有机发光显示基板及其制备方法和有机发光显示装置与流程

[0001]
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示基板及其制备方法和有机发光显示装置。


背景技术：

[0002]
相关技术中，柔性有机发光(oled)显示装置具备低功耗、宽色域、轻薄化、可异形化等优点，广泛应用于携带电子设备、穿戴设备、即时通讯设备、虚拟现实设备等。可拉伸柔性显示装置是显示技术发展的新方向。可拉伸柔性显示装置是一种采用柔性材料制作的、可变形、可弯曲的显示装置，并且其尺寸还可增大、可拉伸。
[0003]
可拉伸柔性显示装置可包括柔性衬底基板与封装层，柔性衬底基板可包括开孔，封装层覆盖开孔。在制备可拉伸柔性显示装置的过程中，柔性衬底基板位于刚性支撑基板上，部分封装层穿过开孔粘附在刚性支撑基板上，当分离刚性支撑基板与柔性衬底基板时，容易使部分封装层剥落，进而导致封装层失效，降低了显示装置的信赖性。


技术实现要素：

[0004]
本发明提供一种有机发光显示基板及其制备方法和有机发光显示装置，以解决相关技术中的不足。
[0005]
根据本发明实施例的第一方面，提供一种有机发光显示基板的制备方法，所述有机发光显示基板包括显示区和位于显示区的开孔区，所述方法，包括：
[0006]
在支撑基板上形成柔性衬底；所述支撑基板对所述柔性衬底进行支撑；所述柔性衬底上包括开孔，所述开孔位于所述开孔区；
[0007]
在所述柔性衬底远离所述支撑基板的一侧形成有机发光器件层，所述有机发光器件层位于位于所述显示区；
[0008]
在所述有机发光器件层远离所述柔性衬底的一侧形成封装层，所述封装层覆盖所述有机发光器件层与所述开孔；所述封装层包括第一待刻蚀部，所述第一待刻蚀部位于所述开孔中，且所述第一待刻蚀部的延伸方向与所述开孔的侧壁相交；
[0009]
对所述第一待刻蚀部进行刻蚀，去除所述第一待刻蚀部；
[0010]
将所述支撑基板从所述柔性衬底上剥离，得到所述有机发光显示基板。
[0011]
在一个实施例中，所述开孔为盲孔；所述开孔的底面与所述柔性衬底靠近所述支撑基板的表面之间的距离大于零；所述第一待刻蚀部位于所述开孔的底面上；
[0012]
所述柔性衬底包括第二待刻蚀部，所述第二待刻蚀部位于所述开孔的底面与所述支撑基板之间；所述第一待刻蚀部在所述支撑基板上的正投影与所述第二待刻蚀部在所述支撑基板上的正投影重合；
[0013]
所述对所述第一待刻蚀部进行刻蚀，去除所述第一待刻蚀部之后，还包括：
[0014]
对所述第二待刻蚀部进行刻蚀，去除所述第二待刻蚀部。
[0015]
在一个实施例中，所述柔性衬底包括第一有机层、第一阻挡层、第二有机层与第二
阻挡层；
[0016]
所述第一有机层位于所述支撑基板上，所述第一阻挡层位于所述第一有机层远离所述支撑基板的一侧，所述第二有机层位于所述第一阻挡层远离所述支撑基板的一侧，所述第二阻挡层位于所述第二有机层远离所述支撑基板的一侧；所述开孔的底面位于所述第一有机层或所述第一阻挡层上。
[0017]
在一个实施例中，当所述开孔的底面位于所述第一有机层上，且位于所述第一有机层远离所述支撑基板的表面与靠近所述支撑基板的表面之间时，所述开孔包括第一孔部与第二孔部，所述第一孔部为贯穿所述第一阻挡层且未贯穿所述第一有机层的盲孔，所述第二孔部为贯穿所述第二阻挡层且贯穿所述第二有机层的通孔。
[0018]
在一个实施例中，所述第一阻挡层包括暴露部，所述暴露部未被所述第二有机层覆盖；
[0019]
所述第一孔部的孔径小于所述第二孔部的孔径，以使所述暴露部露出；
[0020]
所述封装层包括封闭保护部，所述封闭保护部位于所述暴露部远离所述支撑基板的一侧。
[0021]
在一个实施例中，所述在所述柔性衬底远离所述支撑基板的一侧形成有机发光器件层之前，还包括：
[0022]
对所述柔性衬底进行刻蚀，得到所述开孔。
[0023]
在一个实施例中，所述对所述柔性衬底进行刻蚀，得到所述开孔，包括：
[0024]
