技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体结构、UHV器件及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底；于衬底内形成浅沟槽；于浅沟槽的侧壁形成掺杂材料层，掺杂材料层内掺杂有N型掺杂离子或P型掺杂离子；对衬底进行退火处理，使得掺杂材料层内的N型掺杂离子或P型掺杂离子扩散至衬底内，以于掺杂材料层与衬底之间形成掺杂侧壁；去除掺杂材料层。本发明的半导体结构的制备方法在浅沟槽的侧壁形成掺杂材料层后进行退火处理，可以实现对任意形状的浅沟槽的侧壁进行掺杂；通过控制掺杂材料层内掺杂离子的剂量及退火条件，可以实现对浅沟槽的侧壁进行任意所需剂量及分布状态的离子掺杂。
技术研发人员：巴特尔;陈俊;薛磊;万先进
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2019.05.29
技术公布日：2019.09.13