各个第一元件 IlOo
[0032] 封顶层200形成在有机发光元件100上。封顶层200设置在各个有机发光元件 100的第二电极130上并用作光学调节（或控制）层。这种封顶层200调节与外部（或大 气）的折射率的差异，并且提升其与外部（或大气）的界面的反射率。反射率增长使得封 顶层200能够对固定波段的光生成微腔效应。
[0033] 另一方面，包括针对每一个子像素按照相同厚度形成的封顶层的现有技术OLED 装置无法确保最大发光效率。另选地，现有技术OLED装置根据子像素的类型按照不同的厚 度形成封顶层。在这种情况下，在OLED装置的制造过程中必须使用不同的腔室。由此，OLED 装置的生产率必然劣化。
[0034] 然而，根据本公开的OLED装置允许封顶层200包括折射率特性根据光的波长而升 高的光学调节材料。因此，尽管封顶层200按照均匀的厚度形成而不管子像素的类型，每一 个子像素仍可具有最大发光效率。现在将对此进行详细描述。
[0035] 图3A和图3B是本公开的OLED装置的折射率特性对入射光的波长的数据表。
[0036] 封顶层200可由有机材料和无机材料之一形成。另外，封顶层200可被形成为包 含光学调节材料，所述光学调节材料具有根据光的波长而升高的可变折射率（如图3A和图 3B所示）。因此，红色子像素区域R内的封顶层200的光学调节材料可具有与绿色子像素 区域G内的封顶层200的光学调节材料相比高至少0. 1的折射率。另外，绿色子像素区域 G内的封顶层200的光学调节材料可具有与蓝色子像素区域B内的封顶层200的光学调节 材料相比高至少〇. 1的折射率。这是由以下事实导致的：从子像素发射的光的波长按照蓝 色、绿色和红色子像素的顺序变大。换言之，折射率差异由以下事实导致：红色光波具有最 长波长，绿色光波具有中等波长，蓝色光波具有最短波长。
[0037] 封顶层200的这种光学调节材料可包含选自材料组的至少一种材料，所述材料组 包括GsSb、InGaSb和InSb。图3A示出对于形成为包含InGaSb的封顶层200,折射率特性 对光的波长。图3B示出对于形成为包含GaSb的封顶层200,折射率特性对光的波长。
[0038] 可基于光的波长以及与光学调节层对应的封顶层200的折射率和厚度生成微腔 效应。
[0039] [式 1]
[0040] 2XnXd = mXA
[0041] 在式1中，"η"是折射率，"d"是厚度，"m"是常数（或不变的数），" λ"是波长值。
[0042] 实际上，为了生成微腔效应，现有技术OLED装置仅基于与光的波长相对的折射率 调节封顶层的厚度而不考虑封顶层200的折射率。另外，形成现有技术OLED装置的封顶层 200的材料必然与入射光的波长成比例地减少。由此，现有技术OLED装置无法针对每一个 子像素按照相同的厚度形成封顶层200。
[0043] 然而，本公开的OLED装置中所包括的封顶层200被形成为包含光学调节材料，该 光学调节材料具有与光的波长成比例地升高的可变折射率。因此，可针对每一个子像素按 照均匀的厚度形成封顶层200。
[0044] 封顶层200可仅由光学调节材料形成。因此，除了光学调节材料以外，封顶层200 可包含折射率不同于光学调节材料的有机和无机化合物之一。所述有机或无机化合物可 具有与光学调节材料相比较低的折射率。详细地讲，有机或无机化合物的折射率可在约 1.0 ~2. O的范围内。例如，无机化合物可以是选自包括LiF、MgF2等的材料组的一种材料， 有机化合物可以是选自包括Alq3、MPB、TH)等的材料组的一种材料。然而，封顶层200不限 于上述材料。换言之，在形成封顶层200时可使用适合于提供期望的折射率的每一种材料。
[0045] 如果封顶层200由具有高折射率的光学调节材料（例如，GaSb、InGaSb和InSb) 形成，则封顶层200可被形成为与期望的折射率相比具有更高的折射率。在这种情况下，封 顶层200中还可包含具有低折射率的有机或无机化合物。换言之，可通过同时沉积高折射 率材料和低折射率材料通过调节它们之间的沉积比率及其沉积速度来形成具有期望的折 射率的封顶层200。
[0046] 图4是示出本公开的OLED装置的发光效率特性对封顶层的厚度的数据表。
[0047] 可从图4看出，明显的是本公开中所包括的封顶层200允许红色、绿色和蓝色子像 素针对厚度具有相似的发光效率特性。因此，适合于使红色像素 R的发光效率最大化的红 色子像素区域R的封顶层的一部分、适合于使绿色像素 G的发光效率最大化的绿色子像素 区域G的封顶层的另一部分以及适合于使蓝色像素 B的发光效率最大化的蓝色子像素区域 B的封顶层的另一部分可具有相同的厚度。
[0048] 换言之，封顶层的与红色子像素区域R、绿色子像素区域G和蓝色子像素区域B相 对的部分可按照相同的厚度形成，以便优化红色子像素区域R、绿色子像素区域G和蓝色子 像素区域B。与由于图1所示的针对封顶层的厚度的红色、绿色和蓝色子像素的不同的发 光效率特性导致强制在红色、绿色和蓝色子像素区域中封顶层的最佳厚度不同的现有技术 OLED装置相比，本公开的OLED装置可显著卓越。
