一种半导体封装结构的制作方法

本实用新型涉及半导体封装技术，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术：

目前，对于具有紧凑结构的半导体芯片封装存在不断增长的需求，以便在消费电子产品中所占空间最小化、最轻化、最薄化。现有的半导体芯片封装结构包括芯片、焊垫、用于支撑焊垫并用于与半导体器件电连接的金属承载板和用于封装芯片与焊垫的封装层，尺寸和重量方面仍不够理想、需要进一步改进。

技术实现要素：

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种半导体封装结构，优化了现有半导体封装结构的尺寸和重量。

本实用新型的目的采用如下技术方案实现：

一种半导体封装结构，包括芯片、第一电极焊垫、第二电极焊垫和封装层，所述第一电极焊垫与所述第二电极焊垫间隔设置且所述第一电极焊垫和所述第二电极焊垫均与所述芯片电连接，所述封装层封装于所述芯片、第一电极焊垫和第二电极焊垫外，且所述第一电极焊垫和所述第二电极焊垫均具有裸露在所述封装层外表面以用于与半导体器件电连接的裸露部。

进一步的，所述半导体封装结构还包括封装于所述封装层内的引线，所述芯片固定于所述第二电极焊垫上，所述芯片通过所述引线与所述第一电极焊垫电连接。

进一步的，所述芯片在所述第二电极焊垫顶面上的投影面积小于所述第二电极焊垫的顶面面积。

进一步的，所述半导体封装结构还包括的导电胶层，所述芯片通过所述导电胶层固定于所述第二电极焊垫上。

进一步的，所述封装层具有相对设置的第一侧部和第二侧部，所述第一电极焊垫的裸露部和所述第二电极焊垫的裸露部均裸露于所述第二侧部的外表面。

进一步的，所述第二电极焊垫的裸露部裸露于所述第二侧部外表面的中间位置。

进一步的，所述第一电极焊垫包括多个间隔设置并与所述芯片电连接的子焊垫，多个所述子焊垫环绕设置于所述第二电极焊垫的外周。

进一步的，所述第一电极焊垫呈环形，所述第一电极焊垫环绕设于所述第二电极焊垫的外周。

进一步的，所述第一电极焊垫包括依次连接的金层、镍层和金层；或者，所述第一电极焊垫包括依次连接的金金属层、镍金属层和银金属层；或者，所述第一电极焊垫包括依次连接的金金属层、镍金属层、铜金属层、镍金属层和银金属层。

进一步的，所述第二电极焊垫包括依次连接的金金属层、镍金属层和金金属层；或者，所述第二电极焊垫包括依次连接的金金属层、镍金属层和银金属层；或者，所述第二电极焊垫包括依次连接的金金属层、镍金属层、铜金属层、镍金属层和银金属层。

相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：

上述半导体封装结构包括芯片、第一电极焊垫、与所述芯片连接的第二电极焊垫和封装层，所述封装层封装于所述芯片、第一电极焊垫和第二电极焊垫外，所述第一电极焊垫的裸露部和所述第二电极焊垫的裸露部与外部半导体器件电连接，无需支撑电极焊垫的支撑板，大大降低了半导体封装结构的尺寸和重量，实现超薄化和超轻化。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的半导体封装结构示意图；

图2为图1中金属支撑板未去除时的半导体封装结构示意图。

图中：10、芯片；20、第一电极焊垫；30、第二电极焊垫；40、封装层；41、第一侧部；42、第二侧部；50、裸露部；60、引线；70、金属支撑板。

具体实施方式

下面，结合附图以及具体实施方式，对本实用新型做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

请参照图1-2，本实用新型实施例提供的半导体封装结构，包括芯片10、第一电极焊垫20、第二电极焊垫30和封装层40，第一电极焊垫20与第二电极焊垫30间隔设置且第一电极焊垫20和第二电极焊垫30均与芯片10电连接，封装层40封装于芯片10、第一电极焊垫20和第二电极焊垫30外，且第一电极焊垫20和第二电极焊垫30均具有裸露在封装层40外表面以用于与半导体器件电连接的裸露部50。