对所述第二阻挡层与所述第二有机层进行刻蚀，得到所述第二孔部；其中，对所述第二有机层进行刻蚀时使用的刻蚀气体对所述第二有机层的刻蚀速率大于对所述第二阻挡层的刻蚀速率，以使所述第二阻挡层在所述支撑基板上的正投影覆盖所述第二有机层在所述支撑基板上的正投影，所述第二阻挡层在所述支撑基板上的正投影面积大于所述第二有机层在所述支撑基板上的正投影面积；
[0025]
对所述第一阻挡层与所述第一有机层进行刻蚀，得到所述第一孔部；其中，对所述第一有机层进行刻蚀时使用的刻蚀气体对所述第一有机层的刻蚀速率大于对所述第一阻挡层的刻蚀速率，以使所述第一阻挡层在所述支撑基板上的正投影覆盖所述第一有机层在所述支撑基板上的正投影，所述第一阻挡层在所述支撑基板上的正投影面积大于所述第一有机层在所述支撑基板上的正投影面积。
[0026]
在一个实施例中，所述第一阻挡层的材料为氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅，对所述第一有机层进行刻蚀时使用的刻蚀气体包括氧气；
[0027]
所述第二阻挡层的材料为氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅，对所述第二有机层进行刻蚀时使用的刻蚀气体包括氧气。
[0028]
在一个实施例中，对所述第一有机层进行刻蚀时使用的刻蚀气体还包括第一辅助气体，所述第一辅助气体包括四氟化碳cf
4
、六氟化硫sf
6
或三氟甲烷chf
3
中的任意一种或任意组合；所述第一辅助气体的比例小于氧气的比例；
[0029]
对所述第二有机层进行刻蚀时使用的刻蚀气体还包括第二辅助气体，所述第二辅助气体包括四氟化碳cf
4
、六氟化硫sf
6
或三氟甲烷chf
3
中的任意一种或任意组合；所述第二辅助气体的比例小于氧气的比例。
[0030]
在一个实施例中，所述第一孔部的孔径等于所述第二孔部的孔径。
[0031]
在一个实施例中，所述柔性衬底包括第一有机层与第一阻挡层；所述第一有机层位于所述支撑基板上，所述第一阻挡层位于所述第一有机层远离所述支撑基板的一侧；
[0032]
所述开孔的底面位于所述第一有机层上，且位于所述第一有机层远离所述支撑基板的表面与靠近所述支撑基板的表面之间。
[0033]
在一个实施例中，所述开孔为通孔；所述第一待刻蚀部位于所述支撑基板上。
[0034]
在一个实施例中，所述柔性衬底包括第一有机层与第一阻挡层；
[0035]
所述第一有机层位于所述支撑基板上，所述第一阻挡层位于所述第一有机层远离所述支撑基板的一侧；
[0036]
所述开孔贯穿所述第一有机层与所述第一阻挡层。
[0037]
根据本发明实施例的第二方面，提供一种有机发光显示基板，包括显示区和位于显示区的开孔区，所述显示区的结构包括：
[0038]
柔性衬底，包括贯穿孔，所述贯穿孔位于所述开孔区；
[0039]
有机发光器件层，位于所述柔性衬底上；
[0040]
封装层，位于所述有机发光器件层远离所述柔性衬底的一侧，所述封装层覆盖所述有机发光器件层与所述贯穿孔的至少部分侧壁，所述封装层包括镂空部，所述镂空部在所述柔性衬底上的正投影位于所述开孔区。
[0041]
根据本发明实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括上述的有机发光显示基板。
[0042]
根据上述实施例可知，由于柔性衬底上包括开孔，在有机发光器件层远离柔性衬底的一侧形成封装层后，封装层覆盖有机发光器件层与上述的开孔，其中，封装层包括第一待刻蚀部，第一待刻蚀部位于上述的开孔中，且第一待刻蚀部的延伸方向与开孔的侧壁相交，然后，对第一待刻蚀部进行刻蚀，去除第一待刻蚀部，然后，将支撑基板从柔性衬底上剥离，得到有机发光显示基板。在将支撑基板从柔性衬底上剥离之前，去除上述位于开孔中的第一待刻蚀部，这样，可以减少封装层与支撑基板粘附的面积，或者，将封装层与支撑基板粘附在一起的部分去除，进而可以改善将支撑基板从柔性衬底上剥离产生的封装层剥落的缺陷，提高封装层的信赖性。
