一种图案化方法及阵列基板的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于显示技术领域，具体涉及一种图案化方法及阵列基板的制备方法。
【背景技术】
[0002]随着显示装置分辨率的提高，对关键显示器件的尺寸要求越来越小。一直以来，关键显示器件的尺寸的缩小都依赖于光刻工艺。例如，现有技术中的阵列基板上各膜层的图案化一般都采用光刻工艺形成。光刻工艺一般包括旋涂光刻胶、曝光、显影、刻蚀等工序。
[0003]如图1所示，曝光就是要将掩模板I上的图形转移到形成膜层2的基底上。显影就是将曝光后感光部分的膜层2用显影液溶解并去除，留下未感光部分的膜层2，从而形成图形。膜层2—般由光刻胶构成，光刻胶有正性光刻胶、负性光刻胶之分，负性光刻胶就是感光了的光刻胶留下，正性光刻胶则相反。
[0004]发明人发现现有技术中至少存在如下问题:人们对显示分辨率要求的越来越高，图案化时的图形被设计的越来越小，受到曝光机台(Optical exposure tool)的分辨率极限的影响，在进行高密度的曝光显影以完成图案化时，相邻的图案之间便容易发生光学接近效应(optical proximity effect，0PE)。如图2所示，曝光时，光并非是完全沿直线方向转播，相邻的图形密度过高，光照射的区域3容易形成交叠照射区4，以至于最终显影后的图形失真产生不良。
【发明内容】
[0005]本发明针对现有的高密度的曝光显影时，相邻的图案之间容易发生光学接近效应导致显影后的图形失真产生不良的问题，提供一种图案化方法及阵列基板的制备方法。
[0006]解决本发明技术问题所采用的技术方案是:
[0007]—种图案化方法，包括以下步骤:
[0008]对形成在基底上的膜层进行第一次曝光显影，以使膜层的第一区域的厚度小于第二区域的厚度；
[0009]硬烘，以使膜层远离基底一侧的第二区域的表面硬化；
[0010]进行第二次曝光显影，以使第一区域的膜层完全去除。
[0011]优选的，所述第一区域的厚度为h，第二区域的厚度为h2，其中，h1:出为4:5至1:3。
[0012]优选的，所述硬烘包括在膜层远离基底的一侧进行加热。
[0013]优选的，所述加热温度为100_120°C，所述加热时间为1-50秒。
[0014]本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括在基底上形成膜层的步骤，以及对上述膜层进行图案化的步骤，所述图案化通过上述的图案化方法进行。
[0015]优选的，所述膜层由正性光刻胶构成，所述第一区域为曝光区，所述第二区域为非曝光区。
[0016]优选的，所述膜层由负性光刻胶构成，所述第一区域为非曝光区，所述第二区域为曝光区。
[0017]优选的，所述膜层包括栅极金属层或源漏金属层。
[0018]本发明的图案化方法，包括两次曝光显影，且在两次曝光显影中间增加了硬烘工艺，使得相邻的曝光图形之间的膜层表面硬化，防止相邻的曝光图形之间发生光学接近效应，导致显影后的图形失真产生不良。本发明的图案化方法适用于阵列基板的各膜层的制备工艺中，尤其适用于制备显示分辨率高的阵列基板的各膜层。
【附图说明】
[0019]图1为现有的图案化方法不意图；
[0020]图2为现有的图案化方法产生不良的示意图；
[0021 ]图2为本发明的实施例1的图案化方法示意图；
[0022]图3为本发明的实施例2的图案化方法示意图；
[0023]图4为本发明的实施例3的图案化方法步骤流程图；
[0024]其中，附图标记为:1、掩模板;2、膜层;21、第一区域;22、第二区域;3、光照射的区域;4、交叠照射区。
【具体实施方式】
[0025]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0026]实施例1:
[0027]本实施例提供一种图案化方法，如图3所示，包括以下步骤:
[0028]对形成在基底上的膜层2进行第一次曝光显影，以使膜层2的第一区域21的厚度小于第二区域22的厚度；
[0029]硬烘，以使膜层远离基底一侧的第二区域22的表面硬化；
[0030]进行第二次曝光显影，以使第一区域21的膜层2完全去除。
[0031]本实施例的图案化方法，包括两次曝光显影，且在两次曝光显影中间增加了硬烘工艺，使得相邻的曝光图形之间的膜层2表面硬化，防止相邻的曝光图形之间发生光学接近效应导致显影后的图形失真产生不良。本发明的图案化方法适用于阵列基板的各膜层的制备工艺中，尤其适用于制备显示分辨率高的阵列基板的各膜层。
[0032]实施例2:
[0033]本实施例提供一种图案化方法，包括以下步骤:
[0034]对形成在基底上的膜层2进行第一次曝光显影，以使膜层2的第一区域21的厚度小于第二区域22的厚度；
[0035]硬烘，以使膜层2远离基底一侧的第二区域22的表面硬化；
[0036]进行第二次曝光显影，以使第一区域21的膜层2完全去除。
[0037]本实施例的图案化方法，包括两次曝光显影，且在两次曝光显影中间增加了硬烘工艺，使得相邻的曝光图形之间的膜层2表面硬化，防止相邻的曝光图形之间发生光学接近效应导致显影后的图形失真产生不良。其中，显影是将曝光后第一区域21的膜层2用显影液溶解并去除，留下第二区域22的膜层2，从而形成图形。显影液通常为碱性物质如氢氧化钾、氢氧化钠等。
[0038]优选的，所述第一区域21的厚度为出，第二区域22的厚度为h2，其中，1η:1ι2*4:5至1:3。
[0039]也就是说，如图3所示，进行第一次曝光显影是为了减少部分第一区域21的膜层2厚度，并不完全将第一区域21的膜层2完全去除，其中，可以通过