显示面板及显示装置的制作方法

文档序号:17977076发布日期:2019-06-21 23:51阅读:132来源:国知局
显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板以及包含该显示面板的显示装置。



背景技术:

随着显示技术的不断发展,消费者对于显示面板的要求不断提升,各类显示面板层出不群,并得到了飞速的发展,如液晶显示面板、有机发光显示面板等,在此基础上,3d显示、触控显示技术、曲面显示、超高分辨率显示以及防窥显示等显示技术不断涌现,以满足消费者的需求。

有机发光显示面板因其具有轻薄、对比度高、能耗低、易于实现柔性等诸多优点,逐渐成为时下显示行业的主流产品,受到消费者的广泛青睐,尤其是柔性有机发光显示面板。有机发光显示面板包含为显示单元提供各种不同信号的引线,而引线容易受到静电的干扰,当静电强度较大时,会损伤显示面板中的元件,而破坏显示面板,因此,需要设置静电释放电路对引线进行保护,而静电释放电路需要占据一定的边框空间,因此,如何设置静电释放电路,一方面防止静电对引线的破坏,另一方面,避免静电释放电路占据额外的边框空间,是本领域亟待解决的技术问题。



技术实现要素:

有鉴于此,本发明提供一种显示面板及显示装置,通过合理地设置静电释放电路的位置以及结构,能够一方面防止静电对引线的破坏,另一方面,避免静电释放电路占据额外的边框空间。

本申请的一方面提供了一种显示面板,其中,显示区和围绕所述显示区的非显示区;

阻挡部,所述阻挡部位于所述非显示区,且所述阻挡部包括第一阻挡部和第二阻挡部,所述第二阻挡部位于所述第一阻挡部远离所述显示区的一侧;

第一信号线,所述第一信号线用于施加第一信号;其中,

所述第一阻挡部与所述第二阻挡部之间设置有至少一个静电释放单元,所述静电释放单元包括第一静电释放单元,所述第一静电释放单元连接至所述第一信号线,用于释放所述第一信号线上的静电。

本申请的另一方面提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。

通过上述描述可知,本申请提供的显示面板和显示装置,其中,显示面板包括第一阻挡部和第二阻挡部,在第一阻挡部和第二阻挡部之间设置静电释放单元,其中的第一静电释放单元与第一信号线连接,用于释放第一信号线的静电。因目前的有机发光显示面板中,通过薄膜封装层进行封装,在薄膜封住层的边缘处设置阻挡部用于止挡薄膜封装层,并防止水氧进入,本申请在两道阻挡部之间设置静电释放单元,利用了现有结构用于设置静电释放单元,不额外增加边框面积,同时对第一信号线进行静电防护,防止静电对显示面板的性能造成干扰。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;

图2是图1中沿a-a′方向的截面图;

图3是本发明实施例提供的一种静电释放单元的连接关系示意图;

图4是本发明实施例提供的一种静电释放单元的位置示意图;

图5是本发明实施例提供的另一种静电释放单元的位置示意图;

图6是本发明实施例提供的一种静电释放单元的结构示意图;

图7是本发明实施例提供的另一种静电释放单元的结构示意图;

图8是本发明实施例提供的又一种静电释放单元的结构示意图;

图9是本发明实施例提供的一种静电释放单元的分布示意图;

图10是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。

需要说明的是,在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。

参考图1,图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,其中,显示面板10包括显示区100和围绕显示区100的非显示区102,阻挡部110,阻挡部110位于非显示区102,且阻挡部110包括第一阻挡部111和第二阻挡部112,第二阻挡部112位于第一阻挡部111远离显示区100的一侧;第一信号线101,第一信号线101用于施加第一信号;其中,第一阻挡部111与第二阻挡部112之间设置有至少一个静电释放单元120,静电释放单元120包括第一静电释放单元,第一静电释放单元连接至第一信号线101,用于释放第一信号线101上的静电。