[0043]
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
[0044]
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
[0045]
图1是根据相关技术示出的一种有机发光显示基板的结构示意图；
[0046]
图2是根据相关技术示出的另一种有机发光显示基板的结构示意图；
[0047]
图3是根据相关技术示出的一种有机发光显示基板的结构示意图；
[0048]
图4是根据本发明实施例示出的一种有机发光显示基板的结构示意图；
[0049]
图5是根据本发明实施例示出的另一种有机发光显示基板的结构示意图；
[0050]
图6是根据本发明实施例示出的另一种有机发光显示基板的结构示意图；
[0051]
图7是根据本发明实施例示出的另一种有机发光显示基板的结构示意图；
[0052]
图8是根据本发明实施例示出的另一种有机发光显示基板的结构示意图；
[0053]
图9是根据本发明实施例示出的一种有机发光显示基板的制备方法的流程图；
[0054]
图10～16是根据本发明实施例示出的制备有机发光显示基板的过程中产生的中间结构示意图。
具体实施方式
[0055]
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0056]
如图1所示，相关技术中，为了使有机发光显示基板11可拉伸，有机发光显示基板11的显示区111中可设置有多个开孔区112，开孔区112中的柔性衬底上可设置有开孔(未示出)，以实现一定的拉伸量。
[0057]
如图2～图3所示，在有机发光显示基板11的制备过程中，首先在玻璃基板12上涂一层聚酰亚胺(pi)薄膜113，在聚酰亚胺薄膜113上制备像素电路与有机发光二极管，最后采用激光照射玻璃基板12的背面，使得聚酰亚胺薄膜113和玻璃基板12分离，剥离下来的聚酰亚胺薄膜113上设置有薄膜晶体管(未示出)、有机发光二极管(未示出)及封装层115，这种剥离方法称为激光剥离技术(laser lift off，简称llo)。当激光从玻璃基板12入射至聚酰亚胺薄膜113与玻璃基板12交界处，由于二者对激光的吸收率不同，大部分激光能量作用在交界处的聚酰亚胺薄膜113上，聚酰亚胺薄膜113内部的化学键在紫外激光的能量下发生断裂，聚酰亚胺薄膜113表面温度升高，达到聚酰亚胺薄膜113的分解温度，聚酰亚胺薄膜113从玻璃基板12剥离下来。其中，图2为聚酰亚胺薄膜113和玻璃基板12分离之前的示意图，图3为聚酰亚胺薄膜113和玻璃基板12分离之后的示意图，聚酰亚胺薄膜113上可设置有阻挡层114，用于阻止聚酰亚胺薄膜113中的杂质扩散至薄膜晶体管侧。
[0058]
由于聚酰亚胺薄膜113上设置有开孔13，位于开孔13中的封装层115直接镀在玻璃基板12上，具体是，封装层115中的无机层直接镀在玻璃基板12上，封装层115中的无机层在给定激光能量下不会分解，在llo过程中会导致封装层115粘附在玻璃基板12上，在将玻璃基板12从有机发光显示基板11揭掉的过程中，封装层115被撕扯会导致封装层剥落，进而导致封装层失效，降低了显示装置的信赖性。
[0059]
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种有机发光显示基板及其制备方法和有机发光显示装置，可以改善将支撑基板从柔性衬底上剥离产生的封装层剥落的缺陷，提高封装层的信赖性。
[0060]
本发明实施例提供一种有机发光显示基板41。该有机发光显示基板41，如图4所示，包括显示区411和位于显示区411的开孔区412。其中，如图5所示，显示区411的结构包括：柔性衬底51、有机发光器件层(未示出)与封装层52。其中，图5为图4中开孔区412沿剖面线aa的剖面图。
[0061]
