一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片的制作方法

本实用新型涉及红外LED芯片领域，特别是一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片。

背景技术：

目前，镓铝砷红外LED芯片应用越来越广泛，军事方面主要应用于火炮、坦克及单兵夜视仪、测距仪、隐形监控及设备遥控，民用方面主要应用于电脑摄像头、数码照相机、摄像机、保安监控、交通监控以及家电遥控器等。随着人民生活水平的提高，对远距离、高清晰度的追求越来越高，由此对大功率镓铝砷红外850nm、940nmLED芯片的需求越来越多。现有的镓铝砷红外850nm、940nmLED芯片主要是利用硝酸、双氧水、水的混合液对其P面、N面及侧面进行表面粗化，其表面增加面非常少，且不能完全将芯片内部的光导出，光的利用率低。

技术实现要素：

为解决上述问题，本实用新型的目的在于提供一种能够提高红外光功率的芯片，在LED红外芯片表面设置导光孔，扩展了出光的面积，同时改变了光在芯片表面处的折射方向，从而使透光效率明显提高，实现高效自动化生产的一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片。

本实用新型解决其问题所采用的技术方案是：

一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片，其特征在于：包括p 型电极、p型半导体层、发光层、n型半导体层和n型电极，所述p 型电极、p型半导体层、发光层、n型半导体层和n型电极依次连接，所述p型半导体层和/或n型半导体层的表面设置有用于增大透光面积的导光孔。

进一步，所述导光孔包括底面和所述底面连接的侧面，所述底面与所述p型半导体层和/或n型半导体层的表面平行，所述侧面与所述底面之间形成导角。

进一步，所述导角的角度大于90度且小于180度。

进一步，所述导光孔的数量为三个以上。

进一步，所述相邻两个导光孔之间的距离是相等的。

进一步，所述相邻两个导光孔之间的距离与所述导光孔的深度相等。

进一步，所述导光孔的深度是红外光波长量级。

进一步，所述导光孔的深度设置为3－8um。

进一步，所述底面呈圆形状设置。

进一步，所述导角的角度为120度。

本实用新型的有益效果是：一种利用导光孔增强发光的红外LED 芯片，包括p型电极、p型半导体层、发光层、n型半导体层和n型电极，所述p型电极、p型半导体层、发光层、n型半导体层和n型电极依次连接，所述p型半导体层和/或n型半导体层的表面设置有用于增大透光面积的导光孔。工作时，对所述红外LED芯片的电极输电，芯片内部发光层向外的发出红外光线，红外光线透过在LED红外芯片表面设置大量尺寸为红外光波长量级的导光孔，扩展了出光的面积，而且改变了光的折射方向，从而使透光效率明显提高。

附图说明

下面结合附图和实例对本实用新型作进一步说明。

图1是本实用新型一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片的芯片表面图；

图2是本实用新型一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片的结构侧视图；

图3是本实用新型一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片的导光孔形状图；

图4是本实用新型一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片的导光孔红外光出光方向示意图。

具体实施方式

参照图1－4，本实用新型公开一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片，包括p型电极1、p型半导体层2、发光层3、n型半导体层4和n型电极5，所述p型电极1、p型半导体层2、发光层3、n 型半导体层4和n型电极5依次连接，其特征在于：所述p型半导体层2和/或n型半导体层4的表面设置有用于增大透光面积的导光孔 6。工作时，对所述红外LED芯片电极输电，红外LED芯片内部的发光层3向外的发出红外光线，红外光线透过在LED红外芯片表面设置大量尺寸为红外光波长量级的导光孔6，每个导光孔6呈上部大小大于底部大小的形状设计，扩展了出光的面积，而且改变了光的折射方向，从而使透光效率明显提高。

本实施例中所述导光孔6分布在p型半导体层和/或n型半导体层的表面上，至少分布三个导光孔6，其导光孔6分布的距离是相等的，其分布的距离与与所述导光孔6的深度是相等的，所述导光孔6 的深度为3－8um，并且导光孔6的分布是尽量地覆盖整个透光的表面，尽可能增加出光面积，将芯片光功率最大化。

本实施例中所述导光孔6包括底面7和所述底面7连接的侧面8，所述底面7与所述发光面平行，所述侧面8与所述底面7之间形成导角，所述导角9的角度大于90度且小于180度，优选角度120度，所述导光孔6还包括孔口，所述孔口的直径比所述底面7的直径长，更有效将向后侧方反射的红外光线反射到红外光的主光束的方向上。

本实施例中所述导光孔6优选相对于发光面形成一个倒梯形的圆台形状，防止红外光线的透过所述导光孔6的侧面8折射后出现再反射的情况，并且该倒梯形的圆台形状设计也有利用于生产加工，只需要根据分布间隙压孔即可，无需考虑孔相对红外主光束的角度与位置关系，提高自动化生产效率。

以上所述，只是本实用新型的较佳实施例而已，本实用新型并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本实用新型的技术效果，都应属于本实用新型的保护范围。