技术特征：
技术总结
本发明提供一种改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，包括：提供将第二氮掺杂碳化物层作为上表面层的半导体结构，所述第二氮掺杂碳化物的表面具有疏水性的硅‑碳‑氢‑氮化合物；接着利用改质液对所述第二氮掺杂碳化物的表面进行冲洗，使其变为亲水性表面；然后对所述亲水性表面进行水冲洗，去掉残留物。本发明由表面改质液内含的有机物将疏水表面转变为亲水性，即可在后续的喷水清洗步骤中，让清洁的水容易的流经表面而不留水痕，进而避免残留水痕以及残留物所导致后续覆盖薄膜所放大的隆起问题，从而提高产品良率。
技术研发人员：李昱廷;却玉蓉
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2019.03.26
技术公布日：2019.07.09