如图5所示，柔性衬底51包括贯穿孔53，贯穿孔53位于开孔区412。贯穿孔53为贯穿柔性衬底51的通孔。有机发光器件层位于柔性衬底51上。封装层52位于有机发光器件层远离柔性衬底51的一侧，封装层52覆盖有机发光器件层与贯穿孔53的部分侧壁，封装层52包
括镂空部523，镂空部523在柔性衬底51上的正投影位于开孔区412。
[0062]
在本实施例中，如图5所示，柔性衬底51包括第一有机层511、第一阻挡层512、第二有机层513与第二阻挡层514。第一阻挡层512位于第一有机层511上，第二有机层513位于第一阻挡层512远离第一有机层511的一侧，第二阻挡层514位于第二有机层513远离第一阻挡层512的一侧。
[0063]
在本实施例中，如图5所示，贯穿孔53包括第三孔部531与第二孔部532，第三孔部531为贯穿第一阻挡层512且贯穿第一有机层511的通孔，第二孔部532为贯穿第二阻挡层514且贯穿第二有机层513的通孔。
[0064]
在本实施例中，如图5所示，第一阻挡层512包括暴露部5121，暴露部5121未被第二有机层513覆盖。第三孔部531的孔径小于第二孔部532的孔径，以使暴露部5121露出。
[0065]
在本实施例中，如图5所示，封装层52包括封闭保护部521，封闭保护部521位于暴露部5121远离第一有机层511的一侧。这样，封装层52可以与第一阻挡层512接触，使第二有机层513、第二阻挡层514与有机发光器件层等膜层被封装层52和第一阻挡层512封闭起来，从而可以保护第二有机层513、第二阻挡层514以及有机发光器件层。
[0066]
本发明实施例还提供一种有机发光显示基板41。如图6所示，本实施例中，与图5所示实施例不同的是，第三孔部531的孔径等于第二孔部532的孔径。其中，图6为图4中开孔区412沿剖面线aa的剖面图。
[0067]
本发明实施例还提供一种有机发光显示基板41。如图7所示，本实施例中，与图5所示实施例不同的是，柔性衬底51包括一层有机层与一层阻挡层，例如，柔性衬底51包括第一有机层511与第一阻挡层512。而且，贯穿孔53的孔径在第一有机层511指向第一阻挡层512的方向上基本相同。其中，图7为图4中开孔区412沿剖面线aa的剖面图。
[0068]
本发明实施例还提供一种有机发光显示基板41。如图8所示，本实施例中，与图7所示实施例不同的是，封装层52覆盖贯穿孔53的全部侧壁。其中，图8为图4中开孔区412沿剖面线aa的剖面图。
[0069]
以上对本发明实施例提供的有机发光显示基板41进行了介绍，下面对本发明实施例提供的有机发光显示基板的制备方法进行介绍。
[0070]
本发明实施例提供一种有机发光显示基板的制备方法。如图4所示，该有机发光显示基板包括显示区411和位于显示区411的开孔区412。该有机发光显示基板的制备方法，如图9所示，包括以下步骤901～906：
[0071]
在步骤901中，在支撑基板54上形成柔性衬底51；支撑基板54对柔性衬底51进行支撑；柔性衬底51上包括开孔55，开孔55位于开孔区412。
[0072]
在本实施例中，支撑基板是刚性支撑基板，对柔性衬底起支撑作用。例如，支撑基板可为玻璃基板，但不限于此。
[0073]
在本实施例中，如图10所示，开孔55为盲孔。开孔55的底面与柔性衬底51靠近支撑基板54的表面之间的距离大于零。
[0074]
在本实施例中，如图10所示，柔性衬底51包括第一有机层511、第一阻挡层512、第二有机层513与第二阻挡层514。其中，第一有机层511位于支撑基板54上，第一阻挡层512位于第一有机层511远离支撑基板54的一侧，第二有机层513位于第一阻挡层512远离支撑基板54的一侧，第二阻挡层514位于第二有机层513远离支撑基板54的一侧。
[0075]
在本实施例中，开孔55的底面位于第一有机层511上。具体地，开孔55的底面位于第一有机层511远离支撑基板54的表面与靠近支撑基板54的表面之间。当然，开孔55的底面也可位于第一阻挡层512上。
[0076]
