技术特征：
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述激光器自上而下依次为p电极、p型布拉格反射镜组、氧化层、电子阻挡层、有源区、n型布拉格反射镜组、衬底、n电极。2.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述电子阻挡层包括al
x
ga
1-x
as
y
sb
1-y
，组分变化范围为：x＝0.4-0.8，y＝0.8-1。3.根据权利要求2所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述电子阻挡层厚度为10-20nm。4.根据权利要求2所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：掺杂浓度范围为1
×
10
17
cm-3
—2
×
10
18
cm-3
。5.根据权利要求2所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述p电极和n电极的材质为金、铜、石墨、银或锡中的任一种。6.根据权利要求1～5任一项所述一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：s1、在衬底上依次外延n型布拉格反射镜组、有源区、电子阻挡层、氧化层、p型布拉格反射镜组；s2、在所述p型布拉格反射镜组远离衬底的一侧制作p电极，在所述衬底远离所述n型布拉格反射镜组的一侧制作n电极，完成激光器的制作。
技术总结
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器领域，解决了现有激光器在大电流注入下阈值高、斜效率低，光电性能不佳的问题，所述激光器自上而下依次为P电极、P型布拉格反射镜组、氧化层、电子阻挡层、有源区、N型布拉格反射镜组、衬底、N电极，所述电子阻挡层包括Al
技术研发人员：赵飞云 任翱博 巫江 唐枝婷 李妍
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2022.08.30
技术公布日：2022/11/8