用于有机电子器件的基板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于有机电子器件的基板、有机电子器件、以及照明设备。
【背景技术】
[0002] 有机电子器件（OED;OrganicElectronicDevice)是一种通过电极层与有机材料 之间的电荷交换来发挥功能的器件，例如其包括有机发光器件（0LED)、有机太阳能电池、有 机光导体（0PC)或有机晶体管等。
[0003] 有机发光器件（0LED)作为有机电子器件的代表，通常依次包括基板、第一电极 层、含有发光层的有机层和第二电极层。
[0004] 在称为底部发光器件（bottomemittingdevice)的结构中，所述第一电极层可以 形成为透明电极层，第二电极层可以形成为反射电极层。此外，在称为顶部发光器件（top emittingdevice)的结构中，第一电极层可以形成为反射电极层，第二电极层可以形成为 透明电极层。
[0005] 通过该两个电极层来分别注入电子（electron)和空穴（hole)，并注入的电子和 空穴在发光层中重新结合（recombination)以产生光子（light)。在底部发光器件中，光子 可向基板侧发射，而在顶部发光器件中，光子可向第二电极层侧发射。
[0006] 在有机发光器件的结构中，通常用作透明电极层的铟锡氧化物（ITO,IndiumTin Oxide)、有机层和通常为玻璃基板的折射率分别约为2. 0、1. 8或1. 5。由于上述折射率之间 的关系，例如，在底部发光器件的有机发光层中所产生的光子可以在介于有机层和第一电 极层之间的界面或在基板中被全内反射（totalinternalreflectionphenomenon)现象 等而捕获（trap)，仅发射极少量的光子。
【发明内容】
[0007] 技术问题
[0008] 本发明旨在提供一种用于有机电子器件的基板、以及有机电子器件。
[0009] 技术方案
[0010] 本发明示例性的用于有机发光器件的基板包括基础层以及光散射层。所述光散射 层例如可形成于基础层上。图1示出了包括基础层101和形成于基础层101上部的光散射 层102的不例性基板100。
[0011] 对于基础层，可使用合适的而无特别限制的材料。例如，当使用基板来制备底部 发光（bottomemission)型有机发光器件时，可使用透明基础层、例如对于可见光区域的 光具有50%以上透光率的基础层。透明基础层的实例可包括玻璃基础层、或透明聚合物基 础层。玻璃基础层的实例可包括含钠-钙玻璃、含钡/锶的玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、 硼硅酸盐玻璃、钡硼硅酸盐玻璃或石英等的基础层，聚合物基础层的实例可包括含有聚碳 酸醋（PC，polycarbonate)、丙稀酸树脂、聚（对苯二甲酸乙二醇醋）（PET，poly(ethylene terephthatle))、聚（硫酿）（PES，poly(ethersulfide))、聚讽（PS，polysulfone)等的基 础层，但不限于此。此外，视需要，基础层可为具有用于驱动的TFT的TFT基板。
[0012] 例如，当使用基板来制备顶部发光（topemission)型器件时，所述基础层无需必 须为透明基础层，且视需要可采用在基础层的表面形成有使用铝等的反射层的反射基础 层。
[0013] 在基础层的上部可形成包含各向异性纳米结构（anisotropicnanostructures) 的光散射层。术语"光散射层"可包括能够使入射光散射、衍射或折射的所有类型的层。[0014] 光散射层包括各向异性纳米结构。图2显示了位于基础层101上的示例性光散射 层102,该光散射层102包括各向异性纳米结构1022。如图2所示，该光散射层还可包括位 于纳米结构1022的上部的罩面层（overcoat) 1021，这将在后文详述。术语"纳米结构"例 如可为纵横比在1. 2至30、1. 2至25、1. 2至20、1. 2至15、1. 2至10、1. 3至10、1. 3至9、 1.3至8、1.3至7、1.3至6、约1.3至5或约1.3至4范围内的柱状结构。当所述各向异性 纳米结构的图案包括两种以上的结构时，每个结构的纵横比可相同或不同。在本说明书中 的术语"纵横比"可表示各向异性纳米结构的尺寸（dimension)中的最大尺寸L和与所述 最大尺寸L所规定的方向相垂直的方向上所规定的结构尺寸D的比值L/D。例如，当所述结 构具有柱状结构时，所述纵横比可表示为长度L与该圆柱的横截面直径D的比值L/D。在上 面的描述中，"各向异性纳米结构"可表示最大尺寸L和与所述最大尺寸L所规定的方向相 垂直的方向上所规定的结构尺寸D中的至少一个在约1至lOOOnrn的范围内的各向异性结 构。例如，所述各向异性纳米结构可具有圆柱形状，该圆柱横截面可由各种形状形成，如圆 形、椭圆形、多边形（如三角形、四边形等）或不规则形。对于所述各向异性纳米结构而言， 其长度例如可在约 50 至 1，000nm、50 至 900nm、50 至 800nm、50 至 700nm、50 至 600nm、50 至 500nm、100至500nm、或约100至450nm的范围。此外，对于所述各向异性纳米结构而言，例 如其横截面直径可在约10至500nm、10至400nm、10至300nm、20至300nm、30至300nm、30 至 300nm、50 至 250nm、70 至 250nm、90 至 250nm、或约 100 至 240nm的范围。
[0015] 所述各向异性纳米结构，例如以随机状态配置而存在于光散射层中。在以上的描 述中，"随机配置"可表示例如在存在有多种各向异性纳米结构时，纳米结构之间的间隔不 均匀。此外，如上所述，当各向异性纳米结构的图案包括两种以上的结构时，每个结构的纵 横比可相同或不同。随机配置的多个各向异性纳米结构之间的平均间隔例如可在约150至 300nm的范围内。在上述平均间隔中，在各结构之间的实际间隔可相同或不同。此外，各向 异性纳米结构在从上面观察光散射层时，可以所述各向异性纳米结构所占的面积相对于整 个光散射层的面积的光散射层为约20 %至70 %、约20 %至60 %、约20 %至50 %、或20 %至 40%存在。当所述各向异性纳米结构以这种配置存在时，整体上降低了对特定波长的依赖 性。此外，由于所述各向异性纳米结构的独特结构，射入光散射层的光根据其角度，部分光 的散射被最小化，且另一部分光可有效散射或衍射。
[0016] 例如，所述各向异性纳米结构可具有与后述的罩面层相比较高或较低的折射率。 例如，各向异性纳米结构与罩面层的折射率之差在约〇. 2至2. 0或约0. 5至2. 0的范围。 当所