在本实施例中，如图10所示，开孔55包括第一孔部551与第二孔部532，第一孔部551为贯穿第一阻挡层512且未贯穿第一有机层511的盲孔，第二孔部532为贯穿第二阻挡层514且贯穿第二有机层513的通孔。
[0077]
在本实施例中，如图10所示，第一阻挡层512包括暴露部5121，暴露部5121未被第二有机层513覆盖。第一孔部551的孔径小于第二孔部532的孔径，以使暴露部5121露出。
[0078]
在本实施例中，开孔55在支撑基板54上的正投影为圆形或n边形，n为大于2的整数。
[0079]
在步骤902中，在柔性衬底远离支撑基板的一侧形成有机发光器件层，有机发光器件层位于位于显示区。
[0080]
在本实施例中，有机发光器件层可以包括像素电路与有机发光器件。具体地，像素电路位于柔性衬底51远离支撑基板54的一侧，有机发光器件位于像素电路远离支撑基板54的一侧。像素电路包括晶体管与电容。在支撑基板54指向柔性衬底的方向上，有机发光器件层可以包括依次层叠的半导体层、第一栅极绝缘层、第一金属层、第二栅极绝缘层、第二金属层、层间介质层、第三金属层、平坦化层、第四金属层、像素定义层以及支撑柱等。其中，第一金属层包括晶体管的第一栅极，第二金属层可包括晶体管的第二栅极与电容的第一电极，第三金属层可包括晶体管的源极、漏极与电容的第二电极，第四金属层包括有机发光器件的阳极。
[0081]
在本实施例中，可以在形成层间介质层后，对柔性衬底51进行刻蚀，得到开孔55。
[0082]
在本实施例中，第一阻挡层512的材料为氧化硅，当然，第一阻挡层512的材料也可为氮化硅或氮氧化硅。
[0083]
在本实施例中，第二阻挡层514的材料为氧化硅，当然，第二阻挡层514的材料也可为氮化硅或氮氧化硅。
[0084]
在本实施例中，第一有机层511的材料可以为pi，但不限于此。
[0085]
在本实施例中，第二有机层513的材料可以为pi，但不限于此。
[0086]
在本实施例中，对柔性衬底51进行刻蚀，得到开孔55的具体方法如下：
[0087]
首先，对第二阻挡层514与第二有机层513进行刻蚀，得到第二孔部532。
[0088]
其中，对第二阻挡层514进行刻蚀使用的刻蚀气体为含氟的气体，例如，为四氟化碳(cf
4
)与氧气的混合气体，或者，为六氟化硫(sf
6
)与氧气的混合气体，或者，为三氟甲烷(chf
3
)与氧气的混合气体，氧气为辅助气体。
[0089]
对第二有机层513进行刻蚀时使用的刻蚀气体对第二有机层513的刻蚀速率大于对第二阻挡层514的刻蚀速率，以使第二阻挡层514在支撑基板54上的正投影覆盖第二有机层513在支撑基板54上的正投影，第二阻挡层514在支撑基板54上的正投影面积大于第二有机层513在支撑基板54上的正投影面积。这样，可以在第二阻挡层514与第二有机层513靠近开孔55的一侧形成有机发光层的隔断结构，使得有机发光层不连续，有利于阻断水氧的扩散路径。
[0090]
在本实施例中，对第二有机层513进行刻蚀时使用的刻蚀气体包括氧气，或者说，
使用的刻蚀气体中氧气所占的比例比较大，可以远大于其他气体的比例。
[0091]
在本实施例中，对第二有机层513进行刻蚀时使用的刻蚀气体除了氧气，还包括第二辅助气体，第二辅助气体包括四氟化碳(cf
4
)、六氟化硫(sf
6
)或三氟甲烷(chf
3
)中的任意一种或任意组合，但不限于此。其中，第二辅助气体的比例小于氧气的比例，这样，可以提高对第二有机层的刻蚀速率。
[0092]
当然，围绕开孔区，在第二阻挡层514远离柔性衬底51的一侧也可设置隔断结构，以隔断有机发光层，提高封装的信赖性。
[0093]
接着，对第一阻挡层512与第一有机层511进行刻蚀，得到第一孔部551。
[0094]
其中，对第一阻挡层512进行刻蚀使用的刻蚀气体为含氟的气体，例如，为四氟化碳(cf
4
)与氧气的混合气体，或者，为六氟化硫(sf
6
)与氧气的混合气体，或者，为三氟甲烷(chf
3
)与氧气的混合气体，氧气为辅助气体。
[0095]