需要说明的是,本发明实施例提供的显示面板10,可以为有机发光显示面板,其中,有机发光显示面板包括阳极和阴极,以及位于阳极和阴极之间的有机发光层,阳极和阴极之间施加电压,激发载流子迁移,作用于有机发光层,从而发出光线。在本实施例其他的实施方式中,显示面板10还可以为其他显示面板,如量子点发光显示面板,纳米晶片发光显示面板等,本实施例对此不再作赘述。

另外,需要说明的是,本实施例中的阻挡部110设置在非显示区102,用于止挡显示面板的封装结构,此处会在后文中祥述,阻挡部110由面板中的平坦层、像素定义层以及支撑柱依次层叠构成,也可以仅由像素定义层以及支撑柱层叠构成,本实施例对此不作赘述。另外,图1中除上述结构外,还包括驱动芯片103和柔性电路板104,第一信号线101可以连接至柔性电路板104,由柔性电路板104提供第一信号。

通过上述描述可知,本实施例提供的显示面板,其中,包括第一阻挡部111和第二阻挡部112,在第一阻挡部111和第二阻挡部112之间设置静电释放单元120,静电释放单元120与第一信号线101连接,用于释放第一信号线101的静电。上述结构利用现有的面板空间设置静电释放单元,不占据额外的边框面积,有利于缩小边框,同时对第一信号线进行静电防护,防止静电对显示面板的性能造成干扰。

参考图2,图2是图1中沿a-a′方向的截面图,其中,显示面板10包括薄膜封装层130,薄膜封装层130包括第一无机层131和第二无机层132,以及位于第一无机层131和第二无机层132之间的有机层133,有机层133由显示区100延伸至非显示区102,且截至于第一阻挡部111。本实施例中,第一无机层131和第二无机层132主要起到阻隔水汽和氧气进入显示面板内部的作用,有机层133起到缓解应力以及实现封装层表面平坦化的作用,有机层133延伸至第一阻挡层111处时截止,第一无机层131和第二无机层132越过第一阻挡层111,延伸并覆盖于静电释放单元120上方,并延伸至越过第二阻挡层112。第一无机层131和第二无机层132的覆盖面积大于有机层133的覆盖面积,从而能起到更好的阻隔水汽和氧气的作用。

可选的,本实施例中,在垂直于显示面板10表面的方向上,第一无机层131与第二有机层132全面覆盖静电释放单元120,因为静电释放单元120一般为由金属层和其他导电层形成的电路结构,而金属层容易受到水汽和氧气的侵蚀而损坏,因此,通过设计无机封装层全面覆盖静电释放单元120,因两层无机层的阻隔作用,能够进一步保证静电释放单元免受水汽和氧气的影响。

另外,本实施例中,如图2所示,可选的,在垂直于显示面板表面的方向上,第二阻挡部112的投影面积大于第一阻挡部111的投影面积,和/或,第二阻挡部112的高度大于第一阻挡部111的高度。因第二阻挡部112位于第一阻挡部111远离显示区的一侧,因此,设计第二阻挡部的体积更大,能够形成更好的屏障,止挡薄膜封装层,使显示面板免于受到水汽和氧气的干扰。在本实施例的其他实施方式中,也可以设置第一阻挡部111和第二阻挡部112的尺寸相同,或者第一阻挡部111的尺寸大于第二阻挡部112,视具体的情况而定,本实施例对此不再赘述。

此外,如图2所示,本实施例中,因为静电释放单元120设置在两道阻挡部之间,为了避免静电释放单元120受到水汽和氧气的干扰,显示面板10在第二阻挡部112远离显示区100的一侧设置有凹槽230,第一无机层131和第二无机层132覆盖凹槽230。凹槽230可以增加水汽和氧气的侵入所需经过的路径,从而更进一步避免静电释放单元120以及显示面板内部的结构受到水汽和氧气的影响。凹槽230可以设置在显示面板10的基板上,也可以设置在无机层下面的膜层上,凹槽230可以为一个凹槽,也可以为多个凹槽联结形成的结构,具体设计视具体的情况而定,本实施例对此不作特殊限定。

