分组接入（hspa）、演进hspa（e-hspa）或lte网络。通信芯片1212可以根据以下各项进行操作：增强数据gsm演进（edge）、gsmedge无线电接入网络（geran）、通用地面无线电接入网络（utran）、或者演进utran（e-utran）。通信芯片1212可以根据以下各项进行操作：码分多址（cdma）、时分多址（tdma）、数字增强无绳电信（dect）、演进数据优化（ev-do）、及其衍生形式，以及被指明为3g、4g、5g以及以后代次的任何其他无线协议。通信芯片1212在其他实施例中可以根据其他无线协议进行操作。计算设备1200可以包括天线1222来促进无线通信和/或接收其他无线通信（诸如am或fm无线电传输）。

在一些实施例中，通信芯片1212可以管理有线通信，诸如电通信协议、光通信协议或任何其他适合的通信协议（例如，以太网）。如上文指出的，通信芯片1212可以包括多个通信芯片。例如，第一通信芯片1212可以专用于诸如wi-fi或蓝牙之类的较短程无线通信，以及第二通信芯片1212可以专用于诸如gps、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do或其他之类的较长程无线通信。在一些实施例中，第一通信芯片1212可以专用于无线通信，以及第二通信芯片1212可以专用于有线通信。

计算设备1200可以包括电池/功率电路1214。该电池/功率电路1214可以包括一个或多个能量存储设备（例如，电池或电容器）和/或电路，以用于将计算设备1200的部件耦合到与计算设备1200分离的能量源（例如，ac线路电源）。

计算设备1200可以包括显示设备1206（或者对应的接口电路，如上文所讨论的那样）。显示设备1206可以包括任何视觉指示器，诸如例如平视（heads-up）显示器、计算机监视器、投影仪、触摸屏显示器、液晶显示器（lcd）、光发射二极管显示器或平板显示器。

计算设备1200可以包括音频输出设备1208（或对应的接口电路，如上文所讨论的那样）。音频输出设备1208可以包括生成可听指示器的任何设备，诸如例如扬声器、耳机或耳塞。

计算设备1200可以包括音频输入设备1224（或者对应的接口电路，如上文所讨论的那样）。音频输入设备1224可以包括生成表示声音的信号的任何设备，诸如传声器、传声器阵列或数字仪器（例如，具有乐器数字接口（midi）输出端的仪器）。

计算设备1200可以包括全球定位系统（gps）设备1218（或者对应的接口电路，如上文所讨论的那样）。gps设备1218可以与基于卫星的系统进行通信并且可以接收计算设备1200的位置，如本领域已知的那样。

计算设备1200可以包括其他输出设备1210（或者对应的接口电路，如上文所讨论的那样）。其他输出设备1210的示例可以包括音频编解码器、视频编解码器、打印机、用于向其他设备提供信息的有线或无线传输器或者附加的存储设备。

计算设备1200可以包括其他输入设备1220（或者对应的接口电路，如上文所讨论的那样）。其他输入设备1220的示例可以包括加速度计、陀螺仪、罗盘、图像捕获设备、键盘、诸如鼠标之类的光标控制设备、触笔（stylus）、触摸板、条形码读取器、快速响应（qr）码读取器、任何传感器或射频识别（rfid）读取器。

计算设备1200可以具有任何期望的形状因子，诸如手持或移动计算设备（例如，蜂窝电话、智能电话、移动互联网设备、音乐播放器、平板计算机、膝上型计算机、上网本计算机、超极本计算机、个人数字助理（pda）、超移动个人计算机，等等）、台式计算设备、服务器或其他联网的计算部件、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、车辆控制单元、数码相机、数字视频录像机或可穿戴计算设备。在一些实施例中，计算设备1200可以是处理数据的任何其他电子设备。

以下示例涉及另外的实施例。不同实施例的各种特征可以与被包括的一些特征和被排除的其他特征进行各种各样的组合来适应各种不同的应用。

示例1是一种电互连，包括：顶部导电元件；底部导电元件；以及将顶部元件和底部元件电耦合的导电通路，其中该导电通路包括非线性导电通路。

示例2可以包括示例1的主题，以及可以进一步指定该非线性导电通路是螺旋状的。

示例3可以包括示例1的主题，以及可以进一步指定该非线性导电通路是正弦曲线状的。

示例4可以包括示例1-3中的任一项的主题，以及可以进一步指定该非线性导电通路包括以下各项中的一个或多个：铜、锡、镍、铝、钛、不锈钢、铍、钼、钨、碳化硅、导电橡胶、金属电镀弹性体以及碳化钨。

示例5可以包括示例1-4中的任一项的主题，以及可以进一步指定该电互连是弹簧承载互连。

示例6可以包括示例1-4中的任一项的主题，以及可以进一步指定该电互连是冲压互连。

示例7可以包括示例1-6中的任一项的主题，以及可以进一步指定该电互连要传播电信号以使得该电信号具有下述电磁场，所述电磁场的电场与电磁场波传播方向正交。

示例8可以包括示例1的主题，以及可以进一步指定该导电通路进一步包括：线性导电通路，其中该线性导电通路在导电通路的第一部分中，以及其中该非线性导电通路在导电通路的第二部分中。