对第一有机层511进行刻蚀时使用的刻蚀气体对第一有机层511的刻蚀速率大于对第一阻挡层512的刻蚀速率，以使第一阻挡层512在支撑基板54上的正投影覆盖第一有机层511在支撑基板54上的正投影，第一阻挡层512在支撑基板54上的正投影面积大于第一有机层511在支撑基板上的正投影面积。这样，在第一阻挡层与第一有机层靠近开孔的一侧形成有机发光层的隔断结构，使得有机发光层不连续，有利于阻断水氧的扩散路径。
[0096]
在本实施例中，对第一有机层511进行刻蚀时使用的刻蚀气体包括氧气，或者说，使用的刻蚀气体中氧气所占的比例比较大，可以远大于其他气体的比例。
[0097]
在本实施例中，对第一有机层511进行刻蚀时使用的刻蚀气体除了包括氧气，还包括第一辅助气体，第一辅助气体包括四氟化碳(cf
4
)、六氟化硫(sf
6
)或三氟甲烷(chf
3
)中的任意一种或任意组合，但不限于此。其中，第一辅助气体的比例小于氧气的比例，这样，可以提高对第一有机层的刻蚀速率。
[0098]
在步骤903中，在有机发光器件层远离柔性衬底的一侧形成封装层，封装层覆盖有机发光器件层与开孔；封装层包括第一待刻蚀部，第一待刻蚀部位于开孔中，且第一待刻蚀部的延伸方向与开孔的侧壁相交。
[0099]
在本实施例中，在步骤903后得到如图11所示的中间结构。如图11所示，封装层52包括第一待刻蚀部522，第一待刻蚀部522位于开孔55中，且第一待刻蚀部522的延伸方向与开孔55的侧壁相交，例如，第一待刻蚀部522的延伸方向与开孔55的侧壁垂直。第一待刻蚀部522位于开孔55的底面上。
[0100]
在本实施例中，如图11所示，柔性衬底51包括第二待刻蚀部5111，第二待刻蚀部5111位于开孔55的底面与支撑基板54之间；第一待刻蚀部522在支撑基板54上的正投影与第二待刻蚀部5111在支撑基板54上的正投影可完全重合。
[0101]
在本实施例中，封装层52可以包括至少一层无机封装层。无机封装层的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化铝与氮氧化硅中的任意一种或任意组合。例如，至少一层无机封装层可以包括依次层叠的第一无机封装层、第二无机封装层与第三无机封装层，第一无机封装层位于靠近有机发光器件层的一侧。第一无机封装层的材料为氮化硅，第二无机封装层的材料为氮氧化硅，第三无机封装层的材料为氮化硅。
[0102]
在本实施例中，封装层52包括封闭保护部521，封闭保护部521位于暴露部5121远离支撑基板54的一侧。这样，封装层52可以与第一阻挡层512接触，使第二有机层513、第二
阻挡层514与有机发光器件层等膜层被封装层52和第一阻挡层512封闭起来，从而可以保护第二有机层513、第二阻挡层514以及有机发光器件层。
[0103]
在步骤904中，对第一待刻蚀部进行刻蚀，去除第一待刻蚀部。
[0104]
在步骤905中，对第二待刻蚀部进行刻蚀，去除第二待刻蚀部。
[0105]
在本实施例中，可以使用同一掩膜版对第一待刻蚀部与第二待刻蚀部进行曝光、刻蚀，即去除第一待刻蚀部与去除第二待刻蚀部可通过同一工序完成。其中，刻蚀第一待刻蚀部使用的刻蚀气体与刻蚀第二待刻蚀部使用的刻蚀气体不同。
[0106]
在本实施例中，不对粘附于开孔55的侧壁上的封装层53进行刻蚀，以保证封装层53的完整。
[0107]
在本实施例中，如图12所示，在步骤905后得到如图12所示的中间结构。
[0108]
在步骤906中，将支撑基板从柔性衬底上剥离，得到有机发光显示基板。
[0109]
在本步骤中，如图13所示，可以采用波长处于紫外波段的激光照射支撑基板54远离封装层53的表面，使得第一有机层511和支撑基板54分离，从而使得可以将支撑基板54从柔性衬底51上剥离，得到如图5所示的有机发光显示基板。
[0110]