如图2所示,静电释放单元120包括第一电位连接端121、第二电位连接段122和外接信号连接端123,第一电位连接端121用于连接第一电位,第二电位连接端122用于连接第二电位,第一电位与第二电位中的一者为高电位,另一者为低电位,第一静电释放单元的外接信号连接端123用于连接第一信号线101。一般地显示面板的驱动电路中包含高电位输入端和低电位输入端,高电位输入端用于接收一高电平信号,低电位输入端用于接收一低电平信号,本实施例中,通过给静电释放单元120设置第一电位连接端121和第二电位连接122,用以将第一信号线101上高于高电平信号的电位通过高电位连接端导出,将第一信号线101上低于低电平信号的电位通过低电位连接端导出。

进一步的,可选的,本实施例中,显示面板10包括第一金属层、第二金属层,显示面板的栅极信号线位于第一金属层,数据信号线位于第二金属层;第一电位连接端121和第二电位连接端122位于第二金属层。显示面板中,一般包括栅极信号线,用以为像素电路中的晶体管提供栅极扫描信号,数据信号线,用以为像素电路写入数据信号,另外,显示面板还包括高电平信号线和低电平信号线,分别为显示面板中的驱动电路提供高电平信号和低电平信号,而高电平信号线和低电平信号线一般为第二金属层走线,本实施例中,将第一电位连接端121和第二电位连接端122设置于第二金属层,从而能够简化工艺。

另外,可选的,参考图3,图3是本发明实施例提供的一种静电释放单元的连接关系示意图,其中,静电释放单元120包括第一晶体管组1201和第二晶体管组1202,第一晶体管组1201用于连接第一电位连接端121和外接信号连接端123,第二晶体管组1202用于连接第二电位连接端122和外接信号连接端123,第一晶体管组1201和第二晶体管组1202分别包含至少一个晶体管。进一步的,第一电位为高电位,第二电位为低电位,且第一晶体管组1201中的第一个晶体管的源极和栅极连接至第一电位连接端121,第一晶体管组1201中的最后一个晶体管的漏极连接至外接信号连接端123,第一晶体管组1201中的前一个晶体管的漏极连接至后一晶体管的源极和栅极;第二晶体管组1202中的第一个晶体管的源极连接至第二电位连接端122,第二晶体管组1202中的最后一个晶体管的栅极和漏极连接至外接信号连接端123,第二晶体管组1202中的前一晶体管的栅极和漏极连接至后一个晶体管的源极。

需要说明的是,为了表述更加清晰,在图3中,通过vgh表示高电位信号连接端,通过vgl表示低电位信号连接端,in表示外接信号连接端。上述电路结构,可以使得当连接至外接信号连接端的信号线的信号为正常电位,即小于高电位大于低电位时,信号线正常运作,当信号线上的静电大于高电位时,第一晶体管组1201中的晶体管打开,能够通过第一晶体管组1201将静电通过vgh端导出,当信号线上的静电低于低电位时,第二晶体管组1202中的晶体管打开,从而能够通过第二晶体管组1202将静电通过vgl端导出。在这一实施方式中,晶体管是pmos晶体管,栅极电位低于源极电位时导通,在本实施例的其他实施方式中,晶体管还可以是nmos晶体管,在这种情况下,第一晶体管组1201将会连接vgl,而第二晶体管组1202将会连接vgh,而最终实现的功能均为将信号线上的静电导出,从而防止静电对显示面板造成损坏。