[0049] 下表1示出用作比较实施方式和本发明实施方式的现有技术和本公开的封顶层 的实验结果。比较实施方式和本发明实施方式的封顶层被形成为具有约500 A的相同厚度。
[0050] [表 1]
[0051]
【主权项】
1. 一种有机发光二极管装置，该有机发光二极管装置包括： 基板，该基板被限定为包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域的多 个子像素区域； 第一电极，该第一电极形成在所述基板上； 有机发光层，该有机发光层形成在所述第一电极上； 第二电极，该第二电极形成在所述有机发光层上；以及 封顶层，该封顶层形成在所述第二电极上， 其中，所述封顶层被形成为包含光学调节材料，该光学调节材料具有与入射光的波长 成比例升高的可变折射率。
2. 根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，所述红色子像素区域内的所述 封顶层被形成为具有与所述绿色子像素区域内的所述封顶层相比高至少0. 1的折射率，并 且 所述绿色子像素区域内的所述封顶层被形成为具有与所述蓝色子像素区域内的所述 封顶层相比高至少0. 1的折射率。
3. 根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，所述光学调节材料是选自包括 GaSb、InGaSb和InSb的材料组中的一种材料。
4. 根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，适合于使所述红色子像素区域 的发光效率最大化的所述封顶层的一部分、适合于使所述绿色子像素区域的发光效率最大 化的所述封顶层的另一部分以及适合于使所述蓝色子像素区域的发光效率最大化的所述 封顶层的再一部分形成为相同的厚度。
5. 根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，所述封顶层被形成为还包括有 机化合物和无机化合物中的一个。
6. 根据权利要求5所述的有机发光二极管装置，其中，所述有机化合物和无机化合物 各自具有约1~2的折射率范围。
7. 根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，所述封顶层被形成为约500 A的 厚度。
8. -种有机发光二极管装置，该有机发光二极管装置包括： 基板，该基板被限定为包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域的多 个子像素区域； 第一电极，该第一电极形成在所述基板上； 有机发光层，该有机发光层形成在所述第一电极上； 第二电极，该第二电极形成在所述有机发光层上；以及 封顶层，该封顶层形成在所述第二电极上， 其中，所述封顶层被形成为包含光学调节材料，该光学调节材料具有沿着入射光的波 长变化的可变折射率。
9. 根据权利要求8所述的有机发光二极管装置，其中，所述封顶层被形成为在所有所 述红色子像素区域、所述绿色子像素区域和所述蓝色子像素区域中均具有均匀的厚度。
10. 根据权利要求9所述的有机发光二极管装置，其中，所述封顶层在所述红色子像素 区域中具有较小的折射率，在所述绿色子像素区域中具有中等折射率，在所述蓝色子像素 区域中具有最大折射率。
11. 根据权利要求9所述的有机发光二极管装置，其中，所述红色子像素区域内的所述 封顶层被形成为具有与所述绿色子像素区域内的所述封顶层相比高至少0. 1的折射率，并 且 所述绿色子像素区域内的所述封顶层被形成为具有与所述蓝色子像素区域内的所述 封顶层相比高至少0. 1的折射率。
12. 根据权利要求9所述的有机发光二极管装置，其中，所述光学调节材料是选自包括 GaSb、InGaSb和InSb的材料组中的一种材料。
13. 根据权利要求9所述的有机发光二极管装置，其中，所述封顶层被形成为还包括有 机化合物和无机化合物中的一个。
14. 根据权利要求13所述的有机发光二极管装置，其中，所述有机化合物和无机化合 物各自具有约1~2的折射率范围。
15. 根据权利要求9所述的有机发光二极管装置，其中，所述封顶层被形成为约500 A 的厚度。
【专利摘要】有机发光显示装置。公开了一种OLED装置，其包括：基板，其被限定为包括红色、绿色和蓝色子像素区域的多个子像素区域；第一电极，其形成在所述基板上；有机发光层，其形成在所述第一电极上；第二电极，其形成在所述有机发光层上；以及封顶层，其形成在所述第二电极上。所述封顶层被形成为包含具有与入射光的波长成比例升高的可变折射率的光学调节材料。
【IPC分类】H01L51-52, H01L27-32
【公开号】CN104752475
【申请号】CN201410815674
【发明人】崔盛勋
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年12月24日
【公告号】US20150187847