示例9是一种连接器，包括：主体；以及延伸到该主体中的电互连，包括：顶部导电元件；底部导电元件；以及将顶部元件和底部元件电耦合的导电通路，其中该导电通路是非线性导电通路。

示例10可以包括示例9的主题，以及可以进一步指定该非线性导电通路是螺旋状的。

示例11可以包括示例9的主题，以及可以进一步指定该非线性导电通路是正弦曲线状的。

示例12可以包括示例9的主题，以及可以进一步指定该非线性导电通路包括以下各项中的一个或多个：铜、锡、镍、铝、钛、不锈钢、铍、钼、钨、碳化硅、导电橡胶、金属电镀弹性体以及碳化钨。

示例13可以包括示例9的主题，以及可以进一步指定该电互连是弹簧承载互连。

示例14可以包括示例9的主题，以及可以进一步指定该电互连是冲压互连。

示例15可以包括示例9的主题，以及可以进一步指定该电互连要传播电信号，该电信号生成具有与电磁场波传播方向正交的电场的电磁场。

示例16可以包括示例9的主题，以及可以进一步指定该电互连进一步包括：线性导电通路，其中该线性导电通路处于该导电通路的第一部分中，以及其中非线性导电通路处于该导电通路的第二部分中。

示例17可以包括示例9的主题，以及可以进一步指定电互连是第一电互连，并且进一步包括：第二电互连，其包括：第二顶部导电元件；第二底部导电元件；以及将第二顶部元件和第二底部元件电耦合的第二导电通路，其中第二导电通路是线性导电通路。

示例18可以包括示例17的主题，以及可以进一步指定第二电互连要传播电信号，该电信号生成具有与电磁场波传播方向正交的磁场的电磁场。

示例19可以包括示例17的主题，以及可以进一步指定第一电互连传播在第一方向上生成电磁场的电信号，其中第二电互连传播在第二方向上生成电磁场的电信号，并且其中第二方向与第一方向正交。

示例20可以包括示例17的主题，以及可以进一步指定第一电互连邻近第二电互连。

示例21可以包括示例17的主题，以及可以进一步指定连接器包括用于将集成电路（ic）设备电耦合到测试板的导电接触部。

示例22可以包括示例17的主题，以及可以进一步指定连接器是板对板连接器。

示例23可以包括示例17的主题，以及可以进一步指定连接器包括用于电耦合具有引脚栅格阵列的集成电路（ic）设备的导电接触部。

示例24可以包括示例17的主题，以及可以进一步指定连接器包括用于电耦合具有混合的引脚栅格阵列和连接盘栅格阵列的集成电路（ic）设备的导电接触部。

示例25可以包括示例17的主题，以及可以进一步指定第一电互连和第二电互连是互连阵列的部分，以及其中以第一电互连与第二电互连进行交替的方式来布置互连阵列。

示例26是一种连接器，包括：主体；以及具有第一结构的延伸到该主体中的第一电互连；以及具有第二结构的延伸到该主体中的第二电互连，其中该第二结构与该第一结构不同。

示例27可以包括示例26的主题，以及可以进一步指定第一结构是弹簧承载结构，以及其中第二结构不是弹簧承载结构。

示例28可以包括示例26的主题，以及可以进一步指定第一结构是冲压结构，以及第二结构不是冲压结构。

示例29可以包括示例26的主题，以及可以进一步指定第一结构是弹性体结构，以及第二结构不是弹性体结构。

示例30可以包括示例26的主题，以及可以进一步指定第一结构是接线结构，以及其中第二结构不是接线结构。

示例31可以包括示例26的主题，以及可以进一步指定第一结构是带扣结构，以及其中第二结构不是带扣结构。

示例32是一种计算设备，包括：连接器，其包括：主体；以及延伸到该主体中的电互连，其包括：顶部导电元件；底部导电元件；以及将顶部元件和底部元件电耦合的导电通路，其中该导电通路是非线性导电通路；电耦合到该连接器的第一电路板；以及电耦合到该连接器的第二电路板，以及经由该连接器的处于第一电路板与第二电路板之间的导电信号通路。

示例33可以包括示例32的主题，以及可以进一步指定非线性导电通路是螺旋状的。

示例34可以包括示例32的主题，以及可以进一步指定非线性导电通路是正弦曲线状的。

示例35可包括示例32-34中的任一项的主题，以及可以进一步指定非线性导电通路包括以下各项中的一个或多个：铜、锡、镍、铝、钛、不锈钢、铍、钼、钨、碳化硅、导电橡胶、金属电镀弹性体以及碳化钨。

示例36可以包括示例32-35中的任一项的主题，以及可以进一步指定电互连是弹簧承载互连。

示例37可以包括示例32-35中的任一项的主题，以及可以进一步指定电互连是冲压互连。

示例38可以包括示例32-37中的任一项的主题，以及可以进一步指定处于第一电路板与第二电路板之间的导电信号通路传播电信号，以使得该电信号具有下述电磁场，该电磁场的电场与电磁场波传播方向正交。