1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
浅沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底内，以隔离出多个间隔排布的有源区；
若干埋入式栅极结构，位于所述有源区内，所述埋入式栅极结构具有第一掺杂区和第二掺杂区；
位线结构，位于所述第一掺杂区上方；
电容接触节点结构，位于所述第二掺杂区上方；
绝缘结构，位于所述浅沟槽隔离结构上方，用以隔离相邻所述电容接触节点结构。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构包括第一层间介质层和牺牲层，所述第一层间介质层剖面形状为T形，底部与所述浅沟槽隔离结构接触，上部延伸至覆盖所述位线结构，所述牺牲层填充所述T形的两侧，以完全隔离相邻的所述电容接触节点结构。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触节点结构的高度为所述位线结构高度的30％～60％。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一介质墙和第二介质墙，且所述第一介质墙和所述第二介质墙为相邻的介质墙；
所述第一介质墙和所述第二介质墙相对设置，且所述绝缘结构位于电容存储节点窗口中，其中，所述电容存储节点窗口是由所述第一介质墙、所述第二介质墙、分别与所述第一介质墙和所述第二介质墙相交的相邻两条位线结构所形成的空间区域，且所述第一介质墙和所述第二介质墙的高度高于所述位线结构。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构的顶部为工字型结构。
6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层的厚度为相邻两个位线结构间距的20％-40％。