上述实施例提供的半导体封装结构包括芯片10、第一电极焊垫20、与芯片10连接的第二电极焊垫30和封装层40，封装层40封装于芯片10、第一电极焊垫20和第二电极焊垫30外，第一电极焊垫20的裸露部50和第二电极焊垫30的裸露部50与外部半导体器件电连接，无需支撑电极焊垫的支撑板，大大降低了半导体封装结构的尺寸和重量，实现超薄化和超轻化。

作为优选的实施方式，半导体封装结构还包括封装于封装层40内的引线60，芯片10固定于第二电极焊垫30上，芯片10通过引线60与第一电极焊垫20电连接。芯片10在第二电极焊垫30顶面上的投影面积小于第二电极焊垫30的顶面面积，以使得芯片10最大程度与第二电极焊垫30接触，从而保证二者的有效导通。具体的半导体封装结构还包括的导电胶层(图未示)，芯片10通过导电胶层固定于第二电极焊垫30上，既实现了芯片10的固定，又保证芯片10与第二电极焊垫30的电连接。

作为优选的实施方式，封装层40具有相对设置的第一侧部41和第二侧部42，第一电极焊垫20的裸露部50和第二电极焊垫30的裸露部均裸露于第二侧部42的外表面，以用于与半导体器件电连接。在具体实施例中，第二电极焊垫30的裸露部50裸露于第二侧部42外表面的中间位置。

在一实施例中，第一电极焊垫20包括多个间隔设置并与芯片10电连接的子焊垫(未标示)，多个子焊垫环绕设置于第二电极焊垫30的外周，当其中一个子焊垫失效时，其他子焊垫仍可与半导体器件实现电连接，以保证第一电极焊垫20与半导体器件的有效的电连接。在另一实施例中，第一电极焊垫20呈环形，第一电极焊垫20环绕设于第二电极焊垫30的外周。

作为优选的实施方式，第一电极焊垫20包括依次连接的金层、镍层和金层；或者，第一电极焊垫20包括依次连接的金金属层、镍金属层和银金属层；或者，第一电极焊垫20包括依次连接的金金属层、镍金属层、铜金属层、镍金属层和银金属层，本实用新型不限于此。第二电极焊垫30包括依次连接的金金属层、镍金属层和金金属层；或者，第二电极焊垫30包括依次连接的金金属层、镍金属层和银金属层；或者，第二电极焊垫30包括依次连接的金金属层、镍金属层、铜金属层、镍金属层和银金属层，本实用新型不限于此。

可以理解的，第一电极焊垫20与第二电极焊垫30的高度相同。第一电极焊垫20的高度为3.07um-70.5um；且/或第二电极焊垫30的高度为3.07um-70.5um。优选的，引线60为金丝。

在金属支撑板70的其中一面涂覆或贴合感光膜，采用黄光工艺制作切割标识线，在金属支撑板70中贴合感光膜的一侧电镀、蒸镀或溅射焊垫金属层，而后将金属支撑板上的感光膜去除，从而在金属支撑板70上设置第一电极焊垫20和第二电极焊垫30。在金属支撑板70上设置第一电极焊垫20和第二电极焊垫30后，将芯片10固定在第二电极焊垫30上，将引线60的一端与第一电极焊垫20焊接、另一端与芯片10焊接，将封装基层封装于芯片10、第一电极焊垫20和第二电极焊垫30外，剥离金属支撑板70，根据切割标识线进行切割，得到半导体封装结构。在具体实施例中，金属支撑板70为不锈钢或铝板等导电率低的金属板材，厚度为0.1mm-2.0mm；焊垫金属层为铜等导电率高的金属层，以便于剥离金属支撑板70。

上述实施方式仅为本实用新型的优选实施方式，不能以此来限定本实用新型保护的范围，本领域的技术人员在本实用新型的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本实用新型所要求保护的范围。