在本实施例中，由于柔性衬底上包括开孔，在有机发光器件层远离柔性衬底的一侧形成封装层后，封装层覆盖有机发光器件层与上述的开孔，其中，封装层包括第一待刻蚀部，第一待刻蚀部位于上述的开孔中，且第一待刻蚀部的延伸方向与开孔的侧壁相交，然后，对第一待刻蚀部进行刻蚀，去除第一待刻蚀部，然后，将支撑基板从柔性衬底上剥离，得到有机发光显示基板。在将支撑基板从柔性衬底上剥离之前，去除上述位于开孔中的第一待刻蚀部，这样，可以将封装层与支撑基板粘附在一起的部分去除，进而可以克服将支撑基板从柔性衬底上剥离产生的封装层剥落的缺陷，提高封装层的信赖性。
[0111]
以上对本发明实施例提供的如图5所示的有机发光显示基板的制备方法进行了详细的介绍，下面对本发明实施例提供的如图6、7、8所示的有机发光显示基板的制备方法进行简要的介绍。
[0112]
本发明实施例还提供一种有机发光显示基板的制备方法，用于制备如图6所示的有机发光显示基板。在本实施例中，有机发光显示基板的制备方法与图9所示的有机发光显示基板的制备方法大致相同，不同之处在于，在对柔性衬底51进行刻蚀，得到开孔55的过程中，可以通过控制刻蚀速率、刻蚀时间或者其他刻蚀工艺参数，以使第一孔部551的孔径等于第二孔部532的孔径。
[0113]
本发明实施例还提供一种有机发光显示基板的制备方法，用于制备如图7所示的有机发光显示基板。在本实施例中，有机发光显示基板的制备方法与图9所示的有机发光显示基板的制备方法大致相同，不同之处在于，在对柔性衬底51进行刻蚀，得到开孔55的过程中，对第一有机层511与第一阻挡层512进行刻蚀，得到开孔55。
[0114]
本发明实施例还提供一种有机发光显示基板的制备方法，用于制备如图8所示的有机发光显示基板。在本实施例中，有机发光显示基板的制备方法与图9所示的有机发光显示基板的制备方法大致相同，不同之处在于：
[0115]
如图14所示，在对柔性衬底51进行刻蚀，得到开孔55的过程中，对第一有机层511与第一阻挡层512进行刻蚀，得到开孔55，开孔55为贯穿第一有机层511与第一阻挡层512的通孔。
[0116]
在有机发光器件层远离柔性衬底51的一侧形成封装层52后，得到的中间结构如图15所示，第一待刻蚀部522位于支撑基板54上。
[0117]
在对第一待刻蚀部522进行刻蚀，去除第一待刻蚀部522之后，得到的中间结构如图16所示，仍存在小部分的封装层52粘附在支撑基板54上，但是，粘附在支撑基板上的封装层52很少。
[0118]
在本实施例中，可以采用波长处于紫外波段的激光照射如图16所示的支撑基板54远离封装层53的表面，使得第一有机层511和支撑基板54分离，从而使得可以将支撑基板54从柔性衬底51上剥离，得到如图8所示的有机发光显示基板。
[0119]
在本实施例中，在将支撑基板从柔性衬底上剥离之前，去除上述位于开孔中的第一待刻蚀部，这样，可以大大减少封装层与支撑基板粘附的面积，进而可以改善将支撑基板从柔性衬底上剥离产生的封装层剥落的缺陷，提高封装层的信赖性。
[0120]
本发明的实施例还提出了一种显示装置，包括显示模组，还包括上述任一实施例所述的有机发光显示基板。
[0121]
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪、虚拟现实设备、增强现实设备、可穿戴设备等任何具有显示功能的产品或部件。
[0122]
其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括：沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
[0123]
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
[0124]
在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
[0125]
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
[0126]
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。