1.一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，其特征在于，包括：
本征si衬底(1)；
隔离区(2)，位于所述本征si衬底(1)的上表面，其底部延伸至所述本征si衬底(1)的内部，所述隔离区(2)分别设置在所述本征si衬底(1)的两侧和中部；
p+源区(3)、n+漏区(4)、p+漏区(5)和n+源区(6)，依次间隔设置在所述本征si衬底(1)的上表面，其底部均延伸至所述本征si衬底(1)的内部，且所述n+漏区(4)和所述p+漏区(5)位于中部所述隔离区(2)的两侧；
inas沟道层(7)，位于所述本征si衬底(1)上，且与所述p+源区(3)和所述n+漏区(4)的至少一部分接触；
ge沟道层(8)，位于所述本征si衬底(1)上，且与所述p+漏区(5)和所述n+源区(6)的至少一部分接触；
两个栅氧化层(9)，分别位于所述inas沟道层(7)和所述ge沟道层(8)上；
两个栅金属层(10)，分别位于相应的所述栅氧化层(9)上；
两个源极金属层(11)，均位于所述本征si衬底(1)上且分别与所述p+源区(3)和所述n+源区(6)接触；
两个漏极金属层(12)，分别位于所述inas沟道层(7)和所述ge沟道层(8)上；
钝化层(13)，位于所述栅金属层(10)、所述源极金属层(11)和所述漏极金属层(12)之间，以及所述本征si衬底(1)上未被覆盖的区域；
互连金属层(14)，位于所述栅金属层(10)、所述源极金属层(11)和所述漏极金属层(12)上，且所述栅金属层(10)上的所述互连金属层(14)相互连接，所述漏极金属层(12)上的所述互连金属层(14)相互连接。
2.根据权利要求1所述的平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，其特征在于，所述p+源区(3)和所述p+漏区(5)的掺杂浓度为2×1019-5×1019cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，其特征在于，所述n+漏区(4)和所述n+源区(6)的掺杂浓度为2×1019-5×1019cm-3。
4.根据权利要求1所述的平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，其特征在于，所述inas沟道层(7)的厚度为5-7nm，覆盖在所述p+源区(3)上的区域的长度为30-45nm，掺杂浓度为1×1013-1×1015cm-3。
5.根据权利要求1所述的平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，其特征在于，所述ge沟道层(8)的厚度为5-7nm，覆盖在所述n+源区(6)上的区域的长度为30-45nm，掺杂浓度为1×1012-1×1013cm-3。
6.根据权利要求1所述的平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，其特征在于，所述栅氧化层(9)的材料为al2o3或hfo2，厚度为3-5nm。
7.根据权利要求1所述的平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，其特征在于，所述栅氧化层(9)未被所述栅金属层(10)覆盖区域的长度为45-75nm。
8.根据权利要求1所述的平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，其特征在于，所述隔离区(2)内部填充的隔离介质为sio2。