参考图4,图4是本发明实施例提供的一种静电释放单元的位置示意图,其中,在垂直于显示面板表面的方向上,第一电位连接端121与第一阻挡部111至少部分重叠,第二电位连接端122与第二阻挡部112至少部分重叠。本申请的发明人发现,阻挡部一般为有机材料与下层膜层接触,接触强度一般较低,当阻挡部与下层膜层之间设置金属层后,能够提升阻挡部与下层膜层之间的接触强度,避免阻挡部的剥离,因此,本实施例中,在第一阻挡部111对应的位置设置第一电位连接端121,在第二阻挡部112对应的位置设置第二电位连接端122,从而一方面能够缩小静电释放单元120在两道阻挡部之间的占用面积,另一方面还能够提升两道阻挡部与下层膜层之间的接触强度,提升面板的可靠性。

参考图5,图5是本发明实施例提供的另一种静电释放单元的位置示意图,其中,在垂直于显示面板表面的方向上,第一电位连接端121与第一阻挡部111至少部分重叠,第二电位连接端122与第一阻挡部111也至少部分重叠。因第二阻挡部112位于第一阻挡部111远离显示区100的一侧,因此,第二阻挡部112处相对于第一阻挡部111处更容易受到水汽和氧气的侵蚀,因此,为了进一步保护静电释放单元120,将第一电位连接端121和第二电位连接端122均设置于第一阻挡部111对应的位置,从而避免受到水汽和氧气的侵蚀。

进一步的,在本实施例中,为了充分保护静电释放单元120免受到水汽和氧气的侵蚀,设置当第一电位连接端121位于第一阻挡部111下方,第二电位连接端122位于第二阻挡部112下方时,在垂直于显示面板表面的方向上,第一阻挡部111全面覆盖第一电位连接端121,第二阻挡部112全面覆盖第二电位连接端122,;当第一电位连接端121与第二电位连接端122均位于第一阻挡部111的下方时,第一阻挡部111全面覆盖第一电位连接端121和第二电位连接端122。

参考图6,图6是本发明实施例提供的一种静电释放单元的结构示意图,其中,第一阻挡部111沿第一方向x延伸,第一电位连接端121与第二电位连接端122在第二方向y上位于同一直线上,静电释放单元120的电流方向沿第二方向y,在平行于显示面板的平面内,第一方向x与第二方向y垂直。在此实施方式中,第一电位连接端121位于第一阻挡部111下方,第二电位连接端122位于第二阻挡部112下方,二者沿第二方向y位于同一直线上。图6中仅示出了第一晶体管组1201和第二晶体管组1202各自包括一个晶体管的情形,其中,第一晶体管组1201的源极1211和栅极1213连接第一电位连接端121,漏极1212连接外接信号连接端123,有源层1214与栅极1213交叠的区域形成沟道区;第二晶体管组1202的源极1221连接第二电位连接端122,漏极1222和栅极1223连接外接信号连接端123,有源层1224与栅极1223交叠的区域形成沟道区。因晶体管的电流在源极与漏极之间传输,因此,在图6中所示实施方式中,电流沿第二方向y传输。

参考图7,图7是本发明实施例提供的另一种静电释放单元的结构示意图,其中,第一阻挡部111沿第一方向x延伸,沿第一方向x,第一电位连接端121与第二电位连接端122之间具有预设距离,静电释放单元120的电流方向沿第一方向x。在此实施方式中,第一电位连接端121仍位于第一阻挡部111下方,第二电位连接端122仍位于第二阻挡部112下方,第一晶体管组1201和第二晶体管组1202各自包括一个晶体管,其中,第一晶体管组1201的源极1211和栅极1213连接第一电位连接端121,漏极1212连接外接信号连接端123,有源层1214与栅极1213交叠的区域形成沟道区;第二晶体管组1202的源极1221连接第二电位连接端122,漏极1222和栅极1223连接外接信号连接端123,有源层1224与1223交叠的区域形成沟道区。因晶体管的电流在源极与漏极之间传输,在图7中所示实施方式中,第一电位连接端121、第二电位连接端122以及外接信号连接端123是沿着第一方向x延伸的,因此,晶体管的电流沿第一方向x传输。在此种实施方式下,因晶体管的结构沿第一方向x延伸,从而能够缩小静电释放单元120在第二方向y上的宽度,从而能够减小显示面板的边框,实现窄边框显示。

