技术特征：1.一种半导体结构，包括：
堆叠结构，包括：
第一半导体管芯，包括第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有第一有源表面及与所述第一有源表面相对的第一背表面；以及
第二半导体管芯，位于所述第一半导体管芯之上，包括第二半导体衬底，所述第二半导体衬底具有第二有源表面及与所述第二有源表面相对的第二背表面，且通过沿垂直方向在第一混合接合界面处将所述第二有源表面结合到所述第一背表面而接合到所述第一半导体管芯，
其中沿侧向方向，所述第一半导体管芯的第一尺寸大于所述第二半导体管芯的第二尺寸。
技术总结本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构包括堆叠结构。堆叠结构包括第一半导体管芯及第二半导体管芯。第一半导体管芯包括具有第一有源表面及与第一有源表面相对的第一背表面的第一半导体衬底。第二半导体管芯位于第一半导体管芯之上，且包括具有第二有源表面及与第二有源表面相对的第二背表面的第二半导体衬底。第二半导体管芯通过沿垂直方向在第一混合接合界面处将第二有源表面结合到第一背表面而接合到第一半导体管芯。沿侧向方向，第一半导体管芯的第一尺寸大于第二半导体管芯的第二尺寸。
技术研发人员：陈明发;史朝文;萧闵谦;叶松峯;刘醇鸿;郑筌安
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.05.27
技术公布日：2020.12.22