专利名称：半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体装置，特别涉及一种改进半导体装置，在其外引线的外部有绝缘涂敷区，以便减小在粘合微小间距的外引线时所产生的不合格产品的数量。
通常，载带自动粘合(TAB)涉及有效表面安装型封装技术，该技术是用金属凸点直接把大规模集成电路(LSI)粘合到其上形成了金属图形的带上，即，是有关直接粘合LSI和引线框架的互连技术。与常规引线粘合技术相比，TAB技术是一种先进的互连技术。
近来，工业上一流的公司正在试图研制凸点形成技术，因为该技术是产业中的关键技术。
TAB中的凸点起着引线粘合方法中的引线的作用，形成该凸点作为能电连接LSI芯片的焊盘和TAB引线框架的金属突起物。这里，按其材料将凸点分成Au凸点和Sn/Pb凸点，并将它们分成蘑菇型凸点和直壁型凸点。
凸点粘合技术是产业中的关键技术，根据凸点形成方法可它分成以下三种制造方法。
1)引线定位法-引线凸点形成法和传递凸点形成法。(The lead frame accessingmethod-the lead bumping method and a transferred.)2)晶片高度定位法-引线凸点形成法。(The wafer level accessing method-thewire bumping method.)3)芯片高度定位法-引线凸点形成法。(The chip level accessing method-the wirebumping method.)同时，上述方法分别存在以下缺点。
1)引线框定位法该方法用一般的晶片，并适于制造各种产品和少量的该产品，然而凸起的引线带很贵。
2)晶片凸点形成法它适于制造各种产品和少量的该产品；然而按晶片凸点形成法另需TAB工艺，精确度降低。
3)引线凸点形成法它适于制造小尺寸管脚产品，但，它不适于制造小尺寸的多管脚产品。
把TAB工艺制造的产品传递到定位机，并安装在基片上。
图1表示常规半导体装置的外引线粘合后的一种互连。
如图1所示，在基片1的上部形成间隔开的焊盘2。此外，TAB带包括其上形成了与绝缘带的某部分上的粘结剂4有粘结力的金属图形的外引线5。通过控制压力和温度，由如各向异性的导电粘结剂或各向异性导电膜等各向异性的粘结剂粘结TAB的外引线5和基片1。
同时，将导电球6插入外引线5和焊盘2间。此外，将与导电球6无关的导电球6a插入外引线5间。但是，随着半导体产品变成多功能化，及具有高性能和多管脚结构，所以产品的焊盘/引线间距变细。
由于常规半导体装置有与导电球6无关的用于电连接的导电球6a，所以相应元件间会发生电短路。
因此，本发明的一个目的是提供一种半导体装置，克服上存在于常规半导体装置中的问题。
本发明的另一个目的是提供一种改进半导体装置，在外引线的外部有绝缘涂敷区，以便减小在粘合微小间距的外引线时所产生的不合格产品的数量。
为了实现上述目的，本发明提供一种半导体装置，包括形成在TAB带的外引线的外部的绝缘涂敷区，以便防止在TAB外引线粘合时，由包含在ACA/ACF中导电球所引起的外引线间的电短路。
图1是表示外引线粘合后的互连的常规半导体封装的剖面图。
图2是表示按本发明的绝缘涂敷的TAB带的半导体封装的剖面图。
图3是表示在按本发明的外引线粘合后TAB绝缘带与基片连接的互连的半导体封装的剖面图。
图2表示按本发明的绝缘涂敷的TAB带。
首先，由于一般的TAB工艺与已有技术相似，所以不再进行详细说明，下面只说明TAB带的结构。
如图2所示，外引线15与粘结剂14粘结固定在绝缘带13的下部。但，在外引线的外表面形成绝缘涂敷区7，以防止电短路。绝缘涂敷区是用环氧树脂族材料形成的。此外，绝缘涂敷区7的厚度最好小于1000埃。
图3表示外引线粘合后TAB绝缘带和基片间的互连。
如图所示，在粘合外线期间，形成在外引线15的外围的绝缘涂敷区中，包含于ACA/ACF中的导电球6和与上述导电球6无关的导电球6a相互接触，此时，因为外引线15的绝缘涂敷区7被破坏，所以导电球6和有绝缘涂敷区的外引线15电连接。
这里，图3中，通过外引线15给导电球6和焊盘12加电压，或从焊盘12向导电球6和外引线15加电压。
如上所述，半导体装置围绕外引线形成绝缘涂敷区，以防止随着工业上对微小间距产品的研制而使外引线间的间距变近导致的不论导电性如何的导电球所引起的引线间的电短路。
尽管为了说明本发明的目的，公开了本发明的优选实施例，但本领域的技术人员应该理解到，在不脱离所附权利要求书所说明的本发明的范围和精神的情况下，可以有各种改型、附加和替换。
权利要求
1.半导体装置，包括为了防止由于包含在ACA/ACF中的导电球在TAB外引线粘合期间引起外引线间电短路而形成在TAB带的外引线的外部的绝缘涂敷区。
2.如权利要求1的半导体装置，其特征在于所述绝缘涂敷区是由环氧树脂族材料形成的。
3.如权利要求1的半导体装置，其特征在于所述绝缘涂敷区的厚度低于1000埃。
4.如权利要求1的半导体装置，其特征在于通过在一定压力下对绝缘膜的破坏，使所述绝缘涂敷区电连接绝缘带外引线和基片的焊盘。
全文摘要
一种在外引线的外部具有绝缘涂敷区的改进半导体装置，可减少在粘合微小间距外引线时不合格产品的数量，它包括为了防止由于包含于ACA/ACF中的导电球在TAB外引线粘合期间引起外引线间电短路而形成在TAB带的外引线的外部的绝缘涂敷区。
文档编号H01L23/498GK1150334SQ9611994
公开日1997年5月21日 申请日期1996年10月4日 优先权日1995年10月19日
发明者钱兴燮 申请人:Lg半导体株式会社