参考图8,图8是本发明实施例提供的又一种静电释放单元的结构示意图,其中,第一电位连接端121位于第一阻挡部111下方,第二电位连接端122也位于第二阻挡部112下方,第一阻挡部111沿第一方向x延伸,沿第一方向x,第一电位连接端121与第二电位连接端122之间具有预设距离,静电释放单元120的电流方向沿第一方向x。第一晶体管组1201和第二晶体管组1202各自包括一个晶体管,其中,第一晶体管组1201的源极1211和栅极1213连接第一电位连接端121,漏极1212连接外接信号连接端123,有源层1214与栅极1213交叠的区域形成沟道区;第二晶体管组1202的源极1221连接第二电位连接端122,漏极1222和栅极1223连接外接信号连接端123,有源层1224与1223交叠的区域形成沟道区。在此种实施方式下,一方面,因晶体管的结构沿第一方向x延伸,从而能够缩小静电释放单元120在第二方向y上的宽度,从而能够减小显示面板的边框,实现窄边框显示。另一方面,因第一电位连接端121和第二电位连接端122均位于第一阻挡部111的下方,而第二阻挡部112位于第一阻挡部111远离显示区的一侧,因此,能够减小第一电位连接端121和第二电位连接端122被水汽和氧气侵蚀的风险。

参考图9,图9是本发明实施例提供的一种静电释放单元的分布示意图,其中,显示面板10还包括第二信号线200,第二信号线200用于施加第二信号,静电释放单元120除了包含第一静电释放单元221外,还包括第二静电释放单元222,第二静电释放单元222连接至第二信号线200,用于释放第二信号线200上的静电,第二静电释放单元222的结构可以与第一静电释放单元221的结构相同。因显示面板中的阻挡部是围绕显示区形成一周的,因此,两道阻挡部之间具有围绕显示区一圈的区域,通过设置第一静电释放单元221和第二静电释放单元222,分别用于释放第一信号线101和第二信号线200上的信号,从而能够充分地利用阻挡部之间的空间,提升显示面板的可靠性。

本实施例中,可选的,第一静电释放单元221与第二静电释放单元222沿第一方向x交替排列,在其他实施方式中,也可以为第一静电释放单元221位于一区域,而第二静电释放单元222位于另一区域,具体分布情形视具体情形而定,本实施例对此不作限定。

进一步的,本实施例中,显示面板10为有机发光显示面板,包括有机发光元件,第一信号为有机发光元件的阴极所接收的信号,记为vee信号,或者为有机发光元件的阳极所接收的信号,记为vdd信号。另外,可选的,也可以为,第一信号为vee信号,第二信号为vdd信号,从而通过静电释放单元120释放vee信号线和vdd信号线上的静电。

本发明实施例的另一方面提供一种显示装置,包括上述任一实施方式中的显示面板。

参考图10,图10是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图,其中,显示装置20包括显示面板10,显示面板10为上述任一实施方式中的显示面板,显示装置20可以为手机或者折叠显示屏、笔记本电脑、电视机、手表、智能穿戴显示装置等,本实施例对此不作特殊限定。

通过上述描述可知,本实施例提供的显示面板,其中,包括第一阻挡部111和第二阻挡部112,在第一阻挡部111和第二阻挡部112之间设置静电释放单元120,静电释放单元120与第一信号线101连接,用于释放第一信号线101的静电。上述结构利用现有的面板空间设置静电释放单元,不占据额外的边框面积,有利于缩小边框,同时对第一信号线进行静电防护,防止静电对显示面板的性能造成干扰。另外,通过设置静电释放单元120的位置、结构以及分布,在防止显示面板免受静电干扰的同时,进一步实现窄化边框的设计,提升显示面板的综